11月23日，長鑫存儲在IC China 2025上發佈最新DDR5系列產品，最高速率達8000Mbps、單顆容量最高24Gb，躋身國際頂級性能梯隊。同步亮相的LPDDR5X產品與之形成“雙芯共振”佈局，最高速率突破10667Mbps，16Gb容量節點實現關鍵技術跨越。這標誌著中國儲存晶片技術以“領先者”姿態站上全球舞台。這一里程碑背後，長鑫存儲用不到十年的時間從零起步，突破專利封鎖、補齊技術體系，並實現對國際巨頭的正面追擊，其背後的發展路徑與成功要素值得深入剖析。以下為正文：在全球半導體產業鏈中，DRAM被視為最難突破的領域之一。該賽道被韓國三星、SK海力士和美光三大巨頭壟斷，專利、工藝和資本壁壘層層疊加，中國企業始終難以進入核心區。長鑫存儲卻在不到十年的時間裡，從一紙立項走到量產、再到衝刺IPO，成為國產儲存突圍的代表。它的崛起，是國家戰略需求、地方產業政策和企業技術攻堅共同托舉的結果。01. 量產破局：打響國產DRAM第一槍長鑫存儲的起點或源於一次收購失敗。2015年，兆易創新收購爾必達計畫失敗。這次折戟，讓國內產業界真正意識到DRAM行業的牢固壁壘。全球市場長期由三星、SK 海力士和美光“三巨頭”壟斷，核心專利高度集中，國內企業仍處於技術受限的被動局面。此時，合肥市政府拋出橄欖枝，提出“政府出資、企業出人出力”的合作模式。雙方很快達成一致：共同投資建設DRAM項目。2016年，長鑫存儲正式成立，承擔起國產DRAM攻關的重任。2018年，一期廠房建設完成，裝置搬入並開始驗證投片。2019年9月，與國際主流DRAM產品同步的10奈米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計產能每月12萬片晶圓。同年12月，長鑫成功實現規模化量產，並於次年（2020年）正式推向市場。這是中國大陸首次擁有自主可控的DRAM量產能力，國產技術攻堅戰正式打響。但當時的工藝仍落後國際兩代，追趕只是剛剛開始。02. 地方托舉：資本、生態與人才DRAM是半導體產業中最典型的“百億起步”賽道。投入大、周期長，沒有強大的資本托底，很難熬到見效的那一天。長鑫的快速起勢，離不開合肥在資本層面的鼎力支援。2016年，合肥市政府瞄準國家積體電路產業發展戰略，聯合兆易創新共同啟動總投資1500億元的DRAM項目。其中，合肥市政府牽頭投入130億元，帶動安徽國資體系及社會資本共同形成360億元的首期資金池，為項目夯實了關鍵一步。至2020年A輪融資，“以投帶引”的國資模式效果凸顯。合肥產投等核心平台持續持股，向市場釋放出堅定的長期支援訊號，大基金二期、小米集團等知名機構隨即積極入局。2024年，合肥產投通過合肥產投壹號股權投資合夥企業參與108億融資，加上關聯主體長鑫整合的出資，形成國資對本輪融資的直接托底。產業生態上，合肥以長鑫為核心，打造本地化半導體叢集。上游引入廣鋼氣體、上海新陽、至純科技等企業，推動國產裝置和材料的驗證與替代；下游聯合兆易創新、聯寶科技等企業，拉動終端需求。人才層面，安徽省教育廳鼓勵中科大、合工大等高校與長鑫存儲等積體電路頭部企業深度融合。據悉，合肥工業大學與長鑫共建的“研究生聯合培養基地”入選首批省級基地，合作方向涵蓋積體電路設計、工藝等關鍵領域，提供持續的人才供給。“強資本、強生態、強人才”多維共振，讓長鑫存儲在合肥順利紮根，並加速駛入高品質發展的快車道。03. 全線提速：技術追趕、產能狂飆自此，長鑫存儲進入高速爬坡階段，在技術、產能與市場三條主線上全面提速。技術方面，專利+人才雙突破。早在發展初期，長鑫就與歐洲DRAM技術先驅奇夢達合作，拿下1000多萬份技術檔案及2.8TB核心資料，搭建起研發基礎框架。後續又收購英飛凌、美國藍鉑世部分DRAM專利和實施許可，持續築牢專利護城河。此外，長鑫請來奇夢達兩位“老兵”：任職24年的前技術副總裁庫斯特（Karl Heinz Kuester），以及曾主導奇夢達西安研發中心的濮必得（Peter Poechmueller），組成顧問團為技術迭代保駕護航。在此基礎上，長鑫深挖DUV裝置潛力，通過製程最佳化、材料迭代不斷縮小差距：從19nm到17nm，再到2024年量產16nm DDR5；2025年更在IC China發佈新一代產品，DDR5最高速率達8000Mbps，LPDDR5X達10667Mbps，正式躋身全球 DRAM一線陣營。產能方面，自2016年合肥DRAM基地一期項目啟動後，2020-2021年，北京DRAM一期、二期項目先後啟動，逐步擴大廠房建設。2022年1月，北京一期試產線通線；同年6月，合肥二期廠房封頂。2024年底，長鑫存儲月產能23萬片晶圓，2025年底升至28萬片，2026年劍指30萬片，逐步縮小與三星、SK海力士的差距。依託國內土地、能源、人力成本優勢，長鑫擴產成本比韓國廠商低約40%，產品價格也低10%-15%，在消費電子、物聯網等價格敏感領域站穩腳跟，抵禦外商產能壟斷的衝擊。市場端，技術與產能的突破，疊加今年儲存行情回暖，讓長鑫存儲快速打開局面。當前，北美AI伺服器需求暴增，儲存晶片供需缺口拉大，DRAM市場進入上行周期。集邦諮詢資料顯示，2025年三季度傳統 DRAM 價格環比漲10%-15%，含 HBM 則漲15%-20%，四季度預計再漲8%-13%（含 HBM 13%-18%）。摩根士丹利指出，DDR5 現貨價格在過去兩個月內飆升超 260%，熱度可見一斑。這波行情為長鑫帶來雙重機遇：一方面，其16nm DDR5、高速率 DDR5/LPDDR5X 產品，契合伺服器、高端手機的性能需求，具有廣闊市場需求；另一方面，價格上漲周期中，長鑫的技術優勢能進一步放大盈利空間。目前，長鑫存儲的產品已通過多家主流儲存模組商和方案設計公司，間接匯入至小米、OPPO、vivo、傳音等主流手機品牌的供應鏈中，物聯網領域合作落地，伺服器領域也即將突破。Counterpoint預測，2025年底長鑫DDR5市佔率或升至7%，LPDDR5X 接近 10%，全球話語權持續提升。但是，DRAM的周期性風險仍需警惕。儲存產品像大宗商品一樣，對供需敏感、價格波動大；且擴產周期長達 2-3 年，產能與需求易錯配。一旦未來 AI 伺服器需求放緩、行業產能過剩，長鑫可能面臨庫存積壓、價格下跌、現金流承壓的多重壓力。如何在周期波動中平衡擴張與風控，仍是其長期發展的核心課題。04. 尾聲2025年7月，長鑫啟動A股IPO輔導，僅用三個月完成驗收，上市處理程序明顯加速。市場普遍預期其估值約1400億元，募資規模接近300億元，主要用於推進15nm工藝與3D DRAM研發。上市對長鑫而言，是從“追趕”邁向“加速”的關鍵跳板。它將帶來更充裕的資本、更完善的治理機制，也將推動公司在HBM、先進封裝、國產裝置適配等領域展開新一輪投入。總體來看，長鑫存儲已經走在國產DRAM突圍的最前線。從破局起步到產業生態托舉，再到技術與產能的加速成長，它已經證明國產DRAM“能做、能量產、能追近”。下一步，則是向‘並跑’乃至‘領跑’的目標發起衝擊。而隨著上市臨近，一個更市場化、規模化、體系化的長鑫，也正在路上。 (芯師爺)

近期供應鏈消息傳出，中國DRAM大廠長鑫儲存，將“加速縮減”DDR4產能，原本2026年底保留單月2萬片DDR4產能，但隨著DDR5及新製程推進順利，或再減至1萬片產能。今年記憶體晶片是暴漲的，其中以DDR4漲的最猛，16GB的DDR4今年漲了700%以上，8GB規格的也漲了500%以，而DDR5、DDR3漲的相對少一些。DDR4為何漲的這麼猛，一方面是因為市場還有需求，很多老款一點的CPU，還在支援DDR4記憶體，所以市場需求還是相當大的。但另外一方面，則是今年上半年的時候，三星、美光、SK海力士等，則宣佈要停產DDR4記憶體。所以一下子，引發了管道的恐慌，整個供需關係打破了，有些管道開始提前囤貨，再加疊加市場需求，導致市場需求大，而產能又跟不上，所以DDR4在今年暴漲。而就算DDR4暴漲，三星、美光、SK海力士等，也不可能再去擴產DDR4了，因為這是註定要被淘汰的產品了，現如今AMD\INTEL的新CPU，都不再支援DDR4，只支援DDR5了。所以DDR4就這樣漲了一年，大家預測到2026年DDR4的價格可能會得到抑制。另市場消息稱，長鑫儲存也無意“戀戰”DDR4，原內部規劃在2026年底保留單月2萬片產能，主要提供給兆易創新的代工需求，但產能規劃可能再調整，降低DDR4產能供應的腳步加快，預計將減少至1萬片規模，加速進攻DDR5/LPDDR5。由於伺服器需求推動記憶體產業加速升級，近來長鑫儲存發表新一代DDR5與LPDDR5X產品，性能表現對標三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix），並預計從2026年起全面量產。外界預期，長鑫儲存2026年超過90%的產能將轉向新製程，快速跟上“記憶體超級循環周期”的成長列車，而長鑫儲存的總投片量，預計2026年將達到30萬片，屬於既有產能規劃，短期內對於緩解DRAM供不應求的實質幫助非常有限。儘管DDR4價格居高不下，從9月初至今的現貨價已上漲2倍多，近半年來現貨市場價格也明顯高於DDR5，但受限於DDR5供貨也同樣吃緊，DDR5價格漲幅也呈現倍數調漲，業界認為，DDR4合約價可望延續高檔至2026年底，後續維持賣方市場。 (半導體行業圈)

最近半導體圈子裡最重磅的消息，莫過於長鑫存儲（CXMT）即將遞交IPO招股書 。在這個消息出來之前，很多人對長鑫的印象可能還停留在“國產替代”的一個模糊概念上，甚至有人覺得它只是合肥市政府搞的又一個招商引資項目。但當我看到透露出的3000億人民幣（約421億美元）目標估值時 ，我意識到，這件事的性質已經完全變了。這不僅僅是一次史上最大規模的A股半導體上市案，更是一次中國硬科技資產的“核驗”。為了寫這篇文章，我花了兩天時間，翻閱了長鑫的研報說明、歷年融資記錄、全球儲存巨頭（三星、SK海力士、美光）的財報，以及過去三十年DRAM產業的興衰史。把這些枯燥的資料拉通來看，你會發現一條非常清晰的“國家意志”主線。在這篇文章裡，我不談情懷，我們只算帳。我們要用最冷峻的唯物主義視角，搞清楚三個問題：在美日韓壟斷了三十年的“鐵幕”之下，長鑫憑什麼敢要價3000億？在美國的技術封鎖和實體清單下，長鑫那令人咋舌的產能究竟是從那冒出來的？這場IPO對於三星、美光這些既得利益者，以及對於我們每一個中國人的國運，到底意味著什麼？第一章：血海中誕生的怪獸在分析長鑫之前，我們必須先理解DRAM（動態隨機存取儲存器）這個行業的本質。如果說晶片是現代工業的糧食，那麼DRAM就是糧食中的“大米”。它是所有電子裝置——從你手裡的華為Mate 60，到阿里雲的資料中心伺服器，再到特斯拉的自動駕駛電腦——都離不開的基礎零部件。但是，這碗“大米”非常燙手。 在過去的40年裡，DRAM行業是全球科技產業中競爭最殘酷、屍骨最纍纍的戰場，沒有之一。上世紀80年代，美國人發明了DRAM，但被日本的東芝、日立用“良率戰”打得丟盔棄甲，英特爾被迫退出了儲存業務。 上世紀90年代到2000年初，韓國人三星和海力士，利用“反周期投資”策略——即在全行業虧損的時候瘋狂擴產——把日本人活活耗死。曾經不可一世的日本“國家隊”爾必達（Elpida），最終在2012年破產，被美光收購。 歐洲的希望奇夢達（Qimonda），也在2009年資金鏈斷裂，轟然倒塌。最終，全球DRAM市場形成了一個極為穩固的“三巨頭”格局：三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）和美光（Micron）。這三家公司常年把持著全球90%以上的市場份額 。這是一個極其舒適的“暴利俱樂部”。三家企業默契十足：價格跌了就一起減產保價，價格漲了就一起吃肉分紅。對於下游的中國手機廠商和PC廠商來說，DRAM的價格波動就是懸在頭頂的達摩克利斯之劍。2017年記憶體條價格暴漲的時候，中國企業幾乎是在給韓國人打工。這就是長鑫誕生時的背景。 2016年5月，長鑫在安徽合肥成立 。這不僅僅是一家商業公司的誕生，更是代號為“506項目”的國家戰略工程的落地 。它的使命非常純粹，也非常沉重：在這個被美日韓壟斷的“血海”裡，撕開一道口子，活下去，並把定價權搶回來。七年過去了，長鑫交出了一份怎樣的答卷？ 我們先看最核心的指標：產能。第二章：暴力美學——15倍產能增速背後的“逆周期”豪賭在半導體製造行業，技術固然重要，但規模才是入場券。沒有規模，你就分攤不掉動輒幾百億的研發成本；沒有規模，你就無法在供應鏈上獲得話語權。我整理了長鑫從2019年到2026年的產能規劃資料，這條曲線簡直可以用“暴力”來形容 ：2019年9月長鑫首批DDR4晶片量產。當時的月產能（WPM）僅僅只有2萬片 。在巨頭眼裡，這個數字連零頭都算不上。2020年-2021年經過兩年的爬坡，產能翻了兩番，達到8萬片。2022年底一期項目達成設計產能，月產突破10萬片。2024年初雖然面臨外部制裁，產能依然攀升至17萬片。2025年Q1預計達到20萬片 。2026年（目標）產能徹底釋放，直指30萬片從2萬片到30萬片，長鑫只用了不到7年時間，增長了15倍 。30萬片是什麼概念？ 我們需要找個參照物。目前，全球第二大儲存巨頭SK海力士的總產能大約在60萬片左右。也就是說，長鑫要在2026年造出“半個SK海力士”，或者說一個接近美光（Micron）總產能的巨無霸 。如果這個目標達成，全球DRAM市場的版圖將被改寫。長鑫將從一個“Others”類別裡的雜牌軍，一躍成為全球第四大DRAM製造商，市場份額預計將提升至3.5%左右，超過台灣的南亞科技 。比數字更讓我感到震撼的，是長鑫擴張的時間點。 大家回顧一下，2022年到2023年是全球電子消費品的“寒冬”。PC賣不動，手機銷量下滑，導致儲存晶片價格暴跌。那時候，三星和SK海力士在幹什麼？他們在忙著減產，忙著削減資本開支，甚至通過“人為製造短缺”來維持價格 。但長鑫在幹什麼？ 它在逆勢擴產。在全行業都在過冬的時候，長鑫依然在按計畫推進二期項目 。這就是典型的“國家隊”打法——逆周期投資。 普通的私營企業，受制於股東回報和財務報表的壓力，是不敢在虧損周期裡大規模砸錢擴產的。但長鑫不一樣。它的背後站著合肥市政府、安徽省政府和國家大基金。這些股東看重的不是今年的利潤報表，而是未來十年的產業安全。這種打法極其凶悍，它賭的是一個極其樸素的商業邏輯：當你熬過冬天醒來時，你會發現我已經站在你家門口，手裡拿著和你一樣多的槍。第三章：非對稱競爭——用17nm去打12nm這時候肯定有人會質疑：光有產能有什麼用？你的技術落後人家那麼多，造出來的全是垃圾怎麼辦？我們必須實事求是地承認差距。 由於美國在2022年10月實施的出口管制，以及後續將長鑫列入實體清單 ，長鑫在獲取最先進的EUV（極紫外）光刻機，甚至是先進的DUV光刻機方面，都面臨巨大的困難 。這就導致了一個客觀的技術代差：競爭對手三星、SK海力士和美光，目前的主力工藝已經跑到了10-12nm（即1α/1β工藝節點） 。他們能夠生產最高效能的HBM3（高頻寬記憶體）和最高密度的DDR5。長鑫存儲目前的主力工藝還在17nm/19nm（即1Y工藝節點） 。雖然有傳聞說長鑫可能跳過17nm直接嘗試16nm，但在缺乏先進光刻機的情況下，物理極限是很難突破的。從晶片製造的物理規律看，這意味著長鑫的晶片在單位面積的儲存密度和功耗上，天生就比三星的產品要差一些 。但是，長鑫搞了一套非常聰明的“非對稱競爭”策略。既然我在微縮工藝（Process Scaling）上被卡了脖子，那我就在架構設計和性能調優上把分數追回來。在最近的“IC China 2025”展會上，長鑫展示了他們最新的DDR5記憶體產品。其最高傳輸速度竟然達到了8000 Mbps，而LPDDR5X（用於手機）的最高速度達到了10667 Mbps。這個資料非常關鍵。這意味著，在90%的消費者感知的應用場景裡——比如你打遊戲、剪視訊、或者伺服器運行普通任務——長鑫的產品在速度這個核心指標上，已經和國際一線產品完全對等了 。這就好比“田忌賽馬”。 我的晶片可能面積稍微大一點（成本稍高），功耗稍微高一點（桌上型電腦使用者不在乎），但我速度和你一樣快，而且我量大管飽，價格還比你便宜。這就是長鑫的策略：水平飽和（Horizontal Saturation）。 放棄在最高能效、最高密度的前沿陣地（比如頂級AI訓練晶片用的HBM3E）硬碰硬，轉而在主流市場（DDR4, DDR5, LPDDR5）上，用成熟工藝+極致產能，去搞飽和式攻擊。這招對於三星可能只是撓癢癢，但對於美光來說，卻是致命的。結合美光在中國市場面臨的審查和業務收縮 ，長鑫正在通過這種策略，系統性地接管美光留下的市場份額。第四章：估值邏輯——3000億不是泡沫，是“入場券”搞清楚了產能和技術，我們再回過頭來看那個讓很多投資者咋舌的估值數字：3000億人民幣（421億美元） 。如果不看背景，只看財務資料，這個估值確實“貴得離譜”。 根據招股書和研報的推測，長鑫2024年的營收大約是40億美元。按此計算，其市銷率（P/S）高達10.5倍 。 作為對比：SK海力士的市銷率只有3.8倍 。美光的市銷率是4.1倍 。同樣處於追趕地位的南亞科技只有2.6倍 。一家技術落後、尚未實現大規模盈利、還面臨制裁的公司，憑什麼享受比行業巨頭高出2-3倍的估值溢價？這裡有三個深層次的邏輯，是你在華爾街的教科書裡學不到的：第一，極度的稀缺性與“戰略期權”。在中國未上市的獨角獸名單裡，長鑫是極其特殊的。它是中國大陸唯一一家實現了DRAM自主設計和規模量產的企業 。 在中美科技脫鉤的背景下，長鑫不僅僅是一家公司，它是中國資訊產業安全的“備份硬碟”。 資本市場給出的高溢價，其實是為國家獲得技術主權而支付的“戰略期權價值” 。只要長鑫活著，並且產能足夠大，海外巨頭就不敢隨意斷供，也不敢隨意漲價。這筆帳，不能只算商業回報，要算安全帳。第二，恐怖的成長性。 巨頭們的增長已經見頂，隨著周期波動，年均增速只有5%-10%。 但長鑫處於爆發期。根據預測，從2022年到2026年，長鑫的營收將從15億美元增長到75億美元，年複合增長率（CAGR）高達50%。在資本市場，高增長永遠享有高溢價。第三，國家資本的隱性擔保。 這就必須深挖長鑫的股權結構了。 我查閱了長鑫截止2025年底的主要股東名單 ：合肥市建設投資控股（32.5%）：這是合肥市政府的錢袋子。大基金二期（12.8%）：這是中央財政的錢。安徽省產業投資基金（9.7%）：這是省裡的錢。合肥高新建設投資（6.3%）。把前四大股東加起來，國家資本的持股比例超過了61%。如果算上各種關聯基金，這個比例甚至超過70%。 從2016年到2024年，長鑫累計完成了6輪融資，總金額超過1500億人民幣 。每一輪領投的，都是國家隊。這種股權結構意味著什麼？意味著即使長鑫在未來幾年繼續虧損，由於它背負著不可替代的國家使命，它的現金流也不會斷裂。這種“大到不能倒”的安全感，在充滿了不確定性的半導體投資中，本身就是一種巨大的價值。第五章：地緣政治的零和博弈分析長鑫，永遠繞不開美國。2022年10月，美國商務部將長鑫列入“未核實清單”（UVL），隨後又將其列入事實上的實體清單，限制其獲取美國技術 。美國國防部更是將其列入“889清單” 。這看似是滅頂之災，但在辯證法看來，壞事也能變成好事。美國的制裁，在客觀上為長鑫在國內市場挖出了一條寬闊的“地緣政治護城河” 。對於中國國內的伺服器廠商（如浪潮、聯想）、手機廠商（如小米、OV）來說，採購美光的儲存晶片已經從過去的“商業選擇”變成了一種“政治風險”和“供應鏈風險”。誰也不敢保證明天美光會不會突然斷供。於是，美光在中國市場被迫收縮，留出了巨大的市場真空 。 這個真空，誰來填？ 只能是長鑫。長鑫現在的任務非常明確：填補美國競爭對手在中國市場留下的空白。 這是一場典型的零和博弈。根據預測，隨著產能擴張，長鑫將直接承接美光在中國丟掉的份額。這也解釋了為什麼長鑫的產品即使良率還在爬坡，也能賣得出去——因為客戶需要它作為備份（Plan B），甚至作為主力供應商（Plan A）來對衝風險 。此外，長鑫的崛起徹底改變了全球DRAM的定價權邏輯。 以前，三星、海力士、美光三家坐在一起喝咖啡，就能決定明年記憶體條賣多少錢。如果你嫌貴？對不起，沒貨。 現在，桌子上多了一個不聽話的、產能巨大的、而且不怕打價格戰的中國玩家。 那個屬於巨頭們的“暴利俱樂部”，再也回不去了。如果長鑫願意，它完全可以利用國家資本的支援，在主流DDR4/DDR5市場上發起價格戰，把美光的利潤打到地板上 。第六章：繁榮之下的阿喀琉斯之踵寫到這裡，作為堅定的唯物主義者，我必須給頭腦發熱的朋友潑一盆冷水。長鑫的IPO雖然風光無限，但在鮮花和掌聲背後，依然有巨大的隱憂和風險。首先是HBM（高頻寬記憶體）的生死門。 現在的AI時代，輝達的GPU離不開HBM。HBM不僅僅是儲存，更是算力的瓶頸。三星和SK海力士現在的股價之所以能創新高，靠的就是壟斷HBM3/HBM3E市場。 而長鑫在這方面，落後了至少兩代。 長鑫目前計畫在2025年中期提供HBM2樣品 。請注意，是樣品，而且是HBM2。而對手已經在量產HBM3E甚至HBM4了。 HBM的製造高度依賴TSV（矽通孔）和3D堆疊技術，這些都需要先進的裝置支援。在缺乏EUV和先進DUV的情況下，長鑫能不能搞定HBM的高良率量產，是其技術能力的終極考驗 。 如果不能在AI儲存上通過驗證，我們就只能在低端市場“卷”價格，看著別人在高端市場吃肉。其次是盈利能力的拷問。 雖然有報告稱長鑫DDR4良率達到90%，DDR5達到80% ，但我們要警惕，這些資料在IPO前夕往往帶有一定的“戰略展示”成分 。在大規模量產（HVM）中，良率每下降1個百分點，損失就是數千萬。 別忘了，長鑫背負著2000億的累計投資，每年的裝置折舊攤銷就是一個天文數字。如果IPO後業績無法兌現，3000億的市值隨時可能縮水 。最後是裝置斷供的達摩克利斯之劍。 雖然長鑫通過種種手段（如國產裝置替代、購買非美產裝置、維護現有裝置）保住了現在的擴產節奏，但如果美國進一步收緊出口管制，連舊款的DUV光刻機也不讓賣了，或者限制關鍵的零部件耗材，長鑫的擴產之路隨時可能被打斷 。這是懸在頭頂的一把劍。結語：一場關乎國運的“中場休息”長鑫存儲的IPO，註定會載入中國半導體史冊。 這3000億的估值，不是為了造富，不是為了讓幾個原始股東套現離場，而是為了打仗。從合肥的一片荒地，到如今月產17萬片的現代化晶圓廠；從被人嘲笑的“PPT造芯”，到如今逼近美光的產能規模。長鑫用7年時間證明了：在DRAM這個被西方壟斷了30年的領域，中國不是“做不到”，而是“以前沒下決心做”。這次上市，不是終點，而是一場漫長戰爭的“中場休息”。 有了資本市場的彈藥，長鑫將有能力發動更猛烈的攻勢。但下半場會更難。因為我們已經走出了新手村，接下來的每一步，都是在無人區探索，都要直接面對巨頭們的刺刀見紅。但我們別無選擇。 在這個只有第一名才能吃肉、第二名只能喝湯、第三名只能喝西北風的殘酷產業裡，中國必須擁有自己的席位。 長鑫合肥工廠裡日夜不停的機器轟鳴聲，就是我們在試圖扼住命運咽喉時，發出的最強音。 (行業報告研究院)

12月1日，香港《亞洲時報》等主要外媒報導稱，"日本似乎已從本月中旬起全面停止向中國出口光刻膠的出貨"。儘管日本政府和企業並未正式宣佈此事，但日本和中國業界已普遍將其視為既定事實。有評價指出，此次措施的具體實施範圍已明確到佳能、尼康、三菱化學等具體企業名稱的程度。《亞洲時報》稱此次中斷是"中國擔憂的最壞情況"。當前半導體市場不僅限於 HBM，通用 DRAM需求也同時激增，正處於全面供應短缺的局面，這被認為是中國企業加速成長的時機。雖然 CXMT和SMIC基於政府支援擴大生產能力，與這一趨勢相吻合，但日本光刻膠出口中斷的情況被指直接動搖擴產計畫。若核心材料採購變得不穩定，中國儲存器的市場進入速度也可能受到影響這有可能引發全球供應鏈重組及整體價格結構的變化。另一方面，此次事件也被視為加劇了日本本土企業與中國之間的距離，同時反而強化了韓國與日本供應鏈聯絡更加緊密的趨勢。隨著日本對光刻膠的控制加大中國企業的採購不確定性，韓國企業愈發需要加強與日本中小企業的穩定合作結構，實際上兩國企業間的合作範圍也在擴大。有分析認為，隨著與日本的技術和材料聯絡加強，韓國更有可能在中國與日本之間確立為半導體供應鏈的核心軸。日本此舉被認為中日衝突加劇的背景下，影響已蔓延至半導體供應鏈的訊號。日本正通過限制其優勢領域——部件、材料向中國流入的方式加大施壓，而韓國業界也在密切關注，若此類衝突給中國半導體生產帶來變數，將對韓國企業產生何種影響。光刻膠是一種對光反應後化學性質發生變化的“感光物質”。特別具有將光線聚集到一處的特性，因此在半導體工藝的初期階段“光刻工藝”中被廣泛用作核心材料。塗覆在晶圓上後，能將射向晶圓的光線集中到一點，從而幫助繪製精細的電路圖案。日本在全球光刻膠市場佔據超過70%的份額，地位獨步天下。正因如此，當在政治、經濟領域與其他國家發生衝突時，日本政府最先拿出的施壓手段往往就是光刻膠。2019年將韓國從白名單(出口審查優待國)中排除時，日本在半導體領域最先封鎖的也正是光刻膠。有分析認為，近期展現活力的中國半導體產業整體也將失去活力。日本的感光劑出貨中斷被評價為讓中國連製造各種半導體的第一顆紐扣都無法扣上，更是如此。中芯國際等在全球市場份額中反彈的晶圓代工(半導體委託生產)，以及長鑫儲存等記憶體企業，預計都將受到不小的打擊。業界相關人士表示:“特別是記憶體，近期隨著 DRAM 價格的暴漲，長鑫儲存等中國企業正顯示出增建工廠、擴大產能的動向，但日本的出口限制措施也可能成為絆腳石。”日本對中國的半導體相關出口管制，可能從光刻膠開始逐步擴大範圍。據日本《日經新聞》報導，日本代表性半導體企業“鎧俠”最近已停止進口中國產的 DRAM等儲存器。公司一名高管解釋稱:“出於質量和安全方面的擔憂我們停止了進口。 (半導體材料與工藝裝置)

11月23日，在第二十二屆中國國際半導體博覽會上，長鑫儲存發佈了DDR5和LPDDR5X兩大產品系列。其中，DDR5產品最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量為24Gb，並配套推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM和TFF MRDIMM等七種模組產品，應用場景覆蓋伺服器、工作站及個人電腦。與此同時，長鑫儲存還推出了LPDDR5X產品線，其最高速率可達10667Mbps，最高顆粒容量為16Gb，並提供從12GB到32GB的多種容量方案，進一步豐富了其在移動儲存領域的佈局，也就是說，長鑫儲存終於殺出來了。此次發佈標誌著中國國產DRAM晶片在技術參數上已接近國際主流水平，但長鑫儲存在全球市場份額方面仍處於追趕階段，並面臨國際巨頭的壟斷和供應鏈限制等壓力。目前，長鑫儲存正通過快速擴產來提升市場地位。據Trendforce資料顯示，到2025年底，該公司產能將達到30萬片/月，同比增長近50%。Counterpoint資料顯示，長鑫儲存今年DRAM出貨量同比增長50%，市場份額預計將從一季度的6%提升至四季度的8%。在細分市場方面，長鑫儲存DDR5市場份額預計從一季度不足1%上升至年底的7%，LPDDR5市場份額從0.5%增至9%。長鑫儲存相關負責人表示，DRAM需求的增長對市場供給和價格產生了較大影響，中國需要穩定的中國國產DRAM產能供應，通過產能擴張和規模效應來減少對海外廠商的依賴。全球DRAM市場集中度較高，三星、海力士、美光三家企業合計市佔率超過90%。根據興業證券研報分析，儲存晶片具有大宗商品屬性，價格呈現周期性波動特徵。近期，儲存晶片價格持續上漲。據DRAMexchange資料，DDR5現貨平均價格從9月底的7.676美元升至11月初的20.938美元，同時DDR4和NAND合約平均價格在9月也環比上漲了11%。因此，三星電子在11月調整了部分儲存晶片的價格，較9月漲幅最高達60%。SanDisk也在11月將NAND Flash合約價上調了50%，並預測NAND供需緊張狀況或將持續至2026年底。交銀國際研報進一步指出，DRAM價格強勢將至少延續至2026年三季度。長城證券分析認為，此次價格上漲主要源於頭部廠商對供應的調控以及AI需求推動產能向高階工藝轉移，導致傳統消費級儲存產能受到擠壓。值得注意的是，長鑫儲存的母公司——長鑫科技集團，其上市處理程序正在積極推進中。中國證監會官網10月發佈的資訊顯示，長鑫科技的上市輔導狀態已變更為“輔導工作完成”。此次輔導由中金公司與中信建投共同負責，從7月啟動輔導到完成，歷時約3個月。根據2024年3月的戰略融資情況，長鑫科技的估值約為1400億元。天眼查資訊顯示，長鑫科技成立於2016年，註冊資本約601.93億元，其股東包括基石資本、阿里巴巴等知名機構。具體來看，合肥清輝集電企業管理合夥企業、合肥長鑫積體電路以及國家積體電路產業投資基金二期位列前三大股東，持股比例分別為24.32%、12.43%和9.80%。與此同時，兆易創新與長鑫科技保持著密切的合作關係。兆易創新董事長朱一明曾擔任長鑫儲存首席執行官，並現任長鑫科技董事長。2024年3月，兆易創新更是以15億元參與了長鑫科技的新一輪融資，本輪融資投前估值約1399.82億元，增資價格為2.61元/每一元註冊資本。本輪融資包括合肥長鑫積體電路、合肥產投壹號股權投資合夥企業、建信金融資產投資等多名投資人，融資規模合計108億元。此外，兆易創新自2019年起便與長鑫集團開展DRAM業務合作，從長鑫儲存等子公司採購代工生產的DRAM產品，並在2025年度預計達成1.61億美元的交易額度。中信證券指出，DRAM市場目前仍由韓美廠商佔據主導地位，但長鑫儲存的技術正在加速追趕。其產能在2024年實現了翻倍增長，未來若成功上市，有望進一步推動擴產，並逐步提升裝置中國國產化率。在這樣的背景下，長鑫儲存已推出多款商用DRAM產品，應用於移動終端、電腦、伺服器、虛擬現實和物聯網等領域。今年10月，長鑫儲存宣佈量產LPDDR5X產品。其中8533Mbps和9600Mbps速率產品已於5月實現量產，而10667Mbps速率產品也已啟動客戶送樣。現如今，長鑫儲存依託中國大陸的成本和規模優勢，在技術迭代與產品佈局方面正逐步縮小與國際廠商的差距。 (AI硅基未來)

據外媒報導，在中國廠商長鑫儲存在 IC China 正式發佈最新 DDR5 和 LPDDR5X 產品後， 韓國媒體Business Korea 援引專家觀點分析認為，儲存晶片領域，中國與韓國的差距正在拉平之中。Business Korea 報導稱：長鑫儲存的 DDR5 最高速率達 8,000Mbps、最高顆粒容量 24Gb，性能可媲美三星和 SK 海力士最新 DRAM。今年稍早時，市場曾出現由中國企業生產的少量 DDR5 產品，但這次是長鑫儲存作為代表，首度正式展示實際產品。韓國半導體產業人士指出，長鑫儲存展示 DRAM 性能值得關注，其 DDR5 最大速度 8,000 Mbps，比上一代產品（6,400 Mbps）提升 25%，在技術路線上至少已追上韓國 DRAM 公司。長鑫儲存的性能足以應用於搭載最先進 CPU 的伺服器。Business Korea 還引述日經及研調機構 Counterpoint Research 的資料稱，長鑫儲存第三季 DRAM 市佔率達 8%，排名第四。在 NAND 部分，另一家中國廠商長江儲存第三季市佔率為 13%。長鑫儲存 DRAM 月產能為 27 萬片，約三星（64 萬片）和 SK 海力士（51 萬片）的 42–53%。外界預期，長鑫儲存全面量產 DDR5 與 LPDDR5X 有望降低儲存器熱潮的強度，但也將衝擊韓國公司在中國的銷售。Business Korea 報導指出：以去年為例，韓國兩間公司在中國的總銷售額為 87 兆 3,000 億韓圜（1億韓元大約為50萬人民幣，即接近4300億元人民幣），約佔兩家公司合計總銷售額的 23.7%。由於美國封鎖 EUV 等關鍵裝置出口中國，中國廠商技術發展有所受限，但與韓國在通用 DRAM 市場的技術差距約不到一年。長鑫儲存內部人士表示，新產品將成為替代方案，降低對海外公司的依賴。Business Korea 認為，隨著 2030 年迎來 3D DRAM 時代，競爭關係可能又會出現變數。3D DRAM 是將儲存晶片單元向上堆迭的產品，當 3D DRAM 時代來臨時，對 EUV 曝光裝置的需求將下降，這可能成為中國廠商超車的機會。韓國中國經濟與金融研究院院長 Jeon Byeong-seo 認為，如果五年後能商業化不需 EUV 的製程技術，目前的技術差距可能瞬間縮小。首爾大學材料科學與工程系 Hwang Cheol-seong 教授也表示，單看儲存晶片技術水平，韓國與中國的差距幾乎已經消失。當不需要 EUV 曝光裝置的 3D DRAM 時代在五年後到來時，中國將進一步崛起。 (芯聞眼)

當長鑫儲存在 IC China 2025 展會上亮出 8000Mbps 速率、24Gb 容量的 DDR5 新品，不僅以 “速率提升 25%、容量突破常規” 的性能指標躋身國際第一梯隊，更在全球儲存晶片漲價潮與技術壟斷的雙重背景下，撕開了一條中國國產替代的關鍵缺口。這款覆蓋伺服器、PC 全場景的產品，與其說是一次技術發佈，不如說是中國半導體產業在核心賽道對全球巨頭的正式宣戰，標誌著 DRAM 領域 “韓美主導” 的格局開始出現鬆動。新品的核心突破，在於精準擊中了當前市場的供需痛點與技術瓶頸。從性能維度看，8000Mbps 速率已遠超 6400Mbps 的行業主流基準，直接滿足 AI 訓練、雲端運算等高算力場景對低延遲、高頻寬的剛需 —— 在 AI 推理任務中，這種性能躍升可使並行請求處理效率提升 30% 以上。而 24Gb 大容量顆粒的推出更具戰略價值，能讓資料中心在不增加物理插槽的前提下實現記憶體擴容，完美匹配 Open AI、阿里雲等巨頭對大模型載入能力的迫切需求。更關鍵的是，這款產品同步覆蓋伺服器與 PC 終端，形成全場景佈局，這與三星、美光當前側重高端伺服器市場的策略形成差異化競爭。在全球儲存市場 “量價齊升” 的特殊周期下，長鑫的突破更顯及時。當前三大巨頭壟斷全球 90% 以上的 DRAM 產能，為應對此前行業下行周期，三星、美光等自 2024 年起持續減產，SK 海力士甚至將 30% 晶圓產能轉向高利潤的 HBM 產品。供給收縮疊加 AI 驅動的需求爆發，直接引發價格失控：DDR4 價格年內飆升 300%，DDR5 現貨一周暴漲 25%，SK 海力士 HBM4 報價較前代上漲超 50%。長鑫此時放量高端 DDR5，不僅能緩解中國 “卡脖子” 困境，更能通過產能補充打破巨頭的價格操控 ——Counterpoint 預測其 DDR5 市場份額將從年初不足 1% 躍升至年底 7%，成為制衡市場的關鍵力量。更深層的意義在於，這款產品推動中國國產儲存生態從 “單點突破” 走向 “系統協同”。此前 DDR5 在中國普及受阻，核心癥結在於 CPU、主機板等配套生態滯後於國際 —— 英特爾 2022 年就要求至強處理器必須搭配 DDR5，而中國資料中心仍大量沿用 DDR4 平台。長鑫新品的發佈將形成 “技術牽引效應”：其與中國國產 CPU 廠商的適配測試已進入收尾階段，配合華為鯤鵬、海光資訊等平台的推廣，有望加速中國算力基礎設施的 DDR5 升級處理程序。這種生態協同至關重要，在金融高頻交易、5G 基站等場景中，全端中國國產化的 DDR5 方案可將資料傳輸延遲降低 40%，顯著提升核心系統競爭力。但在樂觀預期背後，長鑫仍需突破三重挑戰。首先是產能爬坡壓力，當前其 DRAM 產能雖較 2024 年翻倍，但相較於三星單廠百萬片的月產能仍有差距，短期內難以完全滿足中國需求。其次是生態壁壘突破，輝達 GPU 與三星 DDR5 的深度最佳化已形成使用者習慣，長鑫需通過相容性測試與性能認證建立信任。最後是專利風險，全球儲存巨頭手握數萬項核心專利，如何在自主研發與專利規避間找到平衡，將決定其全球化處理程序的順暢度。從全球產業格局看，長鑫的突破恰逢 “百年未有之變局”。日本市場正陷入 “股債匯三殺” 的流動性危機，而韓國半導體則面臨外資撤離壓力，全球科技產業鏈正經歷深刻重構。長鑫此時的技術躍升，不僅為中國在儲存領域爭取到話語權，更能吸引全球資本向中國國產供應鏈傾斜 —— 中信證券指出，長鑫上市後有望拉動裝置、封測等產業鏈環節中國國產化率提升，形成千億級市場機遇。長鑫儲存的 DDR5 新品，是中國國產晶片產業的里程碑式突破。它不僅用 8000Mbps 的速率證明了中國企業的技術實力，更在全球儲存市場的亂局中注入了穩定性力量。對於中國而言，這是擺脫外資依賴、建構自主算力底座的關鍵一步；對於全球市場而言，這是打破壟斷、重構產業生態的重要變數。在 AI 算力競爭白熱化的今天，儲存作為 “算力糧倉” 的戰略價值日益凸顯，長鑫的突圍，正是中國科技產業從 “跟跑” 向 “並跑” 跨越的生動註腳。 (A股資訊圈)

周末，儲存晶片領域傳來一則好消息！11月23日，在第二十二屆中國國際半導體博覽會（IC China）上，長鑫儲存發佈了最新的DDR5產品系列，最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb。同時，長鑫儲存還在現場展示了最高速率10667 Mbps、最高顆粒容量16Gb的最新LPDDR5X移動端記憶體。多家行業媒體稱，上述兩大產品系列速率、容量雙維度均位居業界第一梯隊，標誌著國產儲存晶片具備與國際一線大廠同台競技的技術實力。長鑫儲存發佈DDR5記憶體新品據長鑫儲存官網消息，在11月23日開幕的第二十二屆中國國際半導體博覽會（IC China）上，長鑫儲存以“雙芯共振，5力全開”為主題，首次全面展示DDR5和LPDDR5X兩大產品線最新產品。長鑫儲存發佈了最新的DDR5產品系列：最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb，並推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模組及新型產品，覆蓋伺服器、工作站及個人電腦等全場景領域，滿足各領域的高端市場需求。長鑫儲存同台展出了近期發佈的LPDDR5X產品，該系列針對移動市場旗艦產品，最高速率10667Mbps，最高顆粒容量16Gb，並涵蓋12GB、16GB、24GB、32GB等容量的多種封裝解決方案。長鑫儲存表示，公司通過DDR與LPDDR雙線創新突破，將進一步豐富全球儲存晶片的供給，為下遊客戶創造多元價值選擇。長鑫儲存將持續深耕技術迭代，精準響應市場需求，以自主實力引領產業生態協同升級。公開資料顯示，長鑫儲存是一家一體化儲存器製造公司，專注於動態隨機存取儲存晶片（DRAM）的設計、研發、生產和銷售。長鑫儲存總部位於安徽合肥，在國內外擁有多個研發中心和分支機構。長鑫儲存已推出多款DRAM商用產品，廣泛應用於移動終端、電腦、伺服器、虛擬現實和物聯網等領域。今年10月 ，長鑫儲存宣佈已量產LPDDR5X產品。當時，長鑫儲存在IEEE 2025 ASICON會議上分享了LPDDR5X產品的最新進展。目前，長鑫儲存LPDDR5X的產品陣容包括顆粒、晶片及模組等形態。其中顆粒包括12Gb和16Gb兩個容量點。晶片形態提供了覆蓋12GB、16GB、24GB等多個容量點的解決方案。模組形態的LPCAMM產品容量為16GB和32GB。LPDDR5X產品的速率覆蓋了8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps，同時相容LPDDR5。長鑫儲存透露，目前，8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X產品已於今年5月量產，10667Mbps速率的產品已經啟動客戶送樣。儲存晶片價格持續上漲最近幾個月，全球儲存晶片價格持續上漲。據DRAMexchange資料，近期主要儲存原廠陸續暫停DDR5合約報價，DDR5（16Gb）現貨平均價格已從9月底的7.676美元升至11月7日的20.938美元。DDR4（8Gb）和NAND（128Gb MLC）的合約平均價格也在9月環比上漲11%。儲存廠SanDisk（閃迪）在11月將NAND Flash合約價上調50%，公司在11月公佈強勁業績的同時，預測NAND供不應求的趨勢或將持續到2026年年底。另外，有消息稱，受全球人工智慧資料中心建設熱潮影響，三星電子11月大幅上調部分儲存晶片價格，較9月份漲幅最高達60%。作為全球最大的儲存晶片製造商，三星曾在10月決定推遲正式公佈供應合同定價——通常情況下，該公司每月都會公佈定價細節，此次漲價正是在此之後。路透社指出，這些主要應用於伺服器的儲存晶片價格飆升，可能進一步加劇大型企業在擴建資料中心基礎設施過程中面臨的壓力，同時也可能推高智慧型手機、電腦等其他終端產品的製造成本——此類晶片亦被廣泛用於上述裝置中。日前，交銀國際發佈研報，維持對儲存價格將繼續堅挺的判斷，認為DRAM的強勁價格將至少延續至2026年三季度，並預計NAND價格將繼續保持強勁到至少2026年三季度（之前預計為2026年上半年）。同時，交銀國際認為，儲存價格的上漲或將繼續令智慧型手機、消費電子等公司的利潤水平承壓。長城證券表示，此次NAND Flash的價格大幅增長，一方面源於頭部儲存廠商通過主動調控供應來扭轉此前因供過於求導致的價格低迷局面，從而提升盈利能力；另一方面，受AI對儲存容量需求急速攀升的影響，儲存廠商將更多產能轉向更高階的工藝，造成傳統消費級儲存產能受到擠壓。根據Omdia的年度NAND快閃記憶體產量資料，三星電子已將今年的NAND晶圓產量目標下調至約472萬片，較去年的507萬片減少約7%。鎧俠也將年產量從去年的480萬片調減至469萬片。Omdia預計，三星和鎧俠的減產趨勢將持續到明年。SK海力士的NAND產量已從去年的約201萬片降至約180萬片，降幅約10%；美光也採取保守的供應策略，將其最大NAND生產基地新加坡Fab 7工廠的產量維持在約30萬片的較低水平。根據閃迪的最新業績會，該公司指出，NAND需求顯著超過供應，這一態勢自2025年起已顯現，並將持續貫穿整個2026年日歷年，甚至可能延續至2027年及以後。公司預計2026年資料中心市場的位元需求將同比增長40%以上，增長主要源於客戶在資料中心和邊緣側尋求更高的AI推理能力，對解決AI推理儲存問題的創新方案需求激增。此外，已有客戶主動尋求長期供應保障，部分已開始洽談2027年供貨協議，因此，受益AI需求持續旺盛，儲存高景氣度有望延續至2027年。 (券商中國)