#長鑫
中國晶片最大IPO,要來了
繼摩爾、沐曦之後,2026年A股還有令人沸騰的IPO誕生?答案是——已經來了,一個比摩爾沐曦加起來還大的IPO即將到來。近期一則消息:長鑫科技遞交科創板IPO申請已於2025年12月30日獲受理,申報過程使用了預先審閱機制。一句話介紹長鑫科技:中國大陸規模最大、技術最先進的DRAM(動態隨機存取儲存器)晶片研發設計製造一體化企業。長鑫科技IPO規模多大?長鑫科技IPO前估值已經來到了約1500億元。參照摩爾沐曦,摩爾Pre-IPO輪投前估值為246.2億元,沐曦約為沐曦股份約210.71億元,二者相加才等於長鑫科技的“零頭”。按照摩爾線程上市首日漲400%,沐曦首日漲692%,市值紛紛來到千億元的邏輯來看。長鑫科技所在的賽道前景、市場卡位均比二者更有想像力,估值邏輯只會更大。在火熱行情下,長鑫科技此次上市會拿下一個兆IPO嗎?從擬募集資金看來,長鑫科技為295億元。這一金額也是科創板開板以來募資規模第二大的IPO項目。第一是中芯國際,當年募資約532.3億,2025年9月時市值一度衝破兆元大關。財富盛宴像接力賽般湧來,長鑫科技的上市或將市場推至另一個高峰。3次巨額融資,擠進“全明星”股東長鑫科技創辦於2016年。招股書顯示,公司註冊資本高達601.9億元,背後股東名單多達60位,期間有過8次股東變化,僅重磅融資就發生了3次。2020年,長鑫科技一舉完成156.5億元的巨額A輪融資,震動市場。投資方多達十多家,引入了多名合肥國資以外的投資人,比如招商證券、TCL創投、建銀國際、國壽投資、人保資本、招商致遠資本、農銀投資、招銀國際資本、小米長江產業基金、君聯資本、中金資本、國家積體電路產業投資基金、普羅資本、海通開元等。2022年,長鑫科技又完成C+輪融資,募資83.9億,投後估值為1077.89億元。這輪融資也陸續進場了騰訊投資、華登國際、阿里巴巴、中郵保險、和諧健康、東方資管、偉星集團、君和資本、深投控、前海母基金、大灣區共同家園發展基金、水木基金、陽光保險等非合肥系國資。2024年3月,長鑫科技完成108億融資,投後估值約1500億元。除了兆易創新投資的15億元外,還有合肥長鑫積體電路有限責任公司、合肥產投壹號股權投資合夥企業(有限合夥)、建信金融資產投資有限公司等多名投資人參與出資。無論是156億、83.9億、108億元,長鑫科技每一輪融資金額均比得上一家獨角獸企業IPO募資額度。長鑫科技背後股東是一份“全明星”名單,涵蓋了各級國有機構、市場化VC/PE、產業巨頭、金融機構。當中,國有股東合計持股超過36%,無實際控制人。長鑫科技,何以撐起如此巨大的估值?作為中國大陸規模最大、技術最先進的DRAM IDM企業,長鑫科技已經躋身全球第四大DRAM廠商。它打破了由三星、SK海力士、美光壟斷數十年的“三足鼎立”格局。尤其它已獲得關鍵市場份額。其DDR4產品在2024年已佔據全球約5%的市場份額,並預計持續提升。在半導體這種“贏家通吃”的行業,從0到1的突破性份額價值連城。更具里程碑的是,巨額投入已見成效,長鑫科技逐漸從虧損中走出來。2022年、2023年及2024年,公司歸母淨利潤分別為-89.80億元、-69.01億元和-55.26億元。而根據最新預測,公司預計將在2025年實現全年淨利潤20億至35億元的歷史性盈利拐點。這背後的收入規模呈爆炸式增長:2024年收入達241.78億元,預計2025年將躍升至550-580億元,實現翻倍以上增長。這種增速在全球重資產半導體企業中也是罕見的。此時,長鑫科技的上市還恰逢另一股東風:行業“史上最強”的漲價周期。2026年初,因AI伺服器需求爆發,全球DRAM巨頭計畫大幅提價60%-70%,行業進入強景氣周期。長鑫科技作為主要供應商,將直接受益於量價齊升。就有相關報導稱,DRAM正化身“電子茅台”,開年後“一天一個價”。行業內形容:“如果一次採購100根,裝在一個盒子裡,就是400萬元,價值已經超過上海不少房產。”漲價潮背後核心驅動力在於,AI伺服器對高頻寬記憶體和標準DDR5記憶體的需求呈指數級增長,而全球產能擴張有限。據行業分析,一台高端AI伺服器的DRAM容量是普通伺服器的8-10倍。如今,長鑫科技已成功研發出LPDDR5L系列產品,使其得以站上這波浪潮之巔。總而言之,長鑫科技估值背後,既包含著市場的想像空間,也對應出投資者對中國半導體自主化的深切期待。鹽城大佬朱一明尋根問祖,長鑫科技的由來還得從鹽城大佬朱一明開始說起。朱一明,1972年出生於江蘇鹽城,先後在清華大學獲得現代應用物理學士及碩士學位,後赴美國紐約州立大學石溪分校深造,獲得電子工程系碩士學位。這為他奠定了紮實的物理與工程學基礎。在美國期間,他曾在半導體公司iPolicy Networks任工程師,親身體驗了矽谷的晶片創新生態。這段經歷讓他深刻理解了半導體產業的核心邏輯:技術驅動、全球競爭、贏家通吃。朱一明攀爬了兩座大山。第一座是兆易創新。2005年,朱一明帶著技術和夢想回國,在北京清華科技園創立了芯技佳易微電子(GigaDevice),即兆易創新的前身。他避開了當時巨頭林立的CPU、記憶體等紅海,選擇了市場規模較小但增長迅速的NOR Flash(程式碼型快閃記憶體)領域。這是當時手機、DVD等裝置儲存啟動程式碼的關鍵晶片。創業維艱,公司一度瀕臨資金鏈斷裂。轉機出現在2008年,他帶領團隊成功研發出國內首顆Serial NOR Flash(序列快閃記憶體)晶片,性能比肩國際大廠,就此打開了市場。一位早期投資人事後回憶:“他當時拿著demo板,眼裡是有光的。”憑藉持續的技術創新和市場開拓,兆易創新於2016年在上海主機板成功上市,並逐漸成長為全球排名前三的NOR Flash供應商。當時的朱一明,已功成名就。但他未就此止步,在兆易創新如日中天之時,朱一明卻做出了一個讓業界震驚的決定:二次創業,攻克被全球三大巨頭壟斷的DRAM。這是半導體領域投資最大、技術最密、風險最高的“無人區”。All in的抉擇發生在2016年。他逐漸淡出兆易創新的日常管理,將全部精力投入新項目長鑫科技中。為了表明決心,他公開承諾:在長鑫科技實現盈利之前,不領取任何薪酬和獎金。這一宣誓頗有“破釜沉舟”的意味。朱一明的技術路線也很巧妙。面對嚴密的技術專利封鎖,長鑫科技從已破產的德國奇夢達公司,合法購買其遺留的數千份技術專利,並在此基礎上進行深度研發與創新。這既規避了專利地雷,又獲得了寶貴的技術起點。從0到1的突破發生在2019年9月,長鑫宣佈首批10nm級(19nm)DDR4記憶體晶片量產,標誌著中國大陸在DRAM領域實現零的突破。這一刻,被無數產業人銘記。在半導體領域連續攀登兩座高山,朱一明也已成能人。在硬科技領域,頂尖的技術判斷力、堅定的戰略耐心、以及將個人信譽與宏大事業繫結的擔當,是比短期商業利潤更寶貴的稀缺資源。這也是長鑫科技千億估值背後,關於“人”的故事中最具說服力的一章。“合肥模式”又誕生一標竿案例實際上,長鑫科技的起步背後除了有朱一明這樣的掌舵者外,還有一位大膽風投——合肥市政府。項目的啟動需要大量資金。關鍵時刻,合肥市政府展現了非凡的戰略眼光,同意出資啟動資金的3/4,約135億元。兆易創新則出資了剩下的1/4。相當於,合肥市政府承接了早期最高的“死亡風險”,讓朱一明團隊得以在技術、專利、人才等幾乎一片空白的基礎上,啟動這個需要數百億資金、數年才有望見效的超級工程。沒有這一步,後續一切社會資本都無從談起。根據招股書資料,多個合肥市政府基金直接投資長鑫科技。包括:合肥長鑫積體電路有限責任公司屬於合肥市屬國資,股份佔比11.71%;合肥產投壹號股權投資合夥企業(有限合夥)屬於合肥產投旗下基金股份佔比1.85%;合肥建長股權投資合夥企業(有限合夥)是合肥建投旗下基金,股份佔比1.50%,合肥產投高成長壹號股權投資合夥企業(有限合夥)是合肥產投旗下基金,佔比0.06%。合肥還通過間接持股公司第一大股東“合肥清輝集電企業管理合夥企業”,持股21.67%。清輝集電完全由合肥國資體系(通過合肥產投和長鑫整合)控制,應全部計入合肥國資的權益。另外,安徽省投資集團控股有限公司股份佔比也達到7.91%。綜上,合肥市政府屬於長鑫科技背後的最大資本方。合肥豪賭的背後,有兩個考量。一,對朱一明個人信譽、技術判斷力和執行力的高度認可。一位合肥產投的負責人曾表示:“我們投的是朱一明這個人,和他背後代表的那個可能性。”二,和京東方、蔚來一樣,“合肥模式”的目標從來不是培育單個企業,而是打造具有全球競爭力的產業叢集。以長鑫科技為“鏈主”,合肥現已經系統性地在本地及周邊引進和培育了材料、裝置、封裝、測試等上下游配套企業,如至純科技、江豐電子等。此外,還有合作。比如,2023年合肥設立了安徽省新一代資訊技術產業基金。這支總規模300億的產業基金,以母子基金架構運行。其中母基金規模不低於125億元,管理人正是長鑫科技旗下CVC——長鑫芯聚。該母基金已向合肥經開區旗下的海恆新興產業基金出資12.85億元,以支援區域內的新一代資訊技術和未來產業項目。一項標誌性合作是設立“合肥啟航恆鑫基金”。該基金由長鑫科技旗下啟航鑫睿私募基金管理公司管理,總規模達10.625億元。其投資人名單是一個微縮的“長鑫生態圈”:既包括廣鋼氣體、上海新陽等核心供應商,也涵蓋了安徽省新一代資訊技術產業基金、合肥產投等地方政府資本,還有國元證券等金融機構。這意味著,長鑫科技不僅是一家製造企業,更成為產業組織者。可以看到,作為產業龍頭的長鑫科技,正通過其產業洞察力和資本影響力,反哺合肥,共同鍛造一條頗有競爭力的半導體產業鏈。放在合肥版圖來看,長鑫科技是繼京東方、蔚來之後,合肥政府通過牽頭投入啟動資金,培育出行業龍頭的又一標竿案例。 (華爾街見聞)
美光:仍在消費級儲存有業務,中國儲存廠商表現出色
美光是全球最大的記憶體製造商之一,在人工智慧(AI)和消費級市場均憑藉行業領先的產品佔據主導地位。隨著AI領域對DRAM(動態隨機存取儲存器)模組的需求激增,有一種觀點認為記憶體供應商應對此局面負責。近日,美光行銷、移動及客戶端業務部門副總裁克里斯托弗·穆爾在接受採訪時介紹了記憶體短缺的相關情況。儘管投入巨大,記憶體短缺2028年前難有改善對於美光為何退出了“英睿達(Crucial)”消費級業務,記憶體供應商是否更傾向於服務AI領域而忽視消費者?穆爾的回應如下:  “首先,我希望幫助大家理解,至少從我們的角度來看,這種認知可能並不完全精準。我從不希望指手畫腳或否定他人的想法,但我們的立場是始終致力於為全球消費者提供支援,只是換了不同的管道。我們在客戶端和移動市場仍保有相當規模的業務,同時也在為資料中心客戶提供服務。”“當前,資料中心的總體潛在市場(TAM)正以驚人的速度增長,作為企業,我們也希望助力這一市場的發展。”  美光表示,其原始裝置製造商(OEM)消費級管道佔據了公司市場份額的很大一部分。可能有部分使用者對此並不瞭解:美光直接向戴爾、華碩等整合商供應LPDDR5等記憶體模組,這些製造商隨後會將這些模組重新封裝到自己的產品設計中。穆爾稱,儘管退出英睿達業務給外界造成了“美光拋棄消費者”的印象,但實際上,這家美國製造商通過OEM模式仍在消費級供應鏈中佔據重要地位。穆爾表示,美光與所有PC品牌都保持著記憶體模組供應合作,但目前無法忽視來自AI領域的需求。美光及其他廠商紛紛佈局AI行業的核心原因是,DRAM製造商的總體潛在市場(TAM)正快速擴張,從商業角度而言,美光無法忽視這一領域日益增長的需求。“目前,各類資料中心正在加速建設,企業級或資料中心業務的總體潛在市場(TAM)佔比不斷提升——過去是30%、35%,後來達到40%,如今已增至50%、60%,整個市場對儲存容量的需求遠超以往。而整個行業都面臨供應短缺的問題,這一點值得大家理解。”  “這並非美光一家的問題,而是全行業的挑戰。我們與同行及競爭對手都在盡力滿足這些領域的需求,但供應總量確實無法覆蓋所有需求,這是一個非常遺憾的局面。但我認為至關重要的是,大家要知道我們仍在服務消費級市場。”在訪談中,穆爾強調AI領域的重要性不容忽視,但與此同時,美光也在盡最大努力滿足消費者需求。不幸的是,DRAM需求的突然激增導致了短缺,讓美光等企業幾乎沒有時間調整供應鏈。為何工廠擴建無法短期內解決記憶體短缺談及產能擴張,這絕非簡單地在供應鏈中添置新裝置就能增加DRAM產量。美光表示,當前短缺問題的核心癥結在於需要解決記憶體模組的容量多樣性需求——簡單來說,若蘋果同時需要8GB、12GB和16GB的模組,美光就必須切換裝置以滿足不同產出要求,這會導致產能下降。在AI熱潮興起前,供應商別無選擇,只能滿足各類定製需求,但如今市場格局已發生變化。“大家可以想像一下:如果一家工廠的多台裝置都在生產某一種晶片,之後卻不得不停止這些裝置,轉而生產另一種晶片,產出量必然會減少。實際情況雖更為複雜,但這是最通俗易懂的解釋。目前我們正在努力減少晶片的生產種類,儘可能降低差異化產品的數量,以最大化產能。同時,我們也在與客戶溝通協作。”“我們會告訴客戶:‘我們理解你們過去希望將記憶體從12GB升級到16GB,或從16GB升級到24GB,但這類頻繁調整會導致我們的產能下降。’因此,我們正與客戶合作,力求需求穩定,從而實現供應穩定,進而最大化產能。”  這一表述也印證了此前的報導——筆記型電腦和智慧型手機製造商目前正考慮限制記憶體配置選項。對美光而言,這是短期內確保穩定產能利用率的最佳解決方案。更重要的是,在AI熱潮下,鑑於客戶對計算能力的要求,DRAM代際切換的需求比以往任何時候都更為迫切,這意味著美光需要更頻繁地調整新裝置和生產機制。穆爾表示,美光的工廠擴建計畫要到2028年才能產生實質性效果。因為工廠建設和客戶認證需要大量時間,且AI客戶對技術和產能利用率的要求極高,新建工廠的流程變得更為複雜。“相關擴建計畫確實在推進中。但要大幅提升儲存容量產出,需要更多潔淨室空間,而這需要耗費大量時間。三年前,美光在愛達荷州的ID1工廠破土動工,原計畫2027年底投產,現已提前至2027年年中。但即便如此,在完成所有資質認證、客戶驗收、裝置偵錯及全面投產等工作後,要實現真正有意義的產出,還得等到2028年。”記憶體製造商們正爭相建設新的生產線,但流程限制最終迫使他們將時間表推遲多個季度。這意味著對普通消費者而言,DRAM短缺可能還會持續相當長一段時間,至少在AI需求開始回落之前難以緩解。美光與中國市場中國的長鑫儲存(CXMT)推出了DDR5解決方案,並計畫進行大規模首次公開募股(IPO)。長鑫儲存是全球第四大DRAM製造商,據報導其具備擴大DRAM產量的充足資源,因此有消息稱惠普可能會將長鑫儲存的記憶體模組整合到其消費級產品中。在被問及美光是否認為中國供應商會搶佔其在消費級市場的份額。穆爾表示,美光歡迎來自全球任何地區的競爭。“中國本土的供應能力多年來一直在逐步提升,這些廠商在其專注的市場領域表現出色。”“他們並非覆蓋所有市場,但在目標領域做得非常好。在我看來,競爭能讓我們變得更強大——我一直秉持這一觀點。如果遇到競爭,我們需要挺身而出、積極應對、精益求精。因此,我歡迎來自任何地區的競爭,無論其源自何處。這只會讓我們公司變得更好,也能幫助我們更優質地服務客戶。”美光表態明確,記憶體短缺前路漫漫 我們與美光的訪談聚焦於記憶體短缺的核心問題,尤其是從消費級市場的角度出發。綜合討論內容可以得出一個明確結論:DRAM短缺短期內不會消失。無論是供應商、原始裝置製造商(OEM)還是供應鏈中的其他環節,都處於困境之中,可供選擇的解決方案寥寥無幾。  與所有供應商一樣,美光正通過工廠擴建、DRAM工藝升級和供應鏈最佳化等措施來確保穩定供應,但這些努力的“成果”還需要很長時間才能惠及普通消費者。 (半導縱橫)
兩日雙響!豪威、兆易,清華系兩大半導體巨頭接連赴港敲鑼
兩日之內,港交所接連為兩大清華系半導體巨頭敲響上市鑼聲。港交所的敲鑼聲在兩日之內接連響起,奏響了清華系半導體軍團全球化的強音。1月12日,CMOS圖像感測器(CIS)龍頭豪威集團率先登陸港股;時隔僅一天,1月13日,儲存晶片龍頭兆易創新緊隨其後完成掛牌,兩家均出身清華系的A股半導體巨頭,以“背靠背”的姿態完成“A+H”雙資本平檯布局,這一波密集的上市動作並非偶然。在AI驅動儲存與感測需求爆發、全球半導體行業迎來量價齊升“超級周期”的關鍵節點,清華系雙巨頭的接連赴港,既是自身全球化戰略的關鍵落子,更折射出中國半導體企業借助資本力量搶佔產業高地的集體訴求。兩日雙響:清華系雙巨頭接連赴港掛牌2026年1月12日,豪威積體電路(集團)股份有限公司正式在香港聯合交易所主機板掛牌上市,成為今年上市的第一家“A+H”企業,同時也成為中國CIS領域首家實現“A+H”上市的企業,成就港股“圖像感測器第一股”。截至12日收盤,豪威集團在A股市值1616億元,在港股開盤價為108港元,較發行價上漲3.1%;收盤價為121.8港元,較發行價上漲16%;以收盤價計算,公司市值為1529億港元。1月13日,國記憶體儲晶片龍頭兆易創新正式登陸港交所,完成“A+H”雙資本平檯布局。此次上市發行價每股162.00港元(約合人民幣144.92元),開盤即漲45.06%至235.00港元(約合人民幣210.22元),總市值攀升至1637.40億港元(約合人民幣1465億元)。值得注意的是,截至前一交易日(1月12日)A股收盤,兆易創新總市值已達1749億元,兩地上市形成市值協同效應。同源清華:EE85班鑄就的造芯力量這兩家半導體巨頭的背後,都深深烙印著清華的印記。豪威集團的創始人虞仁榮,是清華大學電子工程系85班的傑出校友,在半導體行業蠻荒年代白手起家,締造出千億市值的行業龍頭;而豪威科技的前身,更是由同為清華電子工程系畢業的陳大同、洪筱英等人於1995年在美國創辦,憑藉全球首顆單晶片彩色CMOS圖像感測器一舉成名。兆易創新的清華基因同樣深厚。該公司由清華大學物理系校友朱一明創辦,聯合創始人舒清明同樣出自清華EE85班,與虞仁榮師出同門。值得一提的是,作為清華畢業的朱一明,不僅執掌兆易創新,同時還擔任中國DRAM 龍頭長鑫科技的董事長,一人掌舵兩家國記憶體儲領域的核心企業。我們能夠看到,當前國記憶體儲領域正處於從技術突破到產能落地的關鍵階段,在全球儲存晶片超級周期背景下加速推進自主化處理程序,而朱一明的雙重任職,恰好串聯起儲存晶片設計與DRAM自主研發兩大核心環節,形成“設計+製造”的協同聯動。除了虞仁榮、舒清明,卓勝微電子馮晨暉、格科微趙立新等十餘位上市公司創始人或高管均出自此屆,橫跨CIS、射頻、儲存等核心賽道。從豪威到兆易,兩日之內的接連敲鑼,不僅是兩家企業的高光時刻,更是清華系“聚是一團火,散是滿天星”造芯生態的集中展現。豪威科技:中國國產CIS龍頭豪威集團是一家全球化Fabless半導體設計公司,專注於半導體產品及解決方案的設計與銷售,主要提供圖像感測器解決方案、顯示解決方案及模擬解決方案。公司產品廣泛應用於智慧型手機、汽車、醫療、安防及新興市場(機器視覺、智能眼鏡及端側AI)等領域。業績方面,2023年、2024年、2025年前6個月,豪威集團營收分別為209.84億元、257.07億元和139.44億元。相應的淨利潤分別為5.44億元、32.79億元和20.20億元。其中,圖像感測器解決方案業務撐起了豪威集團營收的三分之二。2022年—2024年,該業務帶來的應收分別為136.74億元、155.35億元和191.9億元,分別佔總收入的68.3%、74%和74.7%。根據Frost&Sullivan資料,按2024年圖像感測器解決方案收入計,公司是全球第三大數字圖像感測器供應商,市場份額為13.7%。豪威集團表示,業績增長主要得益於公司緊抓市場機遇,快速提升汽車智能駕駛領域滲透率,以及在全景與運動相機等智能影像終端應用市場的顯著擴張。其中,公司推出的800萬像素CMOS圖像感測器OX08D10已成功進入輝達供應鏈。小米、華為等手機品牌的旗艦產品,都搭載了公司感測器。海外是豪威集團的主戰場。2022年至2024年,其來自中國大陸的營收佔比分別為16.7%、13.9%和15.0%,相應地,境外收入佔比則高達83.3%、86.1%和85.0%。對於此次IPO,公司明確提到,赴港上市是為了加快公司的國際化戰略及海外業務發展。兆易創新:踩准儲存超級周期,端側AI搶先佈局兆易創新是全球領先的晶片設計公司,“感存算控連”佈局不斷深化。該公司於2005年創立,是全球領先的Fabless晶片供應商,主營產品包括Flash、利基型DRAM、MCU、模擬晶片和感測器晶片, 以及完整的系統及解決方案等。兆易創新的上市時點,恰好踩中全球儲存晶片行業的復甦上行周期。這場由AI需求爆發驅動的超級周期,不僅打破了傳統儲存行業的供需平衡,更重新定義了產業競爭格局。根據最新市場資料,2025年第四季度DRAM合約價格同比上漲超過75%,部分產品如DDR5單月漲幅突破102%,DDR4漲幅超過92%。這場"漲價風暴"的背後,既有AI伺服器對儲存需求的指數級增長,也有國際巨頭產能戰略調整帶來的供給結構性短缺,更有地緣政治因素對全球供應鏈的深刻影響。行業紅利已直接傳導至兆易創新的業績表現。財務資料顯示,2023年受行業周期低谷影響,公司淨利潤一度收縮至1.61億元,而2024年迅速回暖,實現收入73.56億元、淨利潤11.01億元,同比大幅反彈;2025年上半年延續向好態勢,實現收入41.50億元、淨利潤5.88億元。值得關注的是,即便在行業低谷期,兆易創新仍堅持加大研發投入,2022年至2024年研發開支從9.36億元增至11.22億元,2025年上半年達5.68億元,為技術突破奠定基礎。截至2025年6月30日,公司擁有1556名技術僱員,佔總僱員數的73.2%,中國註冊專利達1016項。作為公司核心支柱,專用型儲存晶片貢獻了超過59%的收入,且毛利率已從2023年的30.3%回升至2025年上半年的36.9%。東海證券分析指出,國際大廠向高端儲存產品傾斜產能,為兆易創新在利基儲存市場創造了供給空缺,公司相關產品快速切入細分場景,成為業績復甦的核心動力。不同於國際巨頭聚焦AI伺服器高端儲存,兆易創新憑藉“全品類覆蓋+生態協同”的差異化策略,在端側AI領域搶佔先機。根據弗若斯特沙利文報告,以2024年銷售額計,兆易創新是全球唯一一家在NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM和MCU四大領域均躋身全球前十的積體電路設計公司,其中NOR Flash、SLC NAND Flash、MCU三項位列中國第一,利基型DRAM、指紋感測器晶片位列中國第二。清華系造芯潮起,多家企業衝刺IPO一場由清華系主導的半導體上市潮,正席捲而來。另一家由朱一明於2016年創辦的長鑫科技,科創板IPO申請也已獲受理。作為中國大陸少數具備DRAM自主研發與量產能力的企業,長鑫填補了中國在高端儲存晶片領域的戰略空白。此次IPO擬募資295億元,規模位居科創板歷史第二。與此同時,AI晶片新銳燧原科技已完成IPO輔導,正籌備申報科創板。公司創始人趙立東正是EE85班的一員。曾在AMD、紫光集團等任職多年後,趙立東於2018年在上海創立燧原科技,聚焦雲端AI訓練與推理晶片,致力於為通用人工智慧打造算力底座。 (半導體產業縱橫)
華爾街日報:中國公司挑戰世界儲存晶片巨頭
The Chinese Company Taking On the World’s Memory-Chip Giants隨著人工智慧需求推高價格,CXMT克服了華盛頓的限制,與美光和韓國領先企業展開競爭。長鑫儲存的首款 12 英吋 DRAM 記憶體晶圓在中國合肥舉行的 2024 年世界製造業大會上展出。在中國合肥舉辦的一場展會上,DRAM記憶體晶圓正在展出。 圖片來源:Cfoto/DDP/Zuma Press中國儲存晶片製造領域的全國領軍企業在取得重大技術進步後,正準備進行 40 億美元的股票發行,這顛覆了由韓國和美國公司主導的行業格局。長鑫儲存科技(CXMT)此次推出的晶片供應是本世紀晶片製造商規模最大的供應之一,對於在人工智慧熱潮期間記憶體晶片短缺的科技公司來說,這無疑是個好消息。人工智慧資料中心一直在佔用原本用於電腦、遊戲機和智慧型手機製造商的晶片產能,從而推高了美國消費者的晶片價格。儘管CXMT計畫提高產量並表示希望拓展國際業務,但地緣壁壘依然很高。歷屆美國政府都收緊了對中國晶片製造商的限制。記憶體晶片就像為電腦引擎供油的燃油管路。隨著美國輝達等公司生產的人工智慧引擎性能越來越強,它們需要更多的記憶體,包括傳統的記憶體和一種叫做高頻寬記憶體的先進記憶體。據市場研究公司 TrendForce 預測,一台 AI 伺服器現在使用的動態隨機存取儲存器比整個筆記型電腦群使用的還要多,而且本季度傳統 DRAM 的價格預計將比上一季度上漲 50% 以上。直到最近,全球DRAM市場一直由三家公司主導——三星、SK海力士和總部位於美國的Micron Technology。這些製造商已將重心轉向利潤更高的AI記憶體晶片,而Micron正在退出部分消費市場。這為CXMT打開了機會之門。該公司成立於十年前,當時一家中國國有企業收購美光科技的嘗試失敗。合肥市政府決定建立自己的DRAM製造商。該公司目前由在美國接受過晶片工程師培訓的朱一明領導,獲得了國家科技基金和包括阿里巴巴和小米在內的一眾中國科技巨頭的支援。CXMT在12月底表示,已提交在上海證券交易所(類似於納斯達克)上市的計畫,目標是籌集相當於40億美元的資金。分析師表示,近期的融資已使該公司的估值超過200億美元。CXMT是中國半導體行業眾多明星企業之一,政府希望這些企業能在與美國的貿易戰中提升中國的自給自足能力。從製造專家中芯國際到裝置製造商AMEC,北京正在推動該行業開發美國及其盟友生產的各種產品的本土替代品。CXMT的招股說明書顯示,該公司在短短幾年內就從原型階段迅速發展到量產階段。其營收在兩年內增長近三倍,預計到2024年將超過30億美元。分析師表示,其工藝技術已與行業領先者相差一到兩代,並且該公司在全球DRAM市場的份額(按營收計)已上升至約5%。儘管美國限制中國獲取先進晶片製造裝置,但中國仍然取得了進展。“面對美國對記憶體的最終用途管制,CXMT 所取得的進展令業界感到驚訝,”諮詢公司 DGA-Albright Stonebridge Group 的技術政策負責人Paul Triolo表示。Triolo表示,如果CXMT能夠向華為供應高頻寬記憶體晶片,美國的擔憂將會加劇,因為華為的AI處理器是中國最接近輝達AI加速器的國產替代品。美國現行法規並未禁止美國公司與 CXMT 進行業務往來,但美國立法者已經表達了他們的不安。華盛頓戰略與國際研究中心高級顧問格雷戈裡·艾倫表示,CXMT對用於人工智慧計算的高頻寬記憶體的追求尤其令人擔憂。他指出,近年來,美國的出口管制措施阻礙了華為獲取HBM晶片,而像CXMT這樣的公司填補這一空白對北京來說將極其重要。“CXMT的崛起意味著中國國內人工智慧晶片製造業的崛起,”艾倫說。公司首席執行長朱先生畢業於清華,後赴紐約就讀於紐約州立大學石溪分校。他曾在矽谷工作,此前還創辦了一家中國專用儲存晶片製造商。十多年前,朱在接受清華大學雜誌採訪時表示:“誰在儲存器技術領域領先,誰就能主宰整個積體電路產業。” (invest wallstreet)
募資295億!中國DRAM航母要上市了
中國DRAM航母要上市了!在中國半導體產業版圖中,儲存始終是最難、也最關鍵的一塊拼圖,如今,這塊拼圖正在迎來一個歷史性時刻:長鑫科技,正式衝刺科創板。近日,上海證券交易所官網顯示,長鑫科技集團股份有限公司科創板IPO申請已被正式受理。與此同時,其招股說明書核心內容也隨之披露。長鑫科技成立於2016年,主營業務是DRAM的研發、設計、製造和銷售,目前是中國唯一具備規模化量產能力的DRAM IDM 廠商。 目前已實現DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5/5X等主流DRAM產品的大規模量產。還擁有超級豪華的股東群,根據招股書披露,長鑫科技的主要股東包括大基金二期、安徽省投、阿里、騰訊、招銀國際、人保資本、建信金融、國調基金、君聯資本、小米產投等。可以說是含金量拉滿,幾乎囊括了半個中國科技圈。在市場份額方面,根據Omdia資料,長鑫科技目前位居全球第四、中國第一,是全球DRAM市場中打破韓、美三巨頭壟斷的關鍵力量。所以在全球DRAM產業長期被三星、SK海力士、美光壟斷的背景下,作為國內DRAM儲存晶片的絕對龍頭的長鑫科技,本身是極具戰略意義的。長鑫科技的IPO堪稱科創板重量級項目,根據招股書顯示,長鑫科技此次計畫募資高達295億元。這一規模僅次於中芯國際,位列科創板開板以來IPO募資額的第二位。募集的巨額資金將精準投向三大領域:130億元砸向二期晶圓製造項目,直接對標產能擴充;90億元用於下一代DRAM技術研發,確保在製程工藝上不掉隊;75億元用於現有產線升級與流動資金,強化營運韌性。儲存晶片是典型的重資產、高技術行業,但長鑫科技是高增長,高研發,根據招股書顯示,長鑫科技2024年營收約154.38億元;2025年前三季度營收為320.84億元。可以說營收飆漲。而且招股書預測2025年全年營收可達550億-580億元,淨利潤預計實現20億至35億元。也就是說長鑫科技在2025年將實現首次盈利,也就意味著公司已邁過高投入的虧損期,正式進入盈利階段。說明我們的國產儲存晶片已經具備了自我造血能力,完成了從實驗室產品到全球競爭力商品的質變。從研發投入上來說,長鑫確實是真正的重資產、重技術。根據招股書披露,2022—2025上半年累計研發投入約188.67億元,佔累計營業收入約33.11%。這意味著長鑫不是在講國產替代故事,而是在用真金白銀砸技術、砸工藝、砸良率。這也解釋了為什麼它仍然屬於高資本消耗型企業,必須依賴資本市場的持續輸血才行。長鑫科技的IPO,不僅是其背後的阿里、騰訊、小米產投及大基金二期等豪華股東團的勝利,更是整個半導體產業鏈的強心針。從裝置商、材料商到下游封裝,長鑫的壯大將帶動成千上萬家國產供應商共同成長。2026年,隨著長鑫正式掛牌,國產儲存產業或將迎來真正的黃金時代。 (科技圈觀察)
全球第四!中國儲存晶片大廠虧8年後,單季狂賺90億,即將IPO!
2025就這樣“匆匆忙忙”的過去了,在這最後的兩天其實國產晶片產業發生了兩件大事,其一就是,美國終究還是批准了三星、Sk海力士等韓系儲存晶片在華的裝置進口許可,也就是這些韓系儲存巨頭又可以進口相關的半導體裝置了;另一個則是國產晶片里程碑事件,恰好也是在儲存晶片領域——12月30日據上交所消息,國內DRAM龍頭——長鑫科技集團股份有限公司科創板IPO申請12月30日獲上交所受理,擬募資295億元。也就是說,這家成立於2016年的國產儲存晶片企業有望成為A股“儲存晶片第一股”,標誌著中國儲存晶片產業在資本市場邁出關鍵一步。其實,長鑫儲存不僅在資本市場獲得了巨大的突破,其在全球儲存晶片市場也打了一個漂亮的翻身戰。根據Counterpoint Research資料,2025年第三季度全球儲存晶片前五大廠商分別為:SK海力士、三星、美光、長鑫儲存、南亞。其中Sk海力士以34%的市場份額反超三星,位居第一;而三星以33%的微弱劣勢位居第二;美國儲存巨頭美光則以26%的市場份額牢牢佔據全球第三的位置;而值得注意的是國產儲存巨頭——長鑫儲存以5%躋身全球第四,雖然與全球儲存三巨頭差距依然明顯,但國產儲存晶片廠商取得的最好戰績了。值得注意的是,目前全球儲存晶片市場格局高度集中,三巨頭佔據了全球93%的市場份額,而全球前四則佔據了全球98%的市場份額;這也意味著全球儲存晶片市場已然是巨頭們的遊戲。在這種巨頭統治的市場當中,長鑫儲存殺出一條血路著實不容易。根據長鑫科技招股書顯示,2022年度、2023年度、2024年度營收分別為80.84億元、90.63億元、239.29億元,2025年上半年營收152.24億元。2022年至2025年9月累計營收達736.36億元,其中,2022-2024年主營業務收入複合增長率達72.04%。這表明,長鑫儲存業績一直呈現高速增長的態勢。在業績高速增長的同時,長鑫儲存研發投入上一直保持高強度。根據財報顯示,2022年至2025年上半年,長鑫儲存累計研發投入為188.67億元,佔累計營業收入的33.11%。其中2024年研發投入63.41億元,同比2023年增長35.77%。2025年上半年,長鑫儲存研發費用率達23.71%,超過同期行業平均值10.37%,也明顯高於國際DRAM巨頭三星電子、SK海力士、美光同期的研發費用率11.74%、7.39%、10.66%。這也使得長鑫儲存,在過去的幾年承受了巨大的財務壓力。根據長鑫財報,在過去的幾年,截至2025年6月30日累計虧損為408.57億元。但自2025以來,扭虧為盈的曙光已經到來。根據招股書顯示,長鑫儲存2025年前三季度321億收入,淨虧損60億,單三季度收入166億,淨虧損19億;但2025全年是550-580億收入,20-35億利潤。尤其是,25年第四季度單季度229-259億收入,80-95億利潤,單季度極速扭虧為盈;這將是長鑫儲存首次實現單季度大幅盈利。對於2016年才成立,成立僅8年的長鑫儲存來說,單季度盈利是一個重要的里程碑;也意味著長鑫儲存在三星和Sk海力士的高壓之下,正式實現了突圍。這種突圍不僅在財務上得以體現,同時在技術上長鑫儲存也實現了巨大的突破。目前,長鑫儲存已經實現LPDDR5X記憶體的量產,同時DDR3、DDR4、DDR5也早已實現批次上市。也就是說,長鑫儲存DRAM技術上已經趕上了全球主流,基本達到了三星水平。因此,長鑫儲存作為國產晶片的絕對龍頭,在面臨外部極限打壓的情況之下,不僅實現了季度的扭虧為盈,而且在技術也實現了重要突破。預計,在此次全球儲存晶片超級上升潮中,隨著長鑫儲存產能不斷增長和技術不斷突破,其不僅將逐步蠶食國記憶體儲器市場,也必將成為全球儲存器的重要一極。 (飆叔科技洞察)
九年磨一劍:長鑫存儲如何衝破壟斷,成為中國DRAM領軍者?
11月23日,長鑫存儲在IC China 2025上發佈最新DDR5系列產品,最高速率達8000Mbps、單顆容量最高24Gb,躋身國際頂級性能梯隊。同步亮相的LPDDR5X產品與之形成“雙芯共振”佈局,最高速率突破10667Mbps,16Gb容量節點實現關鍵技術跨越。這標誌著中國儲存晶片技術以“領先者”姿態站上全球舞台。這一里程碑背後,長鑫存儲用不到十年的時間從零起步,突破專利封鎖、補齊技術體系,並實現對國際巨頭的正面追擊,其背後的發展路徑與成功要素值得深入剖析。以下為正文:在全球半導體產業鏈中,DRAM被視為最難突破的領域之一。該賽道被韓國三星、SK海力士和美光三大巨頭壟斷,專利、工藝和資本壁壘層層疊加,中國企業始終難以進入核心區。長鑫存儲卻在不到十年的時間裡,從一紙立項走到量產、再到衝刺IPO,成為國產儲存突圍的代表。它的崛起,是國家戰略需求、地方產業政策和企業技術攻堅共同托舉的結果。01. 量產破局:打響國產DRAM第一槍長鑫存儲的起點或源於一次收購失敗。2015年,兆易創新收購爾必達計畫失敗。這次折戟,讓國內產業界真正意識到DRAM行業的牢固壁壘。全球市場長期由三星、SK 海力士和美光“三巨頭”壟斷,核心專利高度集中,國內企業仍處於技術受限的被動局面。此時,合肥市政府拋出橄欖枝,提出“政府出資、企業出人出力”的合作模式。雙方很快達成一致:共同投資建設DRAM項目。2016年,長鑫存儲正式成立,承擔起國產DRAM攻關的重任。2018年,一期廠房建設完成,裝置搬入並開始驗證投片。2019年9月,與國際主流DRAM產品同步的10奈米級第一代8Gb DDR4首度亮相,一期設計產能每月12萬片晶圓。同年12月,長鑫成功實現規模化量產,並於次年(2020年)正式推向市場。這是中國大陸首次擁有自主可控的DRAM量產能力,國產技術攻堅戰正式打響。但當時的工藝仍落後國際兩代,追趕只是剛剛開始。02. 地方托舉:資本、生態與人才DRAM是半導體產業中最典型的“百億起步”賽道。投入大、周期長,沒有強大的資本托底,很難熬到見效的那一天。長鑫的快速起勢,離不開合肥在資本層面的鼎力支援。2016年,合肥市政府瞄準國家積體電路產業發展戰略,聯合兆易創新共同啟動總投資1500億元的DRAM項目。其中,合肥市政府牽頭投入130億元,帶動安徽國資體系及社會資本共同形成360億元的首期資金池,為項目夯實了關鍵一步。至2020年A輪融資,“以投帶引”的國資模式效果凸顯。合肥產投等核心平台持續持股,向市場釋放出堅定的長期支援訊號,大基金二期、小米集團等知名機構隨即積極入局。2024年,合肥產投通過合肥產投壹號股權投資合夥企業參與108億融資,加上關聯主體長鑫整合的出資,形成國資對本輪融資的直接托底。產業生態上,合肥以長鑫為核心,打造本地化半導體叢集。上游引入廣鋼氣體、上海新陽、至純科技等企業,推動國產裝置和材料的驗證與替代;下游聯合兆易創新、聯寶科技等企業,拉動終端需求。人才層面,安徽省教育廳鼓勵中科大、合工大等高校與長鑫存儲等積體電路頭部企業深度融合。據悉,合肥工業大學與長鑫共建的“研究生聯合培養基地”入選首批省級基地,合作方向涵蓋積體電路設計、工藝等關鍵領域,提供持續的人才供給。“強資本、強生態、強人才”多維共振,讓長鑫存儲在合肥順利紮根,並加速駛入高品質發展的快車道。03. 全線提速:技術追趕、產能狂飆自此,長鑫存儲進入高速爬坡階段,在技術、產能與市場三條主線上全面提速。技術方面,專利+人才雙突破。早在發展初期,長鑫就與歐洲DRAM技術先驅奇夢達合作,拿下1000多萬份技術檔案及2.8TB核心資料,搭建起研發基礎框架。後續又收購英飛凌、美國藍鉑世部分DRAM專利和實施許可,持續築牢專利護城河。此外,長鑫請來奇夢達兩位“老兵”:任職24年的前技術副總裁庫斯特(Karl Heinz Kuester),以及曾主導奇夢達西安研發中心的濮必得(Peter Poechmueller),組成顧問團為技術迭代保駕護航。在此基礎上,長鑫深挖DUV裝置潛力,通過製程最佳化、材料迭代不斷縮小差距:從19nm到17nm,再到2024年量產16nm DDR5;2025年更在IC China發佈新一代產品,DDR5最高速率達8000Mbps,LPDDR5X達10667Mbps,正式躋身全球 DRAM一線陣營。產能方面,自2016年合肥DRAM基地一期項目啟動後,2020-2021年,北京DRAM一期、二期項目先後啟動,逐步擴大廠房建設。2022年1月,北京一期試產線通線;同年6月,合肥二期廠房封頂。2024年底,長鑫存儲月產能23萬片晶圓,2025年底升至28萬片,2026年劍指30萬片,逐步縮小與三星、SK海力士的差距。依託國內土地、能源、人力成本優勢,長鑫擴產成本比韓國廠商低約40%,產品價格也低10%-15%,在消費電子、物聯網等價格敏感領域站穩腳跟,抵禦外商產能壟斷的衝擊。市場端,技術與產能的突破,疊加今年儲存行情回暖,讓長鑫存儲快速打開局面。當前,北美AI伺服器需求暴增,儲存晶片供需缺口拉大,DRAM市場進入上行周期。集邦諮詢資料顯示,2025年三季度傳統 DRAM 價格環比漲10%-15%,含 HBM 則漲15%-20%,四季度預計再漲8%-13%(含 HBM 13%-18%)。摩根士丹利指出,DDR5 現貨價格在過去兩個月內飆升超 260%,熱度可見一斑。這波行情為長鑫帶來雙重機遇:一方面,其16nm DDR5、高速率 DDR5/LPDDR5X 產品,契合伺服器、高端手機的性能需求,具有廣闊市場需求;另一方面,價格上漲周期中,長鑫的技術優勢能進一步放大盈利空間。目前,長鑫存儲的產品已通過多家主流儲存模組商和方案設計公司,間接匯入至小米、OPPO、vivo、傳音等主流手機品牌的供應鏈中,物聯網領域合作落地,伺服器領域也即將突破。Counterpoint預測,2025年底長鑫DDR5市佔率或升至7%,LPDDR5X 接近 10%,全球話語權持續提升。但是,DRAM的周期性風險仍需警惕。儲存產品像大宗商品一樣,對供需敏感、價格波動大;且擴產周期長達 2-3 年,產能與需求易錯配。一旦未來 AI 伺服器需求放緩、行業產能過剩,長鑫可能面臨庫存積壓、價格下跌、現金流承壓的多重壓力。如何在周期波動中平衡擴張與風控,仍是其長期發展的核心課題。04. 尾聲2025年7月,長鑫啟動A股IPO輔導,僅用三個月完成驗收,上市處理程序明顯加速。市場普遍預期其估值約1400億元,募資規模接近300億元,主要用於推進15nm工藝與3D DRAM研發。上市對長鑫而言,是從“追趕”邁向“加速”的關鍵跳板。它將帶來更充裕的資本、更完善的治理機制,也將推動公司在HBM、先進封裝、國產裝置適配等領域展開新一輪投入。總體來看,長鑫存儲已經走在國產DRAM突圍的最前線。從破局起步到產業生態托舉,再到技術與產能的加速成長,它已經證明國產DRAM“能做、能量產、能追近”。下一步,則是向‘並跑’乃至‘領跑’的目標發起衝擊。而隨著上市臨近,一個更市場化、規模化、體系化的長鑫,也正在路上。 (芯師爺)
傳長鑫儲存要減產50%
近期供應鏈消息傳出,中國DRAM大廠長鑫儲存,將“加速縮減”DDR4產能,原本2026年底保留單月2萬片DDR4產能,但隨著DDR5及新製程推進順利,或再減至1萬片產能。今年記憶體晶片是暴漲的,其中以DDR4漲的最猛,16GB的DDR4今年漲了700%以上,8GB規格的也漲了500%以,而DDR5、DDR3漲的相對少一些。DDR4為何漲的這麼猛,一方面是因為市場還有需求,很多老款一點的CPU,還在支援DDR4記憶體,所以市場需求還是相當大的。但另外一方面,則是今年上半年的時候,三星、美光、SK海力士等,則宣佈要停產DDR4記憶體。所以一下子,引發了管道的恐慌,整個供需關係打破了,有些管道開始提前囤貨,再加疊加市場需求,導致市場需求大,而產能又跟不上,所以DDR4在今年暴漲。而就算DDR4暴漲,三星、美光、SK海力士等,也不可能再去擴產DDR4了,因為這是註定要被淘汰的產品了,現如今AMD\INTEL的新CPU,都不再支援DDR4,只支援DDR5了。所以DDR4就這樣漲了一年,大家預測到2026年DDR4的價格可能會得到抑制。另市場消息稱,長鑫儲存也無意“戀戰”DDR4,原內部規劃在2026年底保留單月2萬片產能,主要提供給兆易創新的代工需求,但產能規劃可能再調整,降低DDR4產能供應的腳步加快,預計將減少至1萬片規模,加速進攻DDR5/LPDDR5。由於伺服器需求推動記憶體產業加速升級,近來長鑫儲存發表新一代DDR5與LPDDR5X產品,性能表現對標三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix),並預計從2026年起全面量產。外界預期,長鑫儲存2026年超過90%的產能將轉向新製程,快速跟上“記憶體超級循環周期”的成長列車,而長鑫儲存的總投片量,預計2026年將達到30萬片,屬於既有產能規劃,短期內對於緩解DRAM供不應求的實質幫助非常有限。儘管DDR4價格居高不下,從9月初至今的現貨價已上漲2倍多,近半年來現貨市場價格也明顯高於DDR5,但受限於DDR5供貨也同樣吃緊,DDR5價格漲幅也呈現倍數調漲,業界認為,DDR4合約價可望延續高檔至2026年底,後續維持賣方市場。 (半導體行業圈)