中國半導體裝置龍頭北方華創近日在IEEE期刊發表學術論文，宣佈在3D DRAM製造工藝上取得重大技術突破。 該公司開發出一種創新的兩步循環刻蝕工藝，有望幫助長鑫記憶體繞過EUV光刻機封鎖，推進3D DRAM自主量產。 3D DRAM被視為DRAM技術演進的下一階段，其核心理念是將電晶體從傳統的二維平面微縮轉向三維垂直堆疊，通過層層堆疊電晶體來提高記憶體單元密度。 在西方對華EUV光刻機出口管制持續收緊的背景下，這一技術路線為中國記憶體晶片產業開闢了一條避開光刻壁壘的新路徑。

AI 浪潮把記憶體行業推上了前所未有的景氣高點，利潤暴漲之後，錢怎麼分給員工，成了每家巨頭都繞不開的考題。 近期一張對比 SK 海力士、三星半導體事業部、美光三家績效獎金制度的圖表在半導體圈流傳。可以看到三家的制度設計差異很大，韓系兩家直接從營業利潤裡切固定比例做獎金池，美光則走彈性績效係數路線，而恰恰是這套 "彈性" 制度，最近把美光台灣員工逼到了罷工投票的邊緣。 國內的長鑫存儲、長江存儲也在這輪周期裡拿出了各自的激勵方案。 韓系巨頭：把利潤分成寫進勞資協議

當地時間9月3日，市場研究機構Counterpoint Research 發佈了全球DRAM市場分析報告顯示，2026年二季度全球DRAM市場總營收同比飆升385%，環比增長57%。 長鑫記憶體拿下10%全球DRAM市場 從具體廠商表現來看，雖然三星電子（38%）、SK海力士（25%）、美光（24%）仍牢牢佔據著全球DRAM市場前三，但是中國DRAM製造商長鑫記憶體（CXMT）增勢迅猛，在今年第二季度在全球DRAM市場營收份額當中的佔比已提升至10%，同比增加了4個百分點，環比增加了2個百分點，排名第四。 這也是長鑫記憶體的季度DRAM市場份額首次達到兩位數百分比。在2023年之時，長鑫記憶體在全球DRAM市場營收份額佔比還不到 1%，但得益於AI熱潮所帶來的DRAM需求爆發和價格飆升，長鑫記憶體的市場份額從去年第二季度的4%迅速增長到今年第一季度的8%，今年第二季度又增長到10%，可謂是增速非常驚人。在頭部三大DRAM原廠同樣保持營收暴漲的態勢下，長鑫記憶體能夠取得這樣的成績，實屬不易。

藍鯨科技記者從長鑫科技獲悉，字節與中興聯合研發的新一代豆包手機——努比亞NaviX Ultra，將搭載長鑫最高速率10667Mbps的LPDDR5X記憶體。 官方表示，這也是中國國產10667Mbps高速LPDDR5X記憶體晶片首次實現量產落地應用。(科創板日報)

CXMT宣佈，今年上半年銷售額達到1503億元。與去年同期（154億元）相比，長了874%，是去年同期銷售額的兩倍多。 中國公司已成為人工智慧驅動的記憶體熱潮的隱秘受益者。他們通過利用通用記憶體產品實現了增長，現在正積極擴展，通過結合繁榮期獲得的巨額現金與股市融資，開發先進的產品。 高增值記憶體器市場很快將大幅增長。 賺來的錢研發先進產品

產業鏈全景 (先元資本)

據《The Information》報導，長鑫記憶體已啟動 HBM3E 記憶體的風險試產工作。 據報導，長鑫記憶體當前計畫擴大產能。預計到今年年底，該公司的 DRAM 製造能力將達到每月 35 萬片晶圓，未來幾年的產能還將繼續提高。目前長鑫的 HBM3E 生產規模依然十分有限，這意味著他們剛剛進入風險試產階段。 雖然還不清楚長鑫記憶體 HBM3E 的具體規格，但根據 JEDEC（固態技術協會）規範，HBM3E 應採用 1024-bit 位寬，單引腳速率介於 9.2Gbps 至 12.4Gbps 之間，大多數標準配置的目標速率為 9.6Gbps。 在 9.6Gbps 的典型配置下，HBM3E 的總頻寬可達 1.2TB/s。在採用 8 層堆疊（8-Hi）、單層 24Gb DRAM 晶片的情況下，其單個堆疊容量為 24GB；採用 12 層堆疊時，容量可達 36GB。

長鑫科技在 7 月 27 日登陸科創板，長存控股在 8 月 21 日遞交招股書。兩家公司第一次同時公開了可以對照的財務和銷售資料。 2025 年，長鑫和長江的營收分別為 617.99 億元和 631.85 億元，體量已經接近，但收入來自兩類不同的記憶體晶片。 長鑫做 DRAM。處理器正在運行的程序、參數和中間結果，要先放進這塊工作記憶體；斷電以後，資料會消失。長江做 NAND。照片、模型檔案、資料庫和系統鏡像寫進去，機器關掉電源，內容還在。NAND 做成 UFS、eMMC 或 SSD，承擔長期保存。 DRAM 緊挨處理器，NAND 更靠近硬碟。這個位置差異繼續傳到製程、客戶、AI 需求和監管風險，也解釋了兩家公司收入相近、利潤結構卻相差很大的原因。