Kim發佈報告指出，記憶體晶片行業最劇烈的調整已接近尾聲，當前估值極具吸引力，維持對三星與SK海力士長線看漲立場及目標價，預計兩家公司股價較現值有超60%上行空間。儘管3季度價格略低於預期，但AI需求結構性擴張、企業轉向資本回報與長線協議將支撐行業基本面。
曾被韓國市場看作「空頭代言人」的摩根士丹利分析師Shawn Kim，最新發布了一份記憶體行業研究報告稱，本輪記憶體市場最劇烈的行情調整已接近尾聲，目前估值已提供「具吸引力的戰術性進場」時機。
Kim認為，記憶體股市場焦點正由價格周期轉向資本回報，股票回購、自由現金流及長期供貨協議（LTA）有望成為下一波股價催化劑。摩根士丹利維持三星電子及SK海力士目標價不變，同時將SK海力士2026年每股盈餘（EPS）預估上調13%，並將三星電子2026年EPS預估下調10%。兩家公司目標價相較當前股價均隱含逾60%的上行空間。
Shawn Kim把這波調整形容成「AI超級周期裡的一次小波瀾」。他維持對三星電子及SK海力士長線看漲立場，預計兩家公司2027年盈利增幅可達25%至50%，AI資本支出持續擴張及Agentic AI的快速推進將共同支撐行業基本面。
修正已接近尾聲
華爾街見聞寫道，摩根士丹利早在7月初便率先警示，記憶體股因DRAM價格漲勢的二階導數即將見頂，疊加市場持倉過度集中，可能出現短期回調。而後，記憶體類股在7月份遭遇了顯著的震盪與拋壓，韓國綜合股價指數（Kospi）及三星、SK海力士等記憶體巨頭經歷大幅回調。這輪調整既印證了大摩關於漲勢增速放緩的警示，也疊加了海外高槓桿AI避險基金爆倉與散戶按金貸款去槓桿的連鎖反應。
但Shawn Kim認為，經歷近期調整後，記憶體股估值已顯著改善。當前記憶體股交易於約3倍未來12個月本益比（NTM P/E），幾乎未反映任何長期成長溢價。報告指出，記憶體盈利預估修正廣度的峰值變化率已自6月下旬的極端水平回落，最悲觀時期可能已經過去。
七月大幅平倉結束後，市場追價資金已重新回流。摩根士丹利預計，短期內市場偏好仍將集中於AI資本支出受益最大的環節，包括DRAM及利基型記憶體器（DDR4、SLC NAND），而非記憶體器模組廠商。
AI需求周期規模遠超歷史，估值倍數擴張空間猶存
摩根士丹利強調，AI帶動的需求與傳統記憶體景氣周期並不矛盾。本輪AI建置周期中，DRAM價格同比漲幅一度高達700%，約為歷史價格峰值的7倍，且周期持續時間異常長。DRAM已成為AI基礎設施建設中的關鍵瓶頸之一。
Kim認為，AI驅動的需求更可能代表結構性變化，而非單純周期性波動。若投資者開始相信AI將延長行業盈利周期，以過去周期股框架評價記憶體行業的方式未必仍然適用，估值倍數仍具擴張空間。
與此同時，報告指出，當前市場已較充分定價未來12個月EPS增長放緩的風險，但對"2028年什麼因素能推動EPS走高"這一問題，市場普遍信心不足。這一分歧，正是Shawn Kim認為估值修復空間存在的核心邏輯所在。
個股調整：SK海力士上修，三星下修
針對個別公司，摩根士丹利對兩家韓國記憶體巨頭的盈利預估作出方向相反的調整。SK海力士2026年EPS預估上調13%，主要反映第二季度資產處置收益的正面影響；三星電子2026年EPS預估則因消費性電子業務持續疲弱而下調10%。兩家公司2027年至2028年的盈利預測調整幅度均較為有限。
儘管盈利預估出現分化，摩根士丹利對兩家公司目標價均維持不變，並強調目標價相對當前股價均隱含60%以上的上行空間。報告認為，隨著周期進入後段，企業將更積極溝通資本回報計劃，並在大規模資本支出的變現方面展現更強的資本紀律，以支援市場重新評價整體行業。
行業調研：三季度價格略低於預期，產能轉向eSSD
據摩根士丹利最新行業調研，2026年第三季度DRAM合約價格在早期交易中環比上漲約15%，略低於此前預估的20%；NAND價格則環比上漲約20%。隨著第四季度增量定價趨勢趨緩，客戶提前備貨的緊迫性有所下降，鎖定低成本庫存的動力減弱。
供給端，報告預計更多產能將由消費性產品轉向企業級SSD（eSSD），配合AI服務器需求的持續增長，預料可有效消化新增供給。摩根士丹利認為，記憶體行業正於2026年第四季度過渡至周期後段，屆時驅動股價的核心邏輯將從價格上漲帶來的經營槓桿，轉向資本回報、長期供貨協議所帶來的盈利穩定性，以及可持續的自由現金流表現。 (華爾街見聞)