三星HBM4的良率已從2月量產初期的不到60%攀升至80%，這一進展在HBM供應持續緊張的背景下尤為突出。良率提升的速度超出了三星最初的預期——公司原計畫在2026年底達成80%的目標，但工藝最佳化處理程序顯著提前。
在技術層面，三星在熱壓非導電薄膜（TC-NCF）工藝上取得了關鍵突破。該工藝此前一直是三星HBM生產中的短板，如今已不再是瓶頸。
另一個重要因素是HBM4所依賴的基礎1c DRAM——三星早在今年年初就將1c DRAM的良率推至80%以上，為HBM4的量產鋪平了道路。
隨著良率改善，三星計畫在第三季度將HBM4收入提升兩倍以上，預計2026年下半年HBM4將佔其HBM總銷售額的60%以上。公司的目標是到年底將HBM市場份額提升至約38%，大致與其在整體DRAM市場中的份額持平。
三星HBM4供應的增加，對輝達下一代AI加速器“Vera Rubin”的生產進度也有直接影響。輝達等大客戶一直傾向於從多家供應商採購HBM，以分散供應風險，三星產能的提升正好滿足了這一需求。
TrendForce在6月發佈的預測中大幅上調了三星2026年HBM4市場份額的預期，理由是其在客戶認證方面領先於競爭對手，且出貨預期更為樂觀。
與此同時，SK海力士的份額預期有所下調，主要受認證延遲和產能調配影響；美光由於在HBM4領域涉足較晚，其份額預計變化不大。
從更長期來看，TrendForce預計HBM供應商在2027年前仍將保有定價權，供應緊張的局面不會迅速緩解。2027年HBM位元出貨量預計同比增長50%至60%，但仍將低於需求增速，市場將繼續處於緊平衡狀態。
SK海力士：良率達標，勞資談判成最大變數
SK海力士的HBM4良率也已達到80%區間。公司長期積累的多代HBM量產經驗，加上其專有的先進質量回流模塑底部填充（MR-MUF）封裝技術，為下半年擴產提供了技術保障。目前SK海力士正與多家HBM工藝裝置供應商洽談下半年的訂單，準備追加裝置採購以擴大產能。
但眼下最大的變數已不在生產端，而在勞資關係。SK海力士管理層與工會在2026年薪資與集體談判的第五輪協商中未能就獎金支付達成一致。雙方爭議的焦點在於利潤分紅（PS）制度。
此前雙方已達成協議：取消此前最高1000%基本工資的封頂限制，將上一年度營業利潤的10%撥入PS資金池。按照擬議方案，每位員工計算獎金的80%在當年發放，剩餘20%在兩年內遞延支付，該安排將持續十年。
問題出在管理層的最新提案——方案提出將今年PS的一半以上以庫存股形式支付，並設定鎖定期限製出售，工會對此明確表示反對。在三星電子正通過穩定良率和擴大產能加速追趕的背景下，SK海力士如果陷入長期勞資糾紛，甚至升級為罷工等工業行動，將面臨越來越大的競爭壓力。(電子半導體觀察)