#AI加速器
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Marvell 董事長在六國五峰會上的演講全文：AI基礎設施建設正處於"連接性革命"的早期階段 ！

Marvell CEO Matthew Murphy 在The Six Five Summit上的爐邊談話，核心圍繞一個判斷：AI基礎設施建設正處於"連接性革命"的早期階段，而Marvell通過十年前瞻佈局，已成為這一新瓶頸的核心受益者。 一、Marvell的十年戰略轉型：從邊緣到資料中心核心 戰略轉向：約10年前，Marvell從傳統半導體業務全面轉向"資料基礎設施"市場——當時該市場幾乎不存在於半導體終端分類中。 成果：該業務收入佔比從不足10%躍升至未來將超過80%，公司整體規模增長5倍以上。
Marvell 董事長在六國五峰會上的演講全文：AI基礎設施建設正處於"連接性革命"的早期階段 ！
科技#AI基礎設施#Marvell#演講
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三星公佈下一代記憶體路線圖：HBM5性能為HBM4E的2倍，zHBM加速性能提升8倍

HBM5基礎晶片製程升至2奈米，目標是在性能上達到HBM4E的兩倍，單瓦性能提升20%，同時將熱阻降低20%，預計2028年量產。全新架構的zHBM，目標性能為HBM4E的8倍，單瓦性能提升3倍，熱阻降幅達75%至90%，預計在2029年之後推出。 三星電子在SEMICON Taiwan 2026上披露了新一代高帶寬記憶體器（HBM）及下一代記憶體架構的詳細技術路線圖，涵蓋HBM5、zHBM及zNAND-O等多項前沿技術，顯示出這家韓國記憶體巨頭在AI基礎設施記憶體市場的長期佈局意圖。 三星記憶體產品規劃企業副總裁Jangseok Choi在9月1日的活動上表示，HBM5的目標是在性能上達到HBM4E的兩倍，單瓦性能提升20%，同時將熱阻降低20%。此前三星已於8月的Hot Chips 2026上透露了部分相關進展。 三星同時宣佈正在開發全新架構的zHBM，目標性能為HBM4E的8倍，單瓦性能提升3倍，熱阻降幅達75%至90%。
科技#HBM5#三星電子#AI加速器
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秘密武器：輝達發佈 NVHBM 定製記憶體，頻寬比 HBM4E 高 30%、功耗低 15%

29日，輝達正式宣佈推出 NVHBM，這是一種專為定製 AI 加速器設計的高頻寬記憶體解決方案。作為 NVLink Fusion 生態的新成員，NVHBM 並非要取代標準的 HBM 記憶體，而是面向希望打造定製 AI 晶片的合作夥伴提供的一種“官方特供版”基礎元件。 與標準 HBM4E 方案相比，NVHBM 的核心優勢體現在三個維度：頻寬最高提升 30%、功耗降低 15%，同時還能為 XPU 主晶片釋放最多 25% 的額外面積用於計算電路。這一系列突破的關鍵，在於輝達將記憶體控製器從 XPU 晶片移到了 HBM 堆疊的基礎裸片（Base Die）中。 在傳統 HBM 架構中，記憶體控製器佔據著主晶片上寶貴的矽面積。NVHBM 則將這一控製器整合到 HBM 堆疊內部，同時提供更小型的定製 PHY（物理層介面）。這種設計不僅讓主晶片有更多空間容納計算單元，還簡化了中介層上的布線複雜度。 據輝達表示，NVHBM 已與“領先的記憶體廠商”共同完成設計和驗證，合作夥伴無需從零開始適配標準 HBM，即可更快地將定製晶片推向市場。
秘密武器：輝達發佈 NVHBM 定製記憶體，頻寬比 HBM4E 高 30%、功耗低 15%
科技#輝達#AI加速器#NVHBM
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瑞銀：深入拆解華為 Atlas 950 超節點，利多中微、中芯、瀾起等！

來自華為新款昇騰950與Atlas 950 SuperPoD的啟示 大語言模型參數規模已經擴展至兆級，MoE（混合專家）架構帶來了沉重的All-to-All通訊開銷，而推理工作負載對低時延和高吞吐的要求也越來越高。與此同時，在美國出口管制背景下，中國領先本土製程節點（7nm）與海外先進製程（3nm/2nm）之間的差距正在擴大，過去不夠成熟的工具鏈也限制了國產加速器的有效利用率。根據我們對公司披露資訊以及對行業專家管道調研的評估，華為新推出的昇騰950 NPU和Atlas 950 SuperPoD雖然採用較落後的工藝製程，但部分規格已經可以與輝達H100相媲美（見圖1）。我們認為，這是以系統級工程能力彌補製程劣勢的典型路徑，預計其他國內廠商也會複製這一策略。以下我們結合昇騰950白皮書，評估其對供應鏈的影響。 兩種記憶體配置指向“工作負載級定製” 與客戶進行緊密合作，使晶片設計公司可以更深入地理解具體工作負載的要求，並在既定晶片面積與製程條件下對架構進行針對性最佳化。昇騰950提供兩個SKU，對應當前AI基礎設施設計中日益重要的Prefill/Decode（預填充/解碼）解耦趨勢：根據華為披露，950PR配備128GB容量、1.6TB/s頻寬，主要面向Prefill/推薦類工作負載；950DT配備144GB容量、4TB/s頻寬，主要面向Decode和訓練工作負載，二者在統一介面下運行。
瑞銀：深入拆解華為 Atlas 950 超節點，利多中微、中芯、瀾起等！
科技#AI加速器#昇騰950#瑞銀
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GPU與AI加速器走向分層配置：HBM短缺與38GW電力約束如何改寫2027年供應鏈

AI硬體的競爭單位已經從單顆GPU變成整套可上電系統。HBM分層、CoWoS擴產、機櫃延期和38GW隱含功率，分別對應記憶體器、製造、工程和電力4道約束。 單顆GPU不再是正確的研究單位 過去常用“GPU出貨量×單價”估算AI硬體價值。現在這個公式少算了5個必要條件：HBM、CoWoS、測試、機櫃和電力。GPU完成量產，只代表理論算力形成；全部環節閉合後，算力才能上線。 六道門的先後關係很清楚：HBM決定可選規格，晶圓和CoWoS形成晶片，測試篩出合格品，PCB、互連與液冷把晶片裝成機櫃，資料中心最後完成上電。任一環節落後，前序產出都可能變成庫存、在製品或延遲收入。
GPU與AI加速器走向分層配置：HBM短缺與38GW電力約束如何改寫2027年供應鏈
科技#AI供應鏈#HBM#2027年
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三星HBM4良率飆至80%提前達標，Q3收入要翻兩倍，輝達Vera Rubin加速在望

三星HBM4的良率已從2月量產初期的不到60%攀升至80%，這一進展在HBM供應持續緊張的背景下尤為突出。良率提升的速度超出了三星最初的預期——公司原計畫在2026年底達成80%的目標，但工藝最佳化處理程序顯著提前。 在技術層面，三星在熱壓非導電薄膜（TC-NCF）工藝上取得了關鍵突破。該工藝此前一直是三星HBM生產中的短板，如今已不再是瓶頸。 另一個重要因素是HBM4所依賴的基礎1c DRAM——三星早在今年年初就將1c DRAM的良率推至80%以上，為HBM4的量產鋪平了道路。 隨著良率改善，三星計畫在第三季度將HBM4收入提升兩倍以上，預計2026年下半年HBM4將佔其HBM總銷售額的60%以上。公司的目標是到年底將HBM市場份額提升至約38%，大致與其在整體DRAM市場中的份額持平。
三星HBM4良率飆至80%提前達標，Q3收入要翻兩倍，輝達Vera Rubin加速在望
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微軟最強晶片，即將發佈

微軟計畫最早於9月公開發佈其下一代Maia 300人工智慧加速器。The Information周一援引兩位知情人士的消息稱，微軟已與台積電就超過30萬台的產能達成協議，計畫於2027年開始交付。受此消息影響，微軟股價在周一盤前交易中上漲約0.7%。 是此次供應鏈的直接受益者。微軟正與台積電洽談，以完成一筆訂單，該訂單的規模遠超迄今為止生產的數萬顆Maia 200晶片。微軟的長期目標是產能超過100萬顆，但元器件供應和正在進行的封裝談判可能會限制這一目標的實現。 這項雄心勃勃的計畫標誌著Maia項目近期坎坷歷程的重大轉機。Maia 200晶片由於早期測試未能達到內部預期目標而被推遲，此後僅在少數資料中心部署。微軟首席執行長薩蒂亞·納德拉在7月29日舉行的2026財年第四季度財報電話會議上告訴投資者，與現有硬體相比，該晶片的性價比提高了30%，並且可擴展以支援OpenAI和MAI模型。然而，其有限的規模也凸顯了微軟自主研發晶片項目仍有很長的路要走。 降低對輝達的依賴是納德拉明確提出的優先事項。Maia 系列晶片是實現這一目標的核心。微軟相信其晶片能夠以更低的成本運行內部模型和 OpenAI 模型，該公司正通過 Azure AI Foundry 和 Copilot 等平台擴大內部使用，同時也在向大型外部雲客戶推介這項技術。據 The Information 報導，Anthropic 是微軟希望爭取的客戶之一。然而，這一推介面臨一個難題：Anthropic 本月早些時候證實，它正在組建自己的內部半導體團隊，為其 Claude 模型設計定製晶片。這使得這家人工智慧初創公司既是 Maia 300 的潛在客戶，也是定製晶片領域一個新興的長期競爭對手。
科技#AI加速器#供應鏈#微軟
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AI晶片的盡頭不是更複雜，而是“重新變簡單”

1. AI 硬體狂歡背後，可能藏著一個被忽略的真相 過去兩年，AI 世界最火的詞，除了“大模型”，就是“算力”。 從 NVIDIA 的 Blackwell，到 Google 的 TPU，整個行業都在渲染一種氣氛：AI 晶片正進入“星際時代”。 越來越大的視訊記憶體、越來越高的頻寬、越來越複雜的封裝工藝，讓這些晶片像科幻電影裡的產物。
AI晶片的盡頭不是更複雜，而是“重新變簡單”
科技#AI晶片#大模型#算力