最新記憶體產業鏈以及整個AI算力產業鏈需求動態數據共同顯示，AI算力需求帶來的記憶體晶片需求擴張之勢正在從HBM/DRAM向NAND快速外溢，而天量級別的AI推理工作負載正在成為NAND這一輪需求結構變化的核心發動機。
智通財經APP獲悉，根據市場研究機構Counterpoint Research的最新數據，來自中國的NAND記憶體巨頭長江存儲(YMTC)正在全球NAND閃存市場迅速擴大份額，並在2026年第二季度按出貨量基準計算升至全球第三位——僅次於總部位於韓國的全球兩大記憶體晶片巨無霸三星電子以及SK海力士。近期三星、SK海力士以及希捷、閃迪、西部數據等一眾記憶體晶片領軍者公佈強勁業績，以及兩大記憶體巨頭佔據50%權重的韓國股市較7月30日低點大幅上漲超20%，進入技術牛市區域，凸顯出AI基建狂潮驅動的HBM/DRAM/NAND記憶體超級周期仍在強勢上演。
NAND閃存技術，可謂正在從長期以來被業內人士定位的傳統「冷數據/容量記憶體」資產，全面升級為AI推理時代的「擴展型準內存層」，它很可能成為繼HBM超級記憶體系統之後記憶體晶片產業最重要的前沿技術風口之一。由NAND閃存構建出的HBF技術路線的重磅出現(即「高帶寬閃存」)，可謂進一步強化了這一判斷。
鎧俠、閃迪(Sandisk)、SK海力士以及三星明確把高帶寬閃存(HBF)定義為一種面向AI「內存牆」的新型NAND形態，目標是在AI推理中提供更大容量，並聲稱HBF在相關推理測試中可實現接近「無限容量HBM」的綜合傳輸性能，同時顯著提升可用內存容量。閃迪與SK海力士已發佈首份OCP技術規範，試圖把高容量、持久性NAND放置得更接近AI加速器，以緩解推理階段的「內存牆」，在容量遠高於HBM的同時提升帶寬並降低Token服務總體成本;它並非短期替代HBM，而可能在HBM與傳統SSD之間創造新的近計算記憶體層。
從國產替代到全球第三!長江存儲出貨量超越鎧俠、美光，NAND產業鏈迎來中國力量
Counterpoint統計數據顯示，長江存儲拿下了第二季度全球NAND出貨量14%的市場份額，略微超過日本NAND閃存領軍者鎧俠(Kioxia)，並且領先於總部位於美國的DRAM/NAND記憶體晶片巨頭美光(MU.US)的13%市場份額。韓國記憶體巨無霸三星電子(Samsung)仍以25%的市場份額保持全球第一，SK海力士則以22%份額位居第二。
最新記憶體產業鏈以及整個AI算力產業鏈需求動態數據共同顯示，AI算力需求帶來的記憶體晶片需求擴張之勢正在從HBM/DRAM向NAND快速外溢，而天量級別的AI推理工作負載正在成為NAND這一輪需求結構變化的核心發動機。
持續炸裂式擴張的AI算力需求所驅動的史無前例記憶體需求激增、製造與封裝工藝極度複雜的HBM記憶體愈發擠佔產能、通用DRAM/NAND供給彈性長期不足共同催化出當前記憶體晶片領域的「超級供給緊缺周期」。
三星電子與SK海力士因將產能加速遷移至先進製造和封裝、測試複雜得多的HBM記憶體系統，因此近期持續面臨產能限制，同時三星電子還將更多產能資源聚焦於利潤率更高的企業級服務器DRAM記憶體組件，共同導致三星NAND產量受到限制，但是三星仍然憑藉數年來的產能佈局以及品牌影響力位列市場份額第一。SK海力士的表現則受到旗下Solidigm子公司的強勁推動，後者Bit出貨量環比大幅增長40%。
與此同時，長江存儲出貨規模同比大幅增長22%、環比增長5%，受益於全球廣泛存在的供應短缺。公司加速擴大了面向國內OEM廠商的NAND記憶體產品線出貨，同時實現267層3D NAND的大規模量產，並基於其Xtacking架構推進300層以上的最前沿NAND閃存技術。
在該機構的上一統計季度排名第三的鎧俠，其超過30%的出貨面向服務器市場，但AI服務器叢集價格大幅上漲抑制了客戶們採購進程，使其NAND產能增長速度落後於長江存儲。美光則在出貨量排名中位列前五，同時其總體營收排名仍高於長江存儲。
值得注意的是，儘管長江存儲按NAND出貨量計算已排名全球第三，但按總體營收計算的基準排名則是位列第五，落後於美光和鎧俠以及三星、SK海力士。Counterpoint這份研究報告指出，其營收排名相對較低，反映出其產品組合仍主要集中在消費電子級的NAND層面應用，而價格更高的數據中心企業級SSD(eSSD)佔比相比於其他NAND巨頭們而言較小。
AI推理把NAND從「記憶體倉庫」推上算力前線!eSSD吞下近半全球出貨，HBF或成繼HBM之後下一場記憶體超級行情
Counterpoint剛剛公佈的2026年第二季度NAND出貨數據報告對於聚焦AI算力主題的投資們而言尤其關鍵，數據顯示，服務器企業級SSD(eSSD)已經佔全球NAND Bit出貨量的48%，幾乎是去年同期26%的兩倍，並預計年底突破50%;全球NAND產業收入同比更達到約5倍。更早時候的TrendForce數據顯示，Q1企業級SSD整體營收環比暴增86.1%至184.6億美元，供應商庫存降至歷史低位，eSSD合同價單季上漲約80%。
人工智慧大型訓練集、模型權重、檢查點、向量數據庫、RAG語料庫、多模態數據、日誌和推理結果都需要長期駐留在高容量記憶體中;訓練時，大規模數據需要持續從對象記憶體和本地NVMe SSD送入GPU叢集;推理時代則進一步產生海量KV Cache、長上下文、智能體狀態和檢索數據。
HBM承擔最高帶寬的「熱數據層」，DRAM承擔系統工作內存，而企業級NAND SSD承擔容量遠大於HBM、成本更低的「溫數據和持久化層」。因此，NAND不是替代HBM，而是在AI服務器的記憶體層級中與HBM、DRAM共同擴容。
AI時代不僅迫切需要計算模型，更需要持續搬運、保存和低延遲調用海量狀態數據。HBM與DRAM負責GPU附近的最高帶寬工作集，但模型權重、訓練數據集、檢查點、向量數據庫、RAG知識庫、推理日誌、智能體長期記憶以及部分KV緩存分層，不可能全部常駐昂貴且容量有限的HBM;企業級NVMe SSD因此承擔HBM/DRAM與HDD、對象記憶體之間的高性能持久層。
HBF(高帶寬閃存)則很有可能成為NAND下一輪最大規模的結構性需求增量之一——甚至一些分析師強調最新的HBF技術規劃與展望意味著「NAND試圖複製HBM的歷史時刻」，閃迪與SK海力士在8月剛剛發佈首個開放HBF技術規範：它基於3D NAND，卻不再只是遠端SSD記憶體，而是通過先進封裝和UCIe介面靠近CPU/GPU/xPU，單封裝最高可做到512GB容量、0.4—3.0TB/s帶寬;閃迪(Sandisk)計劃2026年下半年提供首批HBF樣品，首批搭載HBF的AI推理設備預計2027年初進入樣品階段。
HBF真正革命性之處在於，它有機會把NAND從傳統「Storage Tier」提升成AI加速器附近的高容量Memory Tier：模型權重(Model Weights)、RAG向量數據庫、長期上下文以及部分推理數據不再全部擠在昂貴HBM裡，而可以大量遷移到容量密度更高、單位Bit成本更低的NAND。如果這種架構被大型GPU/XPU廠商和雲計算巨頭們(即Hyperscalers)廣泛採用，NAND每台AI服務器的內容量可能發生數量級躍遷，這就是HBF最大的「超級爆點」潛力。
對於記憶體晶片股票看漲情緒而言，摩根士丹利資深分析師，Shawn Kim從此前的「空頭代言人」轉向認為調整接近尾聲，是重要的市場信號，但更準確的理解不是「他突然認為記憶體價格永遠上漲」，而是他認為市場已經把「價格二階導數下降」交易得過頭了。 摩根士丹利調研報告顯示，Q3 NAND合約價格預計將在上季度高基數基礎背景下環比大幅上漲20%，且產業正在繼續把產能從消費端轉向eSSD;與此同時，Kim把下一階段股價驅動力從單純的ASP上漲，轉向「LTA長期供貨協議+自由現金流增長軌跡(FCF)+強勁資本回報」。
從AI系統工程角度看，這一輪記憶體超級周期最大的不同，是HBM/服務器DRAM/企業級SSD正在從普通周期品升級為AI算力系統的物理瓶頸。馬斯克在SpaceX 2026年第二季度業績電話會上罕見點評記憶體市場，他在電話會上表示，記憶體供給每年增長約20%，但需求增速高達200%甚至更高，供需嚴重失衡，價格上漲是經濟學基本規律。SK海力士CEO郭魯正此前在7月電話會議上表示，2027年可能成為全球記憶體行業有史以來供應最緊張的一年，並且客戶需求超過公司供應能力的狀態可能延續至2030年以後。 (智通財經)