如何達到最賺的平衡點？
瑞銀（UBS）的最新研究，一個反直覺的現象正在發生——對於美光等記憶體廠商而言，通用 DRAM 的毛利率正在碾壓 HBM。
資料顯示，美光通用 DRAM 的毛利率從 2025 年的 44% 起步，逐步攀升至 50%，進入 2026 年初後更是一躍飆升至 80%。考慮到資料中心需求遠未飽和，瑞銀預計這一數字將在 2027 年觸及 95%，並在 2028 年的大部分時間裡維持在 93% 左右。相比之下，HBM 的毛利率雖然也在上升——2025 年約 56% 至 63%，2026 年提升至 63% 至 70%，但到 2027 年預計也僅為 75% 至 78%。兩者之間的差距在 2027 年將高達 17 到 20 個百分點。
導致這一局面的核心原因，在於 HBM 的製造工藝遠比通用 DRAM 複雜。HBM 需要將多個 DRAM 裸晶垂直堆疊，這不僅帶來良率問題和更高的成本，還會在相同晶圓投入下消耗更多的 DRAM 產能。
越多的晶圓被用於生產 HBM，意味著可用於通用 DRAM 的產能隨之縮減，進一步加劇了供給短缺。而供給越緊，價格和毛利率就被推得越高，通用 DRAM 反而成了這一輪產能擠兌中的最大受益者。
從瑞銀的出貨量預測來看，美光的 HBM 季度出貨量預計將從 2025 年初的 0.1 EB 逐步增長至 2027 年底的 0.43 EB。出貨量在增長，但毛利率卻跑不贏通用 DRAM，說明 HBM 的“單位經濟帳”並不比通用 DRAM 更好看。
這給美光帶來了一道微妙的戰略選擇題。面對 SK 海力士與三星在 HBM4 上的激烈競爭，美光不會輕易放棄 HBM 市場。但將更多產能轉向 HBM，反而會進一步壓縮通用 DRAM 的供給，推高後者的毛利率。也就是說，美光在 HBM 上每多投入一分產能，反而可能讓通用 DRAM 的利潤再漲一截。聽上去很奇怪，但這是事實，企業需要找到一個維持HBM產量和DRAM高昂利潤的產能平衡點。
好景顯然不會永遠持續。另一份報告指出，手握約 380 億美元預付款的記憶體製造商們，其議價能力預計將在 2029 年開始減弱，市場天平將逐步向客戶傾斜。這意味著當前的高毛利窗口期可能只剩兩到三年。對於美光而言，如何在這段時間內平衡 HBM 的佈局與通用 DRAM 的利潤最大化，將決定其在下一輪周期到來前的儲備厚度。 (AMP實驗室)