摩根大通最新研究報告指出，2026年第二季度全球半導體行業盈利資料發出了明確的看漲訊號：行業需求強勁程度全面超出三個月前的預期，定價權正經歷著實質性的“上游擴散”——價格上漲的影響已從記憶體晶片蔓延至半導體裝置和材料領域。
台積電已將2026年資本支出計畫上調至600億至640億美元，英特爾上調至200億美元，SK海力士計畫投入40兆韓元。裝置製造商東京電子、Lam Research和應用材料均已上調晶圓廠裝置（WFE）市場預期，並通過提價提升毛利率。磷化銦襯底的供需缺口超過30%，AXT等供應商正在加速產能擴張。記憶體巨頭們正通過簽訂五年長期協議和巨額預付款鎖定利潤，SanDisk透露，即使按最低價格計算，毛利率仍保持在80%左右。與此同時，英特爾首席執行長陳立武聘請了前SK 海力士首席執行長李錫熙，採用輕資產架構定義加封裝代工模式重返記憶體器領域，與三星的 IDM 重資產模式形成差異化競爭。
資本支出全面增加，先進產能擴張加速
世界領先的晶片製造商正在積極增加資本支出計畫，資金主要流向成本較高的前端裝置，而後端裝置的需求也在同步增長。
台積電已將其2026年資本支出計畫上調約15%，從520億至560億美元大幅增至600億至640億美元，中值較上年同期增長52%。其中，70%至80%將用於先進工藝技術。管理層明確表示，公司正與裝置製造商緊密合作，確保裝置供應不會成為產能瓶頸。
英特爾已將其2026年全年資本支出從與上年基本持平（約180億美元）上調至200億美元，同比增長11%，其中裝置資本支出預計將同比增長40%，並預計2027年將進一步大幅增長。其18A節點將於2026年底投入量產，而14A節點計畫於2027年下半年進行風險試生產。
SK海力士宣佈了2026年資本支出計畫，總額達40兆韓元（約合280億美元），同比增長45%，並提前啟動了M15X的量產計畫。三星晶圓代工廠方面，Taylor Fab 1工廠將按計畫於2026年投產，並逐步提升2奈米製程的產能；Taylor Fab 2工廠計畫於今年破土動工，目標是在2030年實現量產。
裝置市場預測大幅上調，價格上漲推高毛利率
與三個月前相比，WFE市場前景更加明朗。裝置製造商不僅看到了更大的市場規模，更重要的是，他們通過“基於價值的定價策略”成功地將成本轉嫁出去，從而提高了毛利率。
主要裝置製造商對WFE市場預測的調整如下：
註：以上預測代表各製造商在 2026 年第二季度財報發佈期間的最新指引，反映了業界對 WFE 市場規模的普遍上調預期。
毛利率擴張已成為衡量盈利能力的核心指標。東京電子預計，到2027財年初，其毛利率有望達到50%，而2026年4月至6月期間的毛利率為47%。Lam Research第二季度的毛利率已達到52%，並計畫通過高附加值產品實現55%的目標。應用材料公司（AMAT）過去三年的毛利率增長了約300個基點，其半導體系統業務的毛利率已超過55%，這主要歸功於其成功的價值定價策略。
摩根大通認為，WFE 市場規模預測的持續上調，加上裝置製造商毛利率的實質性改善，意味著半導體裝置行業的盈利彈性被系統性地低估了。
磷化銦襯底差距超過30%，長期協議鎖定未來產能
在技術材料領域，磷化銦 (InP) 襯底正面臨極度短缺。Lumentum和Coherent都表示，市場需求比以往更加強勁，其中 Lumentum 指出，目前的供需缺口超過 30%。由於 InP 襯底供應是最大的制約因素，兩家公司都已與 AXT 簽署了長期協議。
產能正以數倍速度擴張：JX Advanced Metals計畫到2030年將其InP襯底產能擴大7至10倍；AXT的目標是到2026年底實現年產能同比增長3倍，季度銷售額達到6000萬美元，並在2027年底前進一步擴大2倍以上，銷售額超過1.3億美元。Coherent正在向6英吋襯底過渡，與3英吋晶圓相比，6英吋襯底的產量可提高四倍，同時成本減半並保持高良率。
記憶體細節浮出水面，預付款建立利潤“底價”
全球記憶體晶片製造商正逐步披露長期協議（LTA）的細節。這些協議不僅期限長，而且包含巨額預付款，從而顯著降低了價格波動風險。
三星電子已與五家資料中心客戶最終簽署了長期協議 (LTA)，另有五份協議正在最終談判階段。這些協議均採用滾動合同形式，期限為五年，預計將收到大筆預付款。SK海力士已簽署十份合同，期限均為五年，並附帶預付款。閃迪已簽署八份合同，其中三份是與美國超大規模雲服務提供商簽訂的，平均期限為四年，最長五年，可滿足其2027財年50%的位元需求和2028財年約三分之二的需求。
最引人注目的細節來自SanDisk的管理：即使在其浮動定價結構（包括價格上限和下限）的最低價格下，毛利率仍能達到約80%。這意味著即使在最悲觀的定價情景下，記憶體器製造商的盈利能力依然強勁。隨著更多長期協議（LTA）細節的披露，記憶體晶片行業的估值重估邏輯預計將逐步獲得市場認可。
英特爾重返記憶體領域的另一條路徑
與現有記憶體器製造商的重資產模式不同，英特爾正試圖通過“架構定義+封裝代工廠”的輕資產模式重新進入記憶體器領域。
英特爾首席執行長陳立步近日在一次公開採訪中透露，他已聘請前SK海力士首席執行長李錫熙擔任晶圓代工業務執行副總裁，直接負責先進封裝、系統整合和後端製造。李錫熙是SK海力士在2020年以90億美元收購英特爾NAND快閃記憶體業務的關鍵人物，並在HBM（高密度快閃記憶體）的研發中發揮了重要作用，在其任職期間，SK海力士的HBM市場份額攀升至約60%。
譚先生表示：“過去，我一直把記憶體視為利潤微薄的商品業務，拒絕涉足；但人工智慧時代完全不同了。我們正在開發全新的記憶體架構，並探索CPU和記憶體3D堆疊的整合解決方案。”
英特爾的具體路徑包括：利用EMIB和Foveros封裝技術與SK海力士進行深入的HBM合作，向客戶提供整合的“邏輯晶片+記憶體晶片+先進封裝”成品；與軟銀子公司SAIMEMORY合作開發ZAM對角堆疊記憶體技術，目標是在2030年左右實現量產，生產成本僅為HBM的60%，單晶片容量高達512GB；以及申請基於UCIe鏈路的後端整合記憶體解決方案的XBM專利。
然而，英特爾的核心弱點同樣顯而易見：它缺乏DRAM晶片製造能力，核心記憶體介質完全依賴外部採購，這使得它在供應緊張時期比三星等IDM廠商的議價能力更弱。ZAM架構要到2030年才能實現全面量產，而三星的zHBM預計將在2028年至2029年間上市，這造成了1-2年的市場劣勢。
從整個行業的角度來看，人工智慧時代記憶體領域的競爭格局已經從“誰能生產更多晶片”轉變為“誰能在系統架構層面最佳化計算和記憶體的整合”。三星正在走重資產定製路線，即自主研發IDM晶片並採用zHBM垂直堆疊技術；而英特爾則在走輕資產定製路線，即架構定義加上封裝代工。這兩條路線的碰撞將決定下一階段人工智慧基礎設施的競爭格局。(半導體芯聞)