美國投資銀行高盛（Goldman Sachs）8月24日發佈的一份研究報告指出，儘管光刻裝置仍是制約中國半導體完全自主的最薄弱環節，但中國大陸晶圓代工廠的快速擴產正推動先進晶片供需缺口在未來十年內大幅縮小。
報告預測，2025年至2035年間，採用7奈米及以下先進製程的晶圓供給將以46% 的復合年增長率擴張，遠超同期國內需求17% 的增長預期。這一增速將推動中國先進製程晶圓月產能從當前水平增長至41萬片，而同期國內需求預計為61.9萬片，供需缺口將從2025年的92% 縮小至34%。
高盛模型假設中國最大晶圓代工廠中芯國際（SMIC）在2026至2031年間每年新增3萬至5萬片先進節點晶圓月產能，此後至2035年每年再增2萬片。同時假設其先進製程良率從2026年的23% 提升至2030年的50%，並在2035年達到75%。作為參照，全球晶圓代工龍頭台積電（TSMC）自2018年量產7奈米晶片以來，根據晶片設計和裸片尺寸不同，良率可超過90%。
報告指出，中國晶片自給率按產量計已在2026年6月達到約70%，而2010年1月僅為38%；但按產值衡量，自給率的缺口仍遠大於產量資料。
快速擴產預計將引發中國半導體投資的又一波浪潮。高盛預測，中國晶片資本支出將在2020年代保持兩位數年度增長，至2030年達到820億美元，較一年前的預測上調79%。中國晶圓製造裝置市場預計在2027年達到530億美元，其中本土裝置供應商的份額將從2025年的26% 提升至2028年的38%。中國裝置製造商已從刻蝕、沉積等傳統優勢領域向離子注入、檢測與量測等更具挑戰性的類別擴展。
然而，光刻裝置仍是國產裝置生態中最顯眼的短板。中國幾乎所有的先進深紫外（DUV）光刻機仍依賴荷蘭ASML供應，其中部分型號已被美國限製出口，而ASML最尖端的極紫外（EUV）光刻裝置則被完全封鎖。被寄予厚望的上海微電子裝備集團（SMEE）在先進光刻系統研發上仍遠落後於全球同行。(晶片行業)