有觀察人士指出，未來十年，隨著中國在中美科技競爭中著力推進半導體自主研發和實力提升，中國將大幅降低對7奈米及以下製程先進晶片海外供應的依賴。
據財新和《南華早報》8月25日（當地時間）報導，美國投資銀行高盛近期在其題為《持續推進中國半導體國產化》的報告中預測，到2035年，中國7奈米及以下製程晶圓的供需缺口將縮小至34%。
儘管去年中國7奈米及以下製程晶圓的供需缺口高達92%，但預測顯示，到2035年，中國7奈米及以下製程晶圓的月需求量將增至61.9萬片，而供應量將增至41萬片，從而有望將供需缺口縮小至34%。
高盛預測，2025年至2035年間，中國先進工藝晶圓供應的復合年增長率（CAGR）將達到46%，遠超17%的需求增長率。同時，高盛預測，中國最大的晶圓代工廠（代工半導體製造商）中芯國際將通過積極擴大產能和提高良率引領這一趨勢。
高盛預計，中芯國際先進晶圓的月產能將在2026年至2031年間每年增加3萬至5萬片，並在2032年至2035年間每年增加2萬片。高盛還預計，良率將從今年的23%提升至2030年的50%，並在2035年達到75%。
在美國限制中國獲取先進半導體供應鏈的背景下，中芯國際在2023年為華為手機生產了7奈米半導體。
高盛指出，儘管中國半導體自給率在去年6月已達到70%（按數量計），而2010年1月僅為38%，但按價值計，中國仍未達到這一水平。關於中國半導體行業投資擴張，高盛預測，到2030年，半導體資本支出將達到820億美元（約合113.6兆韓元），年增長率將保持兩位數。
這一數字比高盛一年前的預測高出79%，高盛認為人工智慧（AI）需求的增長以及中國國內半導體生態系統建設的進展是推動這一增長的積極因素。
因此，儘管中國半導體製造裝置市場預計將會增長，但對ASML先進深紫外（DUV）光刻裝置的依賴仍被視為一項挑戰。(大話晶片)