據韓國經濟日報（SEDaily）8月31日報導，隨著人工智慧（AI）建設對高頻寬記憶體（HBM）需求的持續飆升，三星電子已將其高達70%的記憶體器產能通過長期供應協議（LTA）鎖定，合同期限延伸至2031年。這一戰略舉措正在深刻改變傳統記憶體市場的周期性特徵，同時也導致現貨市場價格與長協價之間出現高達4-5倍的巨大價差。
長協模式鎖定更多產能，但價格僅現貨價1/5
三星電子在7月30日的第二季度財報電話會議上已明確披露了這一規劃。三星表示，計畫將總生產能力的60%至70% 通過LTA進行分配，並已與全球前五巨量資料中心客戶完成了合同簽署，並正與另外5家主要客戶進行最終階段談判。據SEDaily最新的報導，這些LTA的主要客戶包括微軟（Microsoft）、輝達（NVIDIA）和Google（Google） 。
三星記憶體業務負責人金在俊（Jaejune Kim）在財報電話會上表示：“幾乎所有客戶都在尋求LTA，我們在可用產能範圍內難以滿足所有供應請求。”他進一步透露，為維持充足的供應靈活性，公司計畫將總產能的約60%-70%分配給LTA，合同期限以5年為基本單位，並採用“滾動”方式每年協商續約，同時加入預付款條款以增強合同約束力。
分析師指出，LTA正在成為消除記憶體市場周期性波動的關鍵因素。長期協議為供應商提供了需求可見性，同時也為大型科技客戶確保了未來數年的關鍵部件供應。
不過，長協價格與現貨市場價格之間的差異極為顯著。據SEDaily披露的資料，36GB容量的HBM3E模組在現貨市場的單價約為287萬韓元（約合2100美元） ，而相同產品的LTA協議價格僅在50萬至70萬韓元區間，兩者相差4到5倍。
DRAM價格仍在上漲
韓國貿易協會的資料顯示，7月份DRAM出口數量為5.9174億個，同比下降13.2%；但出口額卻達到135.5億美元，同比增長18.5%，出口單價從16.76美元飆升至22.9美元，漲幅達36.6%。
這一“量降價升”悖論源於多重因素：隨著HBM4量產的推進，新一代HBM需要消耗更多DRAM層數（16層），且初期良率低於成熟的HBM3E，導致生產過程中消耗的DRAM晶圓大幅增加，不僅導致HBM4初期成本高昂，也擠壓了通用DRAM的供給。
比如，正在逐步量產的HBM4 16層堆疊產品在非長協管道的價格已達480萬韓元（約合3500美元） 。隨著HBM4進入大規模生產階段，HBM平均出口單價已從第一季度的40.94美元躍升至第二季度的60.22美元，漲幅約47%。
韓國半導體產業協會專務安基賢也解釋稱：“HBM每次升級換代，良率都會出現階段性下降。HBM4價格已是前代產品的兩倍左右，企業在增產過程中消耗的DRAM量也隨之增加，最終導致整體出口量減少。”
與此同時，三星等廠商將大量產能通過LTA鎖定，進一步加劇了現貨DRAM市場的供應緊張。
供應緊張仍將持續
三星高管在財報會議上預計，AI引發的記憶體器供應短缺可能持續至2028年。新建晶圓廠從開工到真正投產通常需要3年以上時間，這意味著2028年之前顯著的新增供給難以出現。
韓國貿易協會首席研究員都元彬指出：“半導體產品生產出來即被全部出口，短期內難以擴大產能，單價走高是不可避免的趨勢。”
面對持續緊繃的供應形勢，韓國兩大記憶體器廠商正加速產能擴張步伐。三星電子正考慮將平澤園區的S5代工生產線轉換為記憶體器生產設施；SK海力士則正探討與日本企業合作建立合資工廠的可能性。
SK集團會長崔泰源在出席日本仙台舉行的韓日商工會議所會長團會議時透露：“（SK海力士）正在探討在日本設立半導體合資工廠的方案。”
小結：
隨著長協模式的深化和產能鎖定的延續，記憶體市場正從傳統的周期性波動走向更為穩定的結構性供給格局。但對於未能鎖定長協的買家而言，現貨市場的高昂價格和供應緊張局面短期內料將持續。(芯智訊)