儲存晶片漲價傳聞不斷！ 據最新消息，瑞銀日前在其最新發佈的報告中大幅上調儲存價格預期，該行預計第三季度DDR合約價格將環比上漲32%，第四季度環比上漲18%。此前，瑞銀預測的環比漲幅分別為17%和12%。 此外，瑞銀認為，價格上漲將帶動記憶體行業在2026年實現9920億美元（約合人民幣6.73兆元）營收。該行預計，DRAM行業供需緊張將至少持續至2028年上半年。 而在昨日（7月3日），有韓國媒體報導稱，三星電子計畫將第三季度DRAM（動態隨機存取儲存器）的平均售價上調最高20%。另據第一財經今日（7月4日）上午報導，有消費電子終端廠商稱，已收到三星關於DRAM提價的口頭通知。

據瞭解，國記憶體儲半導體行業正計畫在今年第三季度將通用DRAM的平均售價（ASP）比上一季度提高20%。 鑑於人工智慧基礎設施投資導致整個儲存裝置供應持續短缺，儲存裝置公司採取此舉被解讀為繼續專注於利潤最大化的策略。業內人士表示，儘管價格上漲速度可能會放緩，但高利潤的趨勢將持續到明年。 據業內人士3日透露，三星電子目前正在與客戶進行談判，目標是將今年第三季度DRAM的平均售價比上一季度提高20%。 由於全球大型科技公司大力投資人工智慧基礎設施，DRAM價格一直處於快速上漲趨勢。這是因為整體供應短缺加劇，不僅影響伺服器DRAM和高頻寬記憶體（HBM），也影響到低功耗DRAM（LPDDR），而LPDDR正是人工智慧推理領域的熱門產品。

🧠 DRAM 價格暴漲 81%：這不是周期，這是結構性重塑 "歷史上每一次記憶體價格的劇烈波動，背後都不只是供需錯位——而是產業權力格局的重新排列。" 2026年6月 · TrendForce 資料播報 📡 聚焦

TrendForce 最新記憶體調查，今年第二季行動DRAM 合約價持續大幅上揚，智慧型手機品牌面臨更沉重的成本壓力。韓系兩大原廠價格策略出現分化，三星傾向一次到位，漲幅相對顯著；從SK 海力士目前臨時報價看來，漲幅相對溫和，采循序墊高的策略，預估5 月下旬才會完成定價。整體而言，TrendForce 預測第二季LPDDR4X 平均銷售單價（ASP）至少季增70%~75%，LPDDR5X 季增78%~83%。 連續數季的高額漲幅使手機品牌成本壓力日益沉重，除了壓縮今年智慧型手機全年生產總數，品牌廠2025年底與原廠簽訂的LTA位元採購量恐怕也難達成。 高價DRAM常態下，手機端被迫重新調整規格配置。高階以12GB為主，16GB縮減；中階回歸8GB核心；低階收斂至4GB。 2GB / 3GB逐步淘汰與低配機減產後，今年全球平均容量仍推升至8.5GB，年增10%。 這場由供給端強勢主導的記憶體價格戰，未來幾季會持續對全球手機產業施加深遠且沉重的壓力。 TrendForce指出，手機品牌被迫採取更積極的因應策略，包括協調App開發業者調降記憶體容量耗用、發展更多依賴雲端資源的服務模式，唯有從軟體、系統架構同步著手，才能在成本壓力與需求放緩的雙重挑戰下，維持營運韌性與品牌競爭力。 (半導體芯聞)

行業預估資料顯示，由於雲服務提供商（CSP）在人工智慧基礎設施領域的投入持續高企，動態隨機存取儲存器（DRAM）與快閃記憶體（NAND flash）的供應增長始終無法跟上需求擴張的步伐，2026 年全年全球記憶體市場預計將持續處於供不應求的緊張狀態，進而推動產品價格走高。此番市場前景的預測，源於記憶體製造商們跌宕起伏的 2025 年。這一年，廠商們年初還在應對地緣政治不確定性帶來的衝擊，以及庫存過剩的遺留問題，到了下半年，市場供需格局卻驟然收緊。分析師認為，隨著人工智慧伺服器佔據行業產能的比例不斷攀升，供應商紛紛將產能向利潤率更高的產品傾斜，這種供需失衡的狀態還將持續。行業預估顯示，2026 年 DRAM 的位元供應量增幅約為 15% 至 20%，而需求增速預計將更快，達到 20% 至 25% 左右。NAND 快閃記憶體市場也呈現出類似的態勢，其位元供應量增幅為 13% 至 18%，相比之下，需求增幅則達到 18% 至 23%。這一供需缺口在伺服器應用領域表現得最為突出。分析師預計，在各大雲平台持續加大人工智慧訓練與推理業務投入的驅動下，2026 年伺服器領域的 DRAM 和 NAND 快閃記憶體消耗量將同比激增 40% 至 50%。DDR4 逐步退市，加劇傳統產品供應壓力傳統 DRAM 產線的快速減產，已成為引發記憶體短缺的核心因素。頭部供應商正加速淘汰 DDR4 相關產線，將晶圓產能重新分配給更新型、利潤率更高的產品。業內消息稱，到 2026 年下半年，三星電子和 SK 海力士的 DDR4 晶圓開工佔比預計將降至個位數低位，這將導致 DDR4 的市場供應量大幅縮減。產能收縮直接推動 DDR4 價格強勢反彈。儘管部分領域正逐步向 DDR5 平台過渡，但 2025 年第四季度，DDR4 與 DDR5 的現貨價差進一步拉大，這也印證了市場對 DDR4 這一老規格產品的需求仍在持續。市場從業者預估，2026 年 DDR4 的供應量將持續比需求量短缺約 10%，這一局面將支撐其價格在至少 2026 年下半年之前保持高位運行。台灣地區的記憶體供應商已從這一市場變化中獲益。南亞科技進一步鞏固了其全球最大 DDR4 供應商的地位，華邦電子則增加資本支出，擴大產能規模。據業內消息透露，華邦電子計畫將其高雄工廠的月產能從約 1.4 萬片晶圓，提升至 2.4 萬至 2.5 萬片。高頻寬記憶體（HBM）擠佔 DDR5 產能隨著高頻寬記憶體（HBM）在高端產能中的佔比不斷提升，記憶體供應壓力正進一步加劇。行業預估顯示，SK 海力士、美光科技以及三星電子的 HBM3E 產能已基本被預訂一空。目前 SK 海力士的 HBM4 產品已通過客戶驗證，業內預計其他競爭對手也將迅速跟進佈局 HBM4，這將進一步擠壓標準 DDR5 的產能空間。與此同時，人工智慧伺服器與新一代中央處理器（CPU）平台正逐步採用更大容量的 DDR5 RDIMM 記憶體配置，這也促使供應商將更多精力集中在企業級與人工智慧相關的產品上。市場預估資料顯示，三星 64GB DDR5 RDIMM 記憶體的合約價已從 2025 年第三季度的約 265 美元，上漲至第四季度的約 450 美元，到 2026 年第一季度，其價格或將逼近 480 美元，後續仍存在繼續上漲的可能性。分析師指出，不含 HBM 在內，傳統 DRAM 產品的價格在 2025 年第四季度上漲了近 50% 甚至更高。這一漲價勢頭預計將延續至 2026 年上半年，而從供需缺口的規模來看，即便到 2026 年下半年，產品價格的回落空間也十分有限。2026 年，市場對 128GB 及更大容量 DDR5 記憶體模組，以及採用 LPDDR5X 規格的 SOCAMM2 記憶體配置的需求，預計將佔據 DRAM 產能的更大份額。此外，HBM4 的生產不僅會消耗更多晶圓，還涉及更為複雜的良率管控，這都將進一步加劇記憶體市場的結構性供應壓力。隨著記憶體製造商紛紛暫停公開報價，並持續上調產品價格，非人工智慧領域與消費級市場的採購商正面臨採購成本攀升與貨源緊缺的雙重難題。NAND 快閃記憶體產能擴張難紓供應困境在 NAND 快閃記憶體領域，產能擴張的處理程序同樣受到制約。儘管鎧俠與長江儲存均在建設新的生產基地，但業內消息稱，這些新產能要到 2026 年第二季度才有可能實現可觀的產量貢獻，短期內難以對市場供應格局產生實質性影響。人工智慧推理業務的爆發，也正在重塑 NAND 快閃記憶體的市場需求結構。2025 年，推理相關基礎設施的資本投入規模已超過訓練業務，預計 2026 年這一投入還將進一步增長，進而推動企業級固態硬碟（SSD）需求快速攀升。北美雲服務營運商對 128TB 至 256TB 大容量固態硬碟的需求日益旺盛，這也促使廠商們從三層單元（TLC）NAND 快閃記憶體技術，轉向四層單元（QLC）技術，以實現成本與儲存密度的平衡。雲服務提供商的大規模產能預訂，已推動 NAND 快閃記憶體價格大幅上漲。市場預估顯示，2025 年第四季度 NAND 晶圓價格環比暴漲約 95% 至 100%，部分採購商即便願意支付更高價格，也依然難以獲得穩定貨源。分析師預計，NAND 快閃記憶體的供應短缺與價格上漲態勢將延續至 2026 年，不過價格上漲的節奏或將有所放緩。記憶體模組廠商承壓，利潤率面臨考驗緊張的供應形勢，正迫使記憶體模組廠商採取限量出貨策略，並優先保障戰略客戶的訂單需求。雖然產品平均售價的走高支撐了營收增長，但原材料成本的持續攀升正不斷擠壓廠商的利潤率，同時也使得廠商之間的貨源爭奪愈發激烈。威剛科技表示，2026 年記憶體模組市場的兩極分化態勢或將加劇，部分廠商能夠獲得穩定的晶片供應，而另一些廠商則將持續面臨貨源短缺的困境。工業級記憶體供應商宜鼎國際指出，雲人工智慧業務將成為 2026 年市場的核心增長驅動力，人工智慧推理與邊緣計算應用的加速落地，或將利多那些已佈局人工智慧相關產品線的廠商。主控晶片製造商群聯電子透露，公司已在行業淡季期間鎖定了部分 2026 年的晶片供應，但這些產能仍無法滿足市場需求。群聯電子預計，記憶體市場的供需失衡狀態將持續數年，並計畫縮減零售市場的出貨量，將資源集中投向附加值更高的企業級客戶。分析師提醒，當前市場仍存在諸多風險因素，包括高端記憶體產品生產過程中的技術落地難題，以及雲服務提供商資本支出可能出現的波動。展望 2026 年，在人工智慧驅動的強勁需求，以及結構性供應約束的雙重作用下，記憶體市場的定價權仍將牢牢掌握在記憶體晶片製造商手中。 (半導體芯聞)