全球矽晶圓供需缺口將從2026年底約8%，擴大至2027年的15%、2028年的24%。
AI算力競賽推升矽晶圓需求，產業供需拐點顯現。隨著HBM、2奈米以下先進邏輯晶片同步擴產，機構預估，全球矽晶圓供需缺口將從2026年底約8%，擴大至2027年的15%、2028年的24%，行業景氣有望重回上行周期。
機構指出，2027年年中將是關鍵轉折點。隨著客戶庫存逐步回歸正常水平，HBM、DRAM以及先進邏輯晶片新增產能同步投產，如果供給擴張速度無法跟上，2027年下半年至2028年上半年或將迎來新一輪缺貨與搶貨潮。
需求回暖已有跡可循。SEMI統計，2026年第二季度全球矽晶圓出貨面積達35.73億平方英吋，環比增長9.1%、同比增長7.4%，增長動力主要來自AI相關需求，並由先進邏輯、記憶體器進一步拓展至功率器件及光子領域。
供給端，機構估算，2026年全球12英吋矽晶圓月產能約1069萬片，同比增長7%；2027年僅增長約3%至1100萬片；2028年增長約6%至1170萬～1176萬片。新增供給包括環球晶圓二期初期約30萬片產能，以及合晶約10萬片產能。
相比溫和增長的供給，AI帶動的需求增速更快，HBM成為重要驅動力。機構預估，2027、2028年HBM所用矽晶圓消耗量分別同比增長23%、28%；伴隨HBM迭代升級、單顆容量提升，DRAM晶圓投入量持續走高。
普通DRAM廠商也將開啟擴產，新產能自2027年起陸續投產，到2028年新增月產能約35萬～45萬片，主要來自三星、SK海力士、美光及長鑫記憶體等企業。
先進邏輯晶片是另一大需求來源。AI拉動3奈米、2奈米及以下製程擴產，台積電、三星與英特爾同步建設先進產能，其中台積電N2、A16及A14製程持續擴產。機構預估，2027、2028年邏輯製程矽晶圓消耗量分別同比增長12%、11%。
供應鏈透露，台積電近期首次對外釋放明年2/3奈米擴產規劃，希望合作廠商一同全力推進。據瞭解，台積電3奈米月產能在去年底達到12萬‑13萬片，今年底將進一步擴充至18萬片。儘管2奈米實現量產後，3奈米已經不再是台積電最先進製程，但市場需求依舊旺盛，台積電因此持續擴大3奈米產能，目標到明年中期3奈米月產能突破21萬片，半年增幅超一成；換算來看，2025年底至2027年年中這一年半時間，產能增幅接近七成。在2奈米方面，供應鏈表示，台積電今年底月產能將達到9萬片，明年中期進一步提升至11萬片，半年產能增幅超兩成。
台積電此前表示，2026年資本支出將落在600億‑640億美元區間，其中約70%‑80%投入先進製程。公司正在新建三座3奈米晶圓廠，分別佈局於台灣、美國亞利桑那州以及日本；同時，還在台灣持續改造5奈米裝置，用來擴充3奈米產能。
目前客戶矽晶圓庫存仍維持在100～120天，距離50～70天的正常水平還需要一段時間消化。機構認為，隨著庫存去化疊加AI需求升溫，2027年年中矽晶圓供需拐點訊號會更加清晰。 (半導體產業縱橫)