美國小型初創公司 Substrate 於10月29日宣佈,已研發出一款新型X射線光刻裝置,能夠與荷蘭ASML最先進的EUV光刻機競爭。這家總部位於舊金山的公司獲得了彼得·泰爾的Founders Fund等機構1億美元投資,估值已超過10億美元。更為雄心勃勃的是,Substrate計畫憑藉這一技術建設美國本土的晶片製造廠,直接挑戰台積電在全球晶片代工領域的主導地位。一、從粒子加速器到X射線光刻Substrate的技術核心是一種新型的X射線光刻系統,它採用粒子加速器來產生短波長的X射線光源。與傳統的光刻技術相比,這種方法在技術路徑上有著根本性的不同。在Substrate的系統中,粒子加速器利用強大的電場加速電子脈衝,使電子速度提高到接近光速。這些高能電子在通過一系列交變磁場時,會以極其明亮、強烈的光的形式釋放能量,形成比太陽亮數十億倍的光束。這些X射線光束隨後被傳輸和整形,直接進入光刻工具,在矽片上刻劃微細的電路圖案。Substrate聲稱,他們的技術已經能夠在300mm晶圓上實現12奈米臨界尺寸和13奈米尖端間距的圖案,這與ASML的High-NA EUV光刻機的解析度相當,對應著業界最先進的2奈米製程工藝。二、成本與性能的雙重突破Substrate的技術最引人注目的優勢在於其大幅降低成本的潛力。該公司聲稱,他們的技術可以將尖端矽片的生產成本從預估的10萬美元降低到“接近1萬美元”,降幅高達90%。這種成本削減主要來自幾個方面:光刻裝置本身的成本遠低於ASML的EUV光刻機,同時新技術摒棄了多重曝光流程,簡化了生產工藝。ASML的EUV光刻機每台售價超過1.5億美元,而High NA EUV型號更是高達近4億美元。相比之下,Substrate的裝置預計將更便宜、更小巧。在性能方面,Substrate的X射線光刻技術承諾實現所有圖層的單次曝光,無需多次曝光流程。對於2奈米及更先進製程,這意味著大幅簡化的生產流程和更高的生產效率。該公司宣稱,其系統展示的全晶圓關鍵尺寸均勻性(CDU)達到0.25奈米,這一指標甚至超過了ASML 3800E掃描器0.7奈米的水平。三、產業化挑戰:從實驗室到工廠的漫漫長路儘管Substrate的宣傳引人注目,但實現其產業化目標面臨著巨大挑戰。半導體製造業以其高資本投入和極端複雜性而聞名,想要顛覆現有格局絕非易事。ASML耗時二十多年、投入超過100億美元才研發出EUV光刻技術。Substrate要在短短幾年內複製這一成就,難度可想而知。技術可行性是Substrate面臨的首要質疑。伯恩斯坦分析師David Dai指出,X射線光刻技術並非全新概念,此前許多嘗試都未能成功將其商業化。由於X射線幾乎會被所有材料強烈吸收,難以製造出像EUV那樣高效的多層膜反射鏡來操控光束。這可能導致X射線光刻不得不採用接近式“直寫光刻”,但在解析度和產能上會帶來新的限制。規模化生產是另一大挑戰。晶片製造是高度工業化的行業,從實驗室技術到量產工具之間存在巨大鴻溝,涉及裝置穩定性、產能爬升、成本控制等諸多挑戰。Substrate的計畫是在2028年開始大規模生產晶片,這一時間表在業內看來可能過於樂觀。此外,Substrate還面臨著生態系統建設的難題。一整套圍繞X射線光刻的配套技術,如掩範本、保護膜等,目前幾乎都是空白,需要從零開始建構。而且,Substrate的裝置與現有晶片生產裝置不相容,這意味著他們必須重新建構整個供應鏈。因此,如果Substrate XRL技術得到驗證,它將在晶片製造和晶圓成本方面實現光刻性能的革命性提升。但Substrate需要克服晶片製造領域幾乎所有的核心技術難題。而這一切,都需要在保證成本效益的前提下實現。但對於一個已經被少數巨頭壟斷數十年的行業來說,有新的挑戰者帶來不同的技術思路,總歸是令人振奮的;然而想要徹底顛覆確實不僅需要技術、實力,同時也需要一點運氣,距離真正量產還有漫長道路。另外,中國在這個領域也有多項類似的探索。雖然目前還沒有運行中的國產ArFi DUV光刻機,但未來幾年應該能夠實現。我們已經在通過多個不同的團隊,包括使用先進的自由電子雷射器、粒子加速器、同步加速器(類似Substrate),開展極紫外(EUV)、高數值孔徑極紫外(High-NA EUV)和X射線雷射(XRL)技術的研究。未來,光刻機格局將如何發展?ASML會被顛覆嗎? (飆叔科技洞察)