採用氮化鎵的LED 照明已大幅減少了全球的用電量，預計十年後節省的電量可能高達46%。但在電力消耗方面，另一種電子技術可能在減少全球碳排放的關鍵驅動力中發揮更大的價值，那就是電力轉換。

大多數人完全不知道電力轉換技術如何影響他們，但這個過程在全球範圍內每天發生數萬億次，並使從移動電話到電動汽車到醫療和工業系統的任何東西都能正常運行，但由於實現這一過程的電子設備和系統效率低下，每天都會浪費大量地球能源。

GaN 和SiC 都屬於一類稱為寬頻隙半導體的裝置。半導體的帶隙定義為電子從價帶躍遷到導帶所需的能量（以電子伏特為單位）。價帶只是電子佔據的任何特定材料的原子的最外層電子軌道。

價帶的最高佔據能態與導帶的最低未佔據能態之間的能量差稱為帶隙，表示材料的電導率。大帶隙意味著需要大量能量將價電子激發到導帶。相反，當價帶和導帶像金屬中那樣重疊時，電子可以輕鬆地在兩個帶之間跳躍，這意味著該材料被歸類為高導電性。

導體、絕緣體和半導體之間的差異可以透過它們的帶隙有多大來顯示。絕緣體的特徵是帶隙大，因此需要大量的能量將電子移出價帶以形成電流。導體的導帶和價帶之間有重疊，因此此類導體中的價電子是自由的。

然而，半導體的帶隙很小，允許材料的少量價電子移動到導帶中。這種特性使它們具有導體和絕緣體之間的導電性，這也是它們非常適合電路的部分原因，因為它們不會像導體一樣造成短路。

GaN 和SiC 裝置在提高功率轉換效率並從而節省大量電力方面已經展現出巨大的潛力。

目前看來兩者都將在功率轉換領域找到有價值的位置。但有哪些差異呢？

基於SiC的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET) 具有故障開放元件的優點。

這意味著如果電路故障，設備就會停止傳導電流。這消除了故障可能導致短路以及可能的火災或爆炸的可能性。然而，這種有益的、有時是必要的特徵確實意味著它的電子移動速度不那麼快，不幸的是，這會增加電阻，成為高效功率轉換的主要敵人。

GaN 基元件確實具有高電子遷移率。GaN 電晶體有所不同，因為流經元件的大部分電流是由電子速度而不是電荷量決定的。這意味著電荷必須進入設備才能打開或關閉它。這減少了每個開關週期所需的能量，並提供更有效率的功率轉換操作。

但必須記住，有時GaN 和SiC 的不同操作特性和後續優勢在某些應用中可能是有益的，而不是將某項特定技術視為贏家。

讓我們來看看汽車製造商以及他們在涉及電動車(EV) 設計的寬頻隙決策時的選擇，特別是車輛逆變器的工作（從根本上講是功率轉換）。

電動車需要逆變器將鋰電池的直流電轉換為車輛電動馬達可以使用的交流電。馬斯克(Elon Musk)為他的特斯拉汽車選擇了SiC裝置供應商，現在中國汽車製造商比亞迪、豐田、現代和梅賽德斯也紛紛效仿。

然而，對於汽車製造商來說，SiC 裝置並沒有完全按照自己的方式行事。

GaN 的更高開關速度對於電動車逆變器來說是一個強大的優勢，因為它們使用硬開關。這樣可以透過快速從開到關切換來縮短裝置保持高電壓和通過高電流的時間，從而提高效能。

除了逆變器外，電動車通常還配有車載充電器，可透過將交流電轉換為直流電來為車輛充電。在這方面，GaN 再次非常有吸引力。

在汽車應用中使用SiC 會帶來一些挑戰。SiC 基板價格不菲，佔此裝置生產材料成本的近50%。SiC本質上也是一種低成品率的製造工藝，而且晶圓是透明的，需要昂貴的計量設備來監控該工藝。

製造SiC裝置比製造Si基半導體更困難，而且SiC的硬度使得蝕刻和閘極氧化製程變得困難。

在汽車製造方面，汽車製造商需要大量供應產品來維持生產線的運轉，而碳化矽的供應有限，這是其在汽車產業中採用的另一個障礙。

與SiC 相比，GaN 生長在更便宜的Si 基板上。然而，與SiC 相比，它們確實需要更大的晶片尺寸來實現高電流應用。

使用矽基板有時會導致晶格失配和位錯等問題，進而導致閘極電流洩漏和可靠性降低，汽車製造商對組件的可靠性感到偏執，因為操作故障會導致汽車保固退貨，並隨後從汽車製造商的利潤中分一杯羹。

誠然，GaN 的這些問題可以透過更堅固的外延層輕鬆解決，但這反過來又會增加組件的整體成本，而且汽車製造商在供應組件的價格方面再次具有高度的成本意識。

創建適合汽車用途的半導體裝置始終必須考慮溫度因素，並且由於GaN 生長在Si 基板上，因此其導熱率取決於Si 基板的性能。

GaN對於高功率汽車應用（10kW以上）確實有局限性，並且是600V以下設備的首選，但它確實有潛力進入多電平功率拓撲的逆變器市場。由於汽車製造商需要不斷增加的電力來實現資訊娛樂、快速通訊、攝影機和雷達等功能，因此人們對48V 系統的興趣與日俱增。在這方面，GaN是合適的，因為它具有成本競爭力。

如前所述，GaN 可以節省系統級成本。裝置和系統成本取決於基板成本、晶圓製造、封裝和製造過程中的總產量。

SiC 和GaN 可滿足不同的電壓、功率和應用需求。SiC 可處理高達1,200V 的電壓水平，並具有高載流能力。這使得它們適合汽車逆變器和太陽能發電場的應用。

另外，由於其高頻開關能力及其成本優勢，GaN 已成為許多設計人員在<10 kW 應用中的首選裝置。

因此，這些只是兩種帶隙技術之間的一些操作差異，現階段不可能回答哪一個將成為整體贏家的主要問題，主要是因為兩者在性能方面都在不斷發展。

展望未來，電力電子產業正關注氧化鎵等新興材料。雖然氧化鎵具有廣闊的潛力，但鑑於該行業的保守性質，其採用將是漸進的。這些新型材料在高功率場景中的廣泛接受和應用將取決於它們建立可靠記錄的能力。

就GaN 而言，它能夠提供非常快速的開關，同時在高溫下工作。它還具有尺寸優勢，被認為具有低碳足跡，並且在製造成本方面非常合理。

從SiC 的角度來看，這些設備的製造商在電動車市場上的情況看起來不錯。

顧問公司麥肯錫表示，800V純電動車（BEV）最有可能使用基於SiC的逆變器，因為其效率高，預計到本十年末，BEV將佔電動車的75%市場。

拋開這兩種技術之間的技術差異，分析師和專家對它們在本十年餘下時間裡的銷售情況有何看法？

從產業權威人士的平均觀點來看，SiC 似乎表現良好，銷售額將達到29% 的複合年增長率(CAGR)，到2030 年全球銷售額將達到120 億歐元。

GaN 裝置銷售的財務狀況看起來同樣樂觀。儘管市場分析師的複合年增長率數據往往存在較大差異，但總體平均數字為26%，到2030 年銷售額應達到約100 億歐元。

因此，就技術能力、應用多功能性以及為半導體公司賺大錢的能力而言，GaN 和Sic 沒有太多區別，因此，如果要在帶隙競賽中產生最終的獲勝者，它將是就看誰能展示出最具顛覆性的技術。（半導體材料與製程設備）

半導體材料是製作半導體器件和集成電路的電子材料，是半導體工業的基礎。利用半導體材料製作的各種各樣的半導體器件和集成電路，促進了現代信息社會的飛速發展。

絕緣體、半導體和導體的典型電導率範圍

半導體材料的研究開始於19世紀初期。
元素半導體是由單一種類的原子組成的那些，例如矽（Si），元素週期表IV列中的鍺（Ge）和錫（Sn），元素週期表VI 列中的硒（Se）和碲（Te）。然而，存在許多由兩個或更多個元素組成的化合物半導體。例如，砷化鎵（GaAs）是二元III-V化合物，它是第三列的鎵（Ga）和第五列的砷（As）的組合。三元化合物可以由三個不同列的元素形成，例如，碲化汞銦（HgIn2Te4），一種II-III-VI化合物。它們也可以由兩列中的元素形成，例如砷化鋁鎵（Al x Ga 1- x As），這是一種三元III-V化合物，其中Al和Ga都來自第三列，並且下標x相關從100％Al （x=1）到100％Ga （x=0）的兩種元素的組成。

純矽是集成電路應用中最重要的材料，而III-V二元和三元化合物對發光最重要。

在1947年發明雙極晶體管之前，半導體僅用作兩端器件，例如整流器和光電二極管。在1950年代初期，鍺是主要的半導體材料。但是，事實證明，這種材料不適用於許多應用，因為這種材料製成的設備僅在適度升高的溫度下才會表現出高漏電流。自1960年代初以來，矽已成為迄今為止使用最廣泛的半導體，實際上已經取代了鍺作為器件製造的材料。造成這種情況的主要原因有兩個：（1）矽器件的漏電流要低得多，（2）二氧化矽（SiO2）是一種高質量的絕緣體，很容易作為基於矽的器件的一部分進行整合。因此，矽技術已經變得非常先進和普遍。

半導體材料發展之路及不同材料的特效比較

第一代的半導體材料：矽(Si)、鍺(Ge)

在半導體材料的發展歷史上，1990年代之前，作為第一代的半導體材料以矽材料為主佔絕對的統治地位。目前，半導體器件和集成電路仍然主要是用矽晶體材料製造的，矽器件構成了全球銷售的所有半導體產品的95％以上。矽半導體材料及其集成電路的發展導致了微型計算機的出現和整個信息產業的飛躍。

第二代半導體材料：砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP)

隨著以光通信為基礎的信息高速公路的崛起和社會信息化的發展，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代半導體材料嶄露頭角，並顯示其巨大的優越性。砷化鎵和磷化銦半導體激光器成為光通信系統中的關鍵器件，同時砷化鎵高速器件也開拓了光纖及移動通信的新產業。

第三代半導體材料：氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)



第三代半導體材料的興起，是以氮化鎵材料P型摻雜的突破為起點，以高效率藍綠光發光二極管和藍光半導體激光器的研製成功為標誌的，它在光顯示、光存儲、光照明等領域將有廣闊的應用前景。

以氮化鎵和碳化矽為代表的第三代半導體材料，具備高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及抗強輻射能力等優異性能，更適合於製作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，是固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、能源互聯網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景，有望突破傳統半導體技術的瓶頸，與第一代、第二代半導體技術互補，對節能減排、產業轉型升級、催生新的經濟增長點將發揮重要作用。

第三代半導體材料是目前全球戰略競爭新的製高點。也是我們國家的重點扶持行業。十二五”期間，863計劃重點支持了“第三代半導體器件製備及評價技術”項目。

第四代半導體材料：氧化鎵(Ga2O3)

氧化鎵（Ga2O3）結構圖及原子力顯微鏡圖像



作為新型的寬禁帶半導體材料,氧化鎵（Ga2O3）由於自身的優異性能,憑藉其比第三代半導體材料SiC和GaN更寬的禁帶，在紫外探測、高頻功率器件等領域吸引了越來越多的關注和研究。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作於Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。這些是氧化鎵的傳統應用領域，而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。

半導體材料的種類豐富多彩，除了上述典型材料，還有有機半導體、陶瓷半導體等材料，它們具有其獨特的性質和應用。（半導體材料與工藝設備）

中國外氮化鎵（GaN）產業鏈代表企業一覽表

全球碳化矽（SiC）器件設計公司列表

全球碳化矽（SiC）器件IDM公司列表

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