本周四（以下均為台北時間）美股暴力反彈，三大指數齊漲，記憶體全面大爆發，費城半導體指數上漲 8.19%，閃迪飆升 25.99%，美光科技大漲18.36%。

這帶動亞洲股市反彈，韓國綜合指數大漲 17.91%，創韓股歷史最大單日漲幅；SK海力士暴漲29.95%，三星電子暴漲26.8%；港股南方兩倍做多海力士暴漲67.68%。

社長在6月26日就發佈了音訊“社長說熱點75”《行情將修正，市場將回呼》，預測“三季度，記憶體晶片行情會出現比較明顯的回呼”。結果，7月份，全球記憶體晶片股票均大幅度回呼。

社長接著發佈音訊判斷“出現（納指）指數達到10%等級的回撤”。結果，截止7月29日，納斯達克綜合指數本輪最大回撤正好是10%。

社長在7月29日（反彈前一天）發表文章《泡沫的代價》，預測“這輪迴調後會有超跌反彈。機會就在大跌之際，但是，這輪機會並不好把握，反彈將像下跌一樣迅速。”結果，美股突然大反彈，而且反彈速度跟下跌一樣迅猛。如果不是冒險抄底，不易把握這次機會。

不過，本周五，儘管美國三大指數繼續上漲，但記憶體大跳水，美光科技下跌5.9%，閃迪下跌5.09%，SK海力士下跌3.54%。

問題來了，超跌反彈後，記憶體行情怎麼走？確認反彈趨勢？還是暴漲暴跌？風險在那裡？交易邏輯是否變化？這輪超級記憶體周期何時見頂？如何判斷？交易機會在那裡？

核心結論：股票先拐、漲幅已拐、利潤未拐

權益與風險偏好時鐘已在2026年6月轉向；一般型DRAM與NAND的合約價環比漲幅在3Q26驟降，確認價格動量拐點（二階導轉負）。絕對價格和行業利潤仍未見頂，基礎面綜合高點的基準窗口為4Q27-2Q28。

融資去槓桿：信用融資餘額由38.6328兆降至32.9950兆韓元，總額回落14.6%；以2025年末27.2865兆為本輪起點，新增融資已清除49.7%，仍殘留50.3%。結論是“過半但未完成”。[1-3]

記憶體價格：一般型DRAM合約價環比漲幅由1Q26的90%-95%、2Q26的58%-63%降至3Q26預測的13%-18%；NAND由55%-60%、70%-75%降至10%-15%。價格仍漲，但邊際定價權已明顯減弱，二階導轉負。[13-15]

供給分化：2026年NAND仍有4%-5%供給缺口，但2H27供給增速預計超過需求；HBM佔前三大廠DRAM晶圓投入將由2025年末18%升至2027年末30%，繼續擠出一般型DRAM。NAND放量早於DRAM/HBM，DRAM放量早於HBM。[16-19]

盈利與資產負債表：SK海力士2Q26營業利益率76%、淨現金69.4兆韓元；美光FY3Q26 GAAP營業利益率80.4%。企業端不是債務危機，風險來自強現金流推動資本開支與未來供給兌現。[10-11]

市場含義：短期超賣為反彈提供統計基礎，但創紀錄盈利不再推升股價，說明定價已從“絕對利潤”切換為“預期差、折現率與供給反應”；決定中期走勢不再是槓桿，而是價格拐點和利潤拐點。

周期預測：股票價格和風險偏好拐點在2Q26（6月已確認），合約價漲幅拐點在3Q26（二階導轉負已確認）；絕對價格和記憶體利潤拐點的基準窗口為4Q27-2Q28，3Q28起進入下行周期的風險上升。

當前交易的核心是去槓桿、超跌反彈後的交易對象切換：從交易稀缺、交易去槓桿到交易周期——按照“股票先拐—漲幅已拐—利潤未拐”的時間線與市場預期交易；超跌反彈後短期高價格、高利潤、高波動與低估值並存；中期受絕對價格拐點和利潤周期拐點壓制。

1.幾天前，SK集團董事長表示，客戶要求的供應量是當前的4-5倍。但到2030年，晶圓供應只能增長到約2倍，後續重點看政策節奏、訂單價格、資金風險和市場預期是否繼續同向驗證。

2.這引出了1個值得驗證的問題：這一判斷是否真的經得起測算。以下分析以此為出發點，儘量採用現實的數學關係和假設，從零開始建立模型，後續重點看政策節奏、訂單價格、資金風險和市場預期是否繼續同向驗證。

3.核心變數需要驗證。首先考察當前DRAM供給，以及未來4年預期能夠實現。乃至潛在可以實現的增長。後續要看訂單、價格、成本、資金和政策執行是否繼續同向驗證。後續要看需求節奏、供給釋放、政策執行和反向風險是否改變主線判斷。

4.到2026年底，四大廠商將擁有約2000000片/月的DRAM產能。預計到2030年，這一規模將增至4800000片/月，主要由1a、10億、1c和1d製程構成。0a預計要到2030年末或2031年才會進入市場。

5.三星將在2026年底擁有約720000片/月DRAM產能。這一判斷需要回到需求、供給、資金和政策執行驗證，後續重點看訂單價格、資金風險、估值盈利和倉位變化是否繼續同向。

6.到2027年，三星將在P4新增約70000片/月產能。使該廠總產能達到150000片/月。P5和P6/P5 Fab 2均為銘牌產能300000片/月的超級晶圓廠，可同時支援DRAM和NAND生產。

7.三星可能按照2:1的比例配置DRAM/HBM與NAND產能。即200000片/月用於DRAM，100000片/月用於NAND。P5預計在2028年或2029年初全面爬坡，P6/P5 Fab 2將在2029年或2030年初完成爬坡。

幾天前，SK集團董事長表示，客戶要求的供應量是當前的4-5倍，但到2030年，晶圓供應只能增長到約2倍。這引出了一個值得驗證的問題：這一判斷是否真的經得起測算？以下分析以此為出發點，儘量採用現實的數學關係和假設。

幾天前，SK集團董事長表示，客戶要求的供應量是當前的4-5倍，但到2030年，晶圓供應只能增長到約2倍。

這引出了一個值得驗證的問題：這一判斷是否真的經得起測算？以下分析以此為出發點，儘量採用現實的數學關係和假設，從零開始建立模型。

首先考察當前DRAM供給，以及未來4年預期能夠實現、乃至潛在可以實現的增長。

到2026年底，四大廠商將擁有約200萬片/月的DRAM產能。預計到2030年，這一規模將增至480萬片/月，主要由1a、10億、1c和1d製程構成。0a預計要到2030年末或2031年才會進入市場。

三星將在2026年底擁有約72萬片/月DRAM產能。

到2027年，三星將在P4新增約7萬片/月產能，使該廠總產能達到15萬片/月。P5和P6/P5 Fab 2均為銘牌產能30萬片/月的超級晶圓廠，可同時支援DRAM和NAND生產。

三星可能按照2:1的比例配置DRAM/HBM與NAND產能，即20萬片/月用於DRAM，10萬片/月用於NAND。P5預計在2028年或2029年初全面爬坡，P6/P5 Fab 2將在2029年或2030年初完成爬坡。

到2030年，三星龍仁Fab 1預計擁有約15萬-20萬片/月DRAM產能。三星及韓國有關部門也可能加快西南/光州Fab 1一期項目建設，使其到2030年至少形成6萬片/月產能。

預計2027-2030年，三星將新增約68萬-73萬片/月DRAM產能，使DRAM總產能達到140萬-145萬片/月。

SK海力士將在2026年底擁有約59萬片/月DRAM產能。

M15X將新增約5萬片/月產能，使該廠總產能達到9萬片/月。龍仁Y1超級晶圓廠將配備6座潔淨室，每座支援6萬片/月DRAM產能。

預計SK海力士還會加快龍仁Y2超級晶圓廠建設，到2030年至少準備好2座潔淨室，每座貢獻6萬片/月產能。SK海力士及韓國有關部門也可能加快西南/光州Fab 1一期項目，使其到2030年至少形成6萬片/月產能。

預計到2030年，SK海力士將新增約59萬片/月產能，基本實現總產能翻倍，達到118萬片/月。

美光將在2026年底擁有約37.5萬片/月DRAM產能。

美光將把廣島晶圓廠提升至15萬片/月，並將Manassas廠，即原D1a產線，提升至3萬片/月。愛達荷Fab 1預計擁有約8萬片/月DRAM產能，愛達荷Fab 2同樣約為8萬片/月。

力積電銅鑼Fab 1將增加約4.5萬片/月產能，Fab 2再增加約4萬-4.5萬片/月。預計美光還會加快紐約超級晶圓廠建設，到2030年至少準備好2座潔淨室，每座貢獻5萬片/月產能。

到2030年，美光預計新增約40萬-40.5萬片/月產能，使DRAM總產能達到約77.5萬-78萬片/月。

五、長鑫儲存與中國市場的供給彈性

長鑫儲存將在2026年底擁有約35萬片/月DRAM產能。

中國市場的建模難度更高，同時也擁有最大的產能增長潛力。一個重要原因是，當地潔淨室建設周期約為12個月，而其他地區通常需要21-24個月。

對於長鑫儲存和YMTC而言，資本並不是主要問題。由於當前儲存晶圓廠的投資回報率極高，融資相對容易，銀行和各類產業基金都有參與意願。

情況的複雜之處還在於，為緩解供應短缺，長鑫儲存可能需要向JHICC、Swaysure以及YMTC旗下XMC轉移DRAM技術。Swaysure剛剛完成深圳14萬片/月產能的建設；JHICC晉江晶圓廠擁有足以支援12萬片/月產能的潔淨室空間，不過到2026年底預計只有一期6萬片/月完成建設並搬入裝置。YMTC武漢Fab 3預計擁有約5萬片/月DRAM產能。

坦率地說，中國市場擴大產能的最大約束是光刻裝置的可獲得性。如果MATCH Act獲得通過並禁止DUV裝置銷售，長鑫儲存及其他廠商的儲存擴張計畫將受到干擾。

不過，SMEE的DUVi裝置已於去年交付長鑫儲存和中芯國際，Beta測試接近完成，預計從2026年末或2027年初開始量產。Yuliangsheng/SiCarrier的DUVi裝置預計在2028年進入量產。

預計2028年以後，對於邏輯製程5nm/7nm及以上節點，以及儲存製程D1a、D1b和D1z，光刻裝置不再構成主要限制，但MATCH Act仍可能打亂近期擴產計畫。Citrini Research幾天前發佈了一份關於中國儲存產業的報告，提供了更多相關資訊。

基於上述因素，中國市場模型需要保留較大的區間。

最低情景下，長鑫儲存預計將擴建合肥Fab 3，形成10萬片/月產能，並可能進一步開發同為10萬片/月的Fab 4。上海晶圓廠預計從5萬片/月擴至2030年的40萬片/月，市場上也存在擴至60萬片/月的傳聞。北京晶圓廠預計擴至20萬片/月，也有傳聞稱其可能達到40萬片/月。

上海60萬片/月和北京40萬片/月的情景，很大程度上取決於中國市場的算力需求以及長鑫儲存HBM技術的成熟度。長鑫儲存正在建設一條新的研發線，這將釋放合肥Fab 1和Fab 2合計約5萬片/月的產能。

長鑫儲存可能新增60萬-110萬片/月DRAM產能，使總產能達到約95萬-145萬片/月。其中絕大多數將採用D1a和D1b製程，並可能借助3D DRAM形成約10萬-15萬片/月D1c產能。

YMTC的規劃已經延伸至Fab 8，並在快速推動更多潔淨室上線。預計其還會建設一座5萬片/月DRAM工廠，但上行潛力很難精確判斷。YMTC的DRAM產能最終可能達到20萬片/月。

Swaysure和JHICC得到華為支援，並直接向華為供應DRAM。華為擁有很強的投資動力。到2030年，兩者最低將形成26萬片/月DRAM產能。其上行空間同樣難以判斷，因為SiCarrier/Yuliangsheng本身也是一體化晶圓製造裝置廠商，對裝置稀缺的敏感度相對較低。

彙總全部產能後，2030年DRAM產能在基準情景下約為480萬片/月。如果中國市場完全不受約束，且長鑫儲存的HBM路線圖順利執行，全球產能最高可能達到568萬片/月。

這一測算尚未包括Elon的Terafab，也未納入三星和SK海力士在美國的投資。相關美國投資更可能集中在HBM封裝，而不是新建儲存晶圓廠，以換取韓國半導體產品免受關稅影響。

在這種模式下，HBM晶圓將從韓國運往美國，在當地封裝設施中完成堆疊，隨後送往台積電亞利桑那工廠。

到2030年，加速器銷量預計達到3000萬顆。其中，1500萬顆加速器平均配置1TB HBM4E，另外1500萬顆平均配置1.5TB HBM5。

由此產生的總需求分別為15EB HBM4E和22.5EB HBM5。

Agentic CPU，包括頭節點和獨立節點，預計將達到CPU與GPU為1:1的配置比例，每顆CPU平均搭載約2.5TB DDR6記憶體，對應約75EB需求。

通用雲端運算與IaaS CPU的年銷量也將從2026年的2000萬顆增長至2500萬顆，平均每顆配置1TB DDR6記憶體，對應約25EB需求。

2026年消費級DRAM需求約為17-18EB，預計到2030年增長至20EB。這樣的增速實際上意味著AI PC和AI智慧型手機並未真正大規模起量。屆時，消費終端必須與AI資料中心爭奪供應，而消費終端大機率無法在競爭中佔據優勢。

因此，到2030年，DRAM總需求約為157.5EB，具體包括75EB、25EB、22.5EB、15EB和20EB。

這一模型尚未納入物理AI，包括人形機器人和自動駕駛汽車的DRAM需求。因此，即使資料中心與AI需求預測過高——本文並不認為這些預測過高——物理AI需求也可能抵消相應偏差。

ASML對2030年DRAM需求的預測約為130EB，對應位元需求26%的年複合增長率。2025年DRAM供給約為37EB，預計2026年增長至44EB。

八、供給模型的製程與密度假設

首先考察不同製程節點的密度：

D1a為0.32Gb/mm²，D1b為0.43Gb/mm²，D1c為0.56Gb/mm²，D1d為0.7Gb/mm²。

預計到2030年，0a仍不會形成有意義的量產規模，因此將其排除在模型之外。

在480萬片/月的基準情景中，預計250萬片/月產能將用於D1c，以支援HBM4E和HBM5，且這250萬片/月全部來自三大廠商。

另有60萬片/月用於D1d；87萬片/月用於D1a，包括Swaysure和JHICC的26萬片/月、美光3萬片/月、長鑫儲存40萬片/月，以及SK海力士無錫18萬片/月；70萬片/月用於D1b，包括長鑫儲存40萬片/月、YMTC 20萬片/月和三星10萬片/月。

此外，長鑫儲存還可能通過3D DRAM形成約15萬片/月D1c產能。

九、HBM為何吞噬更多有效晶圓產能

相同容量下，HBM裸片面積通常比DDR5裸片大35%-45%，因為TSV和超寬I/O會佔用更多矽面積。單片晶圓能夠容納的裸片數量更少，TSV加工和堆疊又會顯著降低淨良率。

綜合這些因素，為了交付相同數量的合格儲存位元，HBM3E所需的有效DRAM晶圓產能約為普通DRAM的2.7倍。到了HBM4E，這一倍數將升至4倍；隨著介面寬度從2048位翻倍至4096位，HBM5所需的倍數還會進一步上升。

為簡化計算，模型統一採用4倍係數。

在D1c良率為95%的情況下，要生產約37.5EB HBM4E和HBM5，每年需要約3191萬片晶圓投片量，即約266萬片/月D1c產能。

預計三大廠商將分配約250萬片/月產能，三星還可以把10萬片/月D1b產能轉換為D1c。

十、不同製程下的通用DRAM供給測算

在D1d良率為85%、產能為60萬片/月的情況下，每月可以生產3.15EB，即每年37.85EB。

在D1b良率為70%、產能為60萬片/月的情況下，其中產能來自長鑫儲存和YMTC，每月可以生產1.596EB，即每年19.14EB。

在D1b良率為95%、產能為10萬片/月的情況下，每月可以生產0.36EB，即每年4.3EB。

在D1a良率為80%、產能為66萬片/月的情況下，其中包括長鑫儲存40萬片/月、JHICC 12萬片/月和Swaysure 14萬片/月，每月可以生產1.493EB，即每年17.91EB。

在良率為95%、產能為21萬片/月的情況下，其中包括SK海力士無錫18萬片/月和美光Manassas 3萬片/月，每月可以生產0.564EB，即每年6.77EB。

在D1c良率為60%、產能為15萬片/月的情況下，即長鑫儲存3D DRAM產能，每月可以生產0.445EB，即每年5.34EB。

將這些供給全部相加，通用DRAM年供應量約為91.31EB，而通用DRAM年需求約為120EB。

十一、中國市場進一步擴產的上行情景

中國市場存在進一步加快擴產的可能，至少相關傳聞已經出現。

這一情景包括長鑫儲存把上海晶圓廠擴大至60萬片/月、北京晶圓廠擴大至40萬片/月，並建設合肥Fab 4；YMTC分別在Fab 7和Fab 8增加5萬片/月DRAM產能；JHICC落實Fab 2規劃，新增12萬片/月；Swaysure再建設一座14萬片/月晶圓廠。

這些項目合計將增加86萬片/月D1b產能。按照70%的良率計算，對應每年約27.54EB DRAM產能。

這將使DRAM市場的供給缺口從28.69EB縮小到1.19EB。

但此前測算並未真正討論中國市場的HBM需求，而長鑫儲存上海廠、北京廠以及YMTC/XMC產能的擴張，在很大程度上取決於這部分需求。

預計中國市場每年至少擁有7EB-10EB HBM需求，而新增的86萬片/月產能大約只能滿足其中7EB。

這一情景對晶圓製造裝置需求極為利多。要增加約280萬-366萬片/月DRAM產能，晶圓製造裝置將成為最大的供給約束。

其次，中國廠商也將進入西方伺服器DRAM供應鏈。除非三星、SK海力士和美光以更快速度擴產，否則三大廠約70%的晶圓產能都將用於滿足HBM需求。上述模型已經計入了三大廠加速擴產的情景。

預計2030年通用DRAM市場將存在約25%的供給缺口，年供給約91EB，年需求約120EB。

DRAM平均售價將維持高位，可能保持在1.5-2.0美元/Gb區間。到2030年，HBM價格可能達到5-6美元/Gb。

據此計算，通用DRAM市場規模約為1.10兆-1.46兆美元，HBM市場規模約為1.50兆-1.8兆美元。

整個DRAM市場規模將達到約2.60兆-3.26兆美元，中值約為2.93兆美元。如果平均售價進一步上漲，市場規模還將繼續擴大。

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記憶體暴力反彈後怎麼走？｜《金絲雀報告：記憶體超級周期臨界點》

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