#全球晶圓廠
42座到18座!全球晶圓廠急剎車的背後,中國“泛成熟製程”的強勢崛起!
2024年全球新增晶圓廠達42座,延續了晶片需求驅動的擴產潮。而進入2025年,行業佈局呈現結構性調整,預計新啟動建設的晶圓廠數量降至18座。這一數字變化的背後,是全球半導體產業從全面擴張轉向戰略性佈局的深刻變革。地緣政治、AI晶片需求與區域補貼政策正形成合力,將全球晶圓製造格局推向“China for China”、“US for US”及“Non-China for Non-China Customers”三大陣營的分化態勢。一、從42座到18座,產能過剩?SEMI資料顯示,2025年計畫新建的18座晶圓廠呈現鮮明的區域集聚特徵。美洲與日本各計畫建設4座,中國大陸與歐洲中東地區各3座,台灣2座,而韓國和東南亞各1座。這一分佈背後是各國對半導體供應鏈安全性的戰略考量。美國通過《晶片法案》吸引台積電、英特爾等公司建廠;日本憑藉其在半導體材料和裝置方面的基礎吸引投資;歐盟則側重於減少對外部晶片的依賴。晶圓廠建設規模的變化反映出行業對產能過剩風險的警惕。與2024年新增42座晶圓廠相比,2025年18座新廠的數量顯著回落,表明投資者在AI熱潮中依然保持理性。從產能規格看,新建項目以12英吋(300mm)晶圓廠為主力,佔比達15座,僅3座為8英吋(200mm)晶圓廠。12英吋產線主要聚焦7nm及以下先進製程,服務於AI晶片與高性能計算需求。二、先進製程與成熟製程的分化台積電繼續以其技術領先地位主導全球先進製程市場。2025年上半年,台積電以超70%%的市佔率穩居龍頭,其3奈米、5奈米及7奈米製程合計貢獻了將近80%的晶圓銷售額。台積電2025年計畫新建9座工廠(8座晶圓廠+1座先進封裝廠),創下公司歷史上最大規模的擴張步伐。這一擴張涵蓋台灣、美國、日本和德國等地,旨在應對AI、5G和汽車電子領域的需求激增。三星則試圖通過價格戰挑戰台積電的領導地位。據報導,三星已將2nm工藝晶圓報價降至2萬美元,較台積電3萬美元的傳聞報價低了三分之一。這一激進舉措既是為避免2nm產線閒置,也是為保障投資回報的必然選擇。美國陣營專注於先進製程(16奈米及以下)的擴張。以英特爾和台積電為代表,美國正在爭取到2030年在其本土的先進製程市佔中佔據重要份額。相反,中國大陸2025年計畫建設的3座晶圓廠,主要集中於成熟製程領域。與中芯國際、華虹集團等企業的擴產規劃高度契合,這些產線主要服務於汽車晶片、工業控制等內需市場。中國半導體產業正通過聚焦成熟製程(28奈米及以上)加速擴張。資料顯示,全球12吋晶圓代工產能年復合成長率約10%,而中國大陸則高達20%。預計到2030年,中國大陸在12吋晶圓代工市佔率將達36%,在成熟製程領域更接近5成。中芯國際在逆勢中表現亮眼。2025年上半年以5.9%的市場份額,排名全球第三。這一增長得益於客戶提前備貨、中國“以舊換新”政策推動,以及工業與汽車領域補庫存。在第三代半導體材料領域,中國也取得重要突破。2025年6月,全國最大的碳化矽晶圓廠在武漢正式投產,該項目總投資200億元,可年產36萬片6英吋碳化矽晶圓,達產後每年可滿足144萬輛新能源車需要。三、產能利用將成勝負手?隨著新晶圓廠的陸續建設,產能利用率呈現分化回暖態勢。2025年,AI和先進製程成為台積電的增長引擎。而成熟製程的需求也將普遍回暖,但競爭依然激烈,產能利用率難以回到2022年的超高水位。中國大陸廠商有望憑藉內需市場和持續的技術升級,保持較高的產能利用率。中芯國際2024年開啟明確的“V型”反彈,主要得益於消費電子、物聯網及國產替代等需求回暖。如上表,相比而言雖然成熟製程競爭壓力巨大,但中國大陸廠商產能利用率顯著提升,未來也將處於高位運行,這或許將決定未來全球半導體可持續發展的關鍵點。未來幾年,全球半導體產能將繼續增長。預計到2025年,先進製程節點(7nm及以下)的產能將達到220萬片/月,同比增長16%。主流製程節點(8-45nm)的產能將達到1500萬片/月,同比增長6%。受中國大陸晶片自給自足戰略和汽車、物聯網應用預期需求的推動,成熟製程節點(50nm及以上)預計將增長5%,達到每月1400萬片。到2030年,中國大陸在12吋晶圓代工市場佔有率將達36%,在成熟製程領域更接近50%。而美國在先進製程(16奈米及以下)的市佔率也將顯著提升。因此,全球半導體產業正從單一的全球化協作體系,轉向多區域、多技術路線平行發展的新格局。晶片之爭已不再是單純的技術競賽,而是國家戰略、產業政策與全球供應鏈重塑的綜合博弈。 (飆叔科技洞察)
全球新建晶圓廠分佈地圖
最近幾天我們發的文章裡面的資料都很有意思,都是網友們很關注卻不好獲取的資料。這篇文章,我們結合華泰證券在今年2月份的一篇研報,擷取這個研報中的部分內容,並看下全球新建晶圓廠的格局。華泰的研究預計,中國大陸2027年在全球12吋成熟製程晶圓代工的市場份額將提升至47%,2023年中國大陸12吋成熟製程在全球 的產能份額約為29%,預計2024-2027年中國大陸12吋成熟製程產能將保持年均27% 的快速擴張,到 2027 年佔全球的份額將達到 47%。預計 2024-2027 年 40-90nm 節點晶圓代工價格將呈現 5-8%左右的年降,28nm節點年降預計約3%。晶圓代工為晶片設計企業主要成本,佔據約 70-80%左右的比重。根據SEMI的資料,2019-2024年全球共興建128座晶圓廠,其中中國大陸佔據30%,擴產高峰期集中於2019-2021年。展望未來,我們認為中國晶圓代工產業將在全球佔據更重要的地位,形成全球競爭力。Trendforce 預計中國大陸成熟製程產 能份額將從2023年的31%,提升至2027年的47%,成為全球最大的生產基地。2019-2021全球新建57座 (25(44%)座位於中國大陸地區) 全球總投資額:3080億美元。2022-2024全球新建71座 (13(18%)座位於中國大陸地區) 全球總投資額:4460億美元。大陸晶圓廠收入佔比中芯國際中國區收入佔比:華虹中國區收入佔比:根據Trendforce的資料,中芯國際自1Q24以來,已超過聯電和格羅方德穩居全球第三大代工企業的地位。3Q24中芯國際及華虹的產能利用率分別為90%和105%,而聯電的產能利用率為71%。在國內外客戶在地化生產的推動下,2025年國內代工企業營收增長有望繼續超過全球成熟製程同業。成本分析中國大陸晶圓代工企業在人力成本方面具有明顯競爭力。2023年資料顯示,中國大陸從業者人均薪酬為24.09萬元人民幣,而台灣地區同期水平達43.58萬元,高出中國大陸80.9%。若僅以勞動力成本差異測算,中國大陸企業單位人力成本較台灣同業低11.3%(註:台積電披露勞動力成本約佔代工總成本的15.7%)。據此推斷,在相同製程技術條件下,中國大陸代工企業的綜合成本較海外競爭對手(如台灣地區)存在約11%的優勢,這一差異成為國際設計客戶將訂單轉向中國大陸企業的重要考量因素之一。半導體材料領域的國產化處理程序仍處初期階段,國內外供應鏈格局相似。以2022年資料為例:12英吋矽片國產化率僅10%,光刻膠、電子氣體及濕電子化學品的國產化率分別為10%、15%和10%。由於主要原材料(如日本、美國產材料)採購管道重疊,中國大陸與海外代工企業在原材料端成本差異並不顯著。國內在物流網路(鐵路/公路)及能源供應(水電/火電)方面具備成熟體系,相關營運成本低於部分海外地區。但需注意的是,此類固定設施投入及維護開支在晶圓代工企業整體成本結構中佔比有限,因此對最終產品成本的影響相對可控。全球12英吋成熟製程供需結構性分化全球12英吋成熟製程呈現顯著結構性分化:28nm製程預計持續滿載,而40nm、55nm、65nm及90nm節點面臨產能過剩壓力。據Omdia預測,全球純晶圓代工市場(剔除台積電高端製程)規模將從2023年的322.57億美元增至2027年的472.71億美元,年複合增長率(CAGR)達10.0%。隨著主流半導體產品逐步向12英吋平台遷移,2024-2027年全球12英吋成熟製程需求將維持10.9%的CAGR增長。海外代工廠商擴產策略相對保守,而中國大陸企業正加速佈局12英吋成熟製程產能。2024-2027年,中國大陸12英吋成熟製程產能年復合增速預計達26.8%,顯著高於海外市場的3.6%,推動全球整體產能增速至12.0%。重點項目包括中芯國際京城、深圳、臨港及西青廠,華虹無錫12英吋二期,晶合整合N3廠及燕東微12英吋二期等。由於需求增速與供給增速基本匹配,預計2024-2027年全球12英吋成熟製程產能利用率將維持在73%-75%區間,整體呈現過剩態勢。其中,28nm因競爭廠商較少且需求高速增長,產能利用率保持高位;而40nm、55nm、65nm及90nm節點因產能集中釋放與激烈競爭,或面臨長期過剩壓力。8英吋製程供需兩端增速均較為平緩。需求側,CIS(圖像感測器)、LCD驅動、BCD電源管理及功率器件等主流產品逐步向12英吋平台遷移,導致8英吋代工需求增長受限。供給側,全球主要代工廠商鮮少推進8英吋產線擴建,預計2024-2027年全球8英吋產能擴張幅度有限。供需增速放緩背景下,2024-2027年全球8英吋產能利用率預計分別為73%、74%、82%及85%,整體維持80%左右水平,呈現溫和復甦態勢。 (傅里葉的貓)