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SK海力士CEO預計記憶體晶片短缺將持續至2030年
①SK海力士CEO郭魯正稱,其美國印第安納州新工廠建成後到2030年將使該州成美國關鍵HBM生產基地,當前HBM供應短缺將持續至2030年底;②郭魯正透露SK海力士在美封裝廠首座潔淨室2028年10月啓用,到2030年其在美投資及資產總額預計超450億美元。 財聯社8月28日訊(編輯 牛佔林)SK海力士CEO郭魯正周四表示,公司位於美國印第安納州的新工廠建成後,到2030年將使該州成為「美國關鍵的HBM生產基地」,預計當前的記憶體晶片供應短缺將持續至2030年底。 郭魯當天在印第安納州西拉斐特市出席了SK海力士首座美國工廠的奠基儀式。他強調,隨著AI需求持續激增,高帶寬內存(HBM)正面臨全球範圍內的嚴重供應短缺。 郭魯正表示:「我們將為客戶提供新的美國本土HBM供應來源,同時強化美國半導體供應鏈,為美國的國家安全和經濟安全作出貢獻。」
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