積體電路作為半導體產業的核心，市場份額達83%，由於其技術複雜性，產業結構高度專業化。隨著產業規模的快速擴張，產業競爭加劇，分工模式進一步細化。

目前市場產業鍊為IC設計、IC製造及IC封裝測試。

○ 在核心環節中，IC設計處於產業鏈上游，IC製造為中游環節，IC封裝為下游環節。

○ 全球積體電路產業的產業轉移，由封裝測試環節轉移到製造環節，產業鏈裡的每個環節由此而分工明確。

○ 由原來的IDM為主逐漸轉變為Fabless+Foundry+OSAT。

▲全球半導體產業鏈收入構成佔比圖

細分領域具備亮點，核心關鍵領域設計能力不足。從應用類別(如：手機到汽車)到晶片項目(如：處理器到FPGA)，國內在高階關鍵晶片自給率幾近為0，仍高度依賴美國企業；

自給率低，需求缺口較大，目前在中端裝置實現突破，初步產業鏈成套佈局，但高階製程/產品仍需攻克。中國本土半導體裝置廠商只佔全球份額的1-2%，在關鍵領域如：沉積、刻蝕、離子注入、檢測等，仍高度仰賴美國企業；

在靶材等領域已經比肩國際水平，但在光刻膠等高端領域仍需較長時間實現國產替代。全球半導體材料市場規模443 億美金，晶圓製造材料供應中國佔比10%以下，部分封裝材料供應佔比在30%以上。在部分細分領域上比肩國際領先，高端領域仍未實現突破；

全球市場集中，台積電佔60%的份額，受貿易戰影響相對較低。大陸躋身第二集團，全球產能擴充集中在大陸地區。代工業呈現非常明顯的頭部效應，在全球前十大代工廠商中，台積電一家佔據了60%的市場份額。此行業較不受貿易戰影響；

最先能實現自主可控的領域。封測產業國內企業整體實力不俗，在世界擁有較強競爭力，長電+華天+通富三家17 年全球整體市佔率達19%，美國主要的競爭對手僅為Amkor。此行業較不受貿易戰影響。

以地理來看，當前全球IC 設計仍以美國為主導，中國大陸是重要參與者。 2017 年美國IC設計公司佔據了全球約53%的最大份額，IC Insight 預計，新博通將總部全部搬到美國後這一份額將攀升至69%左右。台灣地區IC 設計公司在2017 年的總銷售額中佔16%，與2010年持平。聯發科、聯詠和瑞昱去年的IC 銷售額都超過了10 億美元，而且都躋身全球前二十大IC 設計公司。歐洲IC 設計企業只佔了全球市場份額的2%，日韓地區Fabless 模式並不流行。

與非美國海外地區相比，中國公司表現突出。在世界前50 fabless IC 設計公司中，中國公司數量明顯上漲，從2009 年1 家增加至2017 年10 家，呈現迅速追趕之勢。 2017 年全球前十大Fabless IC 廠商中，美國佔7 席，包括高通、輝達、蘋果、AMD、Marvell、博通、賽靈思；台灣地區聯發科上榜，大陸地區海思和紫光上榜，分別排名第7 和第10。

2017 年全球前十大Fables s IC 設計廠商（百萬美元）

然而，儘管大陸地區海思和紫光上榜，但可以看到的是，高通、博通和美滿電子在中國區收入佔比達50%以上，國內高端IC 設計能力嚴重不足。可以看出，國內對於美國公司在核心晶片設計領域的依賴程度較高。

自中美貿易戰打響後，通過“中興事件”和“華為事件”我們可以清晰的看到，核心的高端通用型晶片領域，國內的設計公司可提供的產品幾乎為0。

大陸高階通用晶片與國外先進水平差距主要體現在四個方面：

1）移動處理器的國內外差距相對較小。

紫光展銳、華為海思等在行動處理器方面已進入全球前列。

2）中央處理器(CPU) 是追趕難度最大的高階晶片。

英特爾幾乎壟斷了全球市場，國內相關企業約有3-5 家，但都沒有實現商業量產，多仍依靠申請科研項目經費和政府補貼維持運轉。龍芯等國內CPU 設計企業雖然能夠做出CPU 產品，而且在單一或部分指標上可能超越國外CPU，但由於缺乏產業生態支撐，還無法與主導的產品競爭。

3）儲存器國內外差距同樣較大。

目前全球儲存晶片主要有三類產品，依銷售額大小依序為：DRAM、NAND Flash 以及Nor Flash。在記憶體和快閃記憶體領域中，IDM 廠韓國三星和海力士擁有絕對的優勢，截止到2017年，在兩個主要領域合計市場份額分別為75.7%和49.1%，中國廠商競爭空間極為有限，武漢長江儲存試圖發展3D Nand Flash(閃存)的技術，但目前僅處於32 層閃存樣品階段，而三星、英特爾等全球龍頭企業已開始陸續量產64 層閃存產品；在Nor flash 這個約為三、四十億美元的小市場中，兆易創新是世界主要參與廠家之一，其他主流供貨廠家為台灣旺宏，美國Cypress，美國美光，台灣華邦。

4）FPGA、AD/DA 等高階通用晶片，國內外技術懸殊。

這些領域由於都是屬於通用型晶片，具有研發投入大，生命周期長，較難在短期聚集起經濟效益，因此在國內公司層面發展較為緩慢，甚至有些領域是停滯的。

總的來看，晶片設計的上市公司，都是在細分領域的國內最強。例如2017 年匯頂科技在指紋辨識晶片領域超越FPC 成為全球Android陣營最大指紋IC 供應商，成為國產設計晶片在消費電子細分領域較少的全球第一。士蘭微從積體電路晶片設計業務開始，逐步搭建了晶片製造平台，並已將技術和製造平台延伸至功率元件、功率模組和MEMS 傳感器的封裝領域。但與國際半導體大廠相比，不管是高階晶片設計能力，或是規模、獲利水準等方面仍有非常大的追趕空間。

目前，中國半導體裝置的現狀是低端製程實現國產替代，高端製程有待突破，裝置自給率低、需求缺口較大。

關鍵裝置技術壁壘高，美日技術領先，CR10 份額接近80%，呈現寡頭壟斷局面。半導體裝置處於產業鏈上游，貫穿半導體生產的各個環節。依工藝流程可分為四大板塊－晶圓製造裝置、測試裝置、封裝裝置、前端相關裝置。其中晶圓製造裝置佔據了中國市場70%的份額。再具體來說，晶圓製造裝置根據製程可主要分為8 大類，其中光刻機、刻蝕機和薄膜沉積裝置這三大類裝置佔據大部分的半導體裝置市場。同時裝置市場高度集中，光刻機、CVD 裝置、刻蝕機、PVD 裝置的產出均集中於少數歐美日本巨頭企業手上。

中國半導體裝置國產化率低，本土半導體裝置廠商市場佔有率僅佔全球份額的1-2%。

關鍵裝置在先進過程中仍未實現突破。目前世界整合電路裝置研發水準處於12 吋7nm，生產水準則已達到12 吋14nm；而中國裝置研發水準還處於12 吋14nm，生產水準為12 吋65-28nm，總的來看國產裝置在先進製程上與國內先進水準有2-6 年時間差；具體來看65/55/40/28nm 光刻機、40/28nm 的化學機械拋光機國產化率依然為0，28nm化學氣相沉積裝置、快速退火裝置、國產化率很低。

Si：主要應用於積體電路的晶圓片和功率元件;

GaAs：主要應用於高功率發光伏子元件和射頻元件;

GaN：主要應用於光伏器件和微波通訊元件;

▲第二、三代半導體材料技術成熟度

細分領域已經實現彎道超車，核心領域仍未實現突破，半導體材料主要分為晶圓製造材料和封裝材料兩大塊。晶圓製造材料中，矽片機矽基材料最高佔比31%，其次依序為光掩範本14%、光刻膠5%及其光刻膠配套試劑7%。封裝材料中，封裝基板佔比最高，為40%，其次依序為引線框架16%，陶瓷基板11%，鍵合線15%。

日美德在全球半導體材料供應上佔主導地位。各細分領域主要玩家有：矽片－Shin-Etsu、Sumco，光刻膠－TOK、Shipley，電子氣體－Air Liquid、Praxair，CMP－DOW、3M，引線架構－住友金屬，鍵合線——田中貴金屬、封裝基板——松下電工，塑封料——住友電木。

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