半導體材料是晶片製造的關鍵，包括晶片基底製備，電路光刻，刻蝕沉積全流程。半導體材料整體國產化率約20%，未來空間巨大。
1、半導體材料：晶片製造之基
按環節分為：前道晶圓製造材料，後道封裝材料。
晶圓製造材料有：矽片、電子特氣、光刻膠、濕電子化學品、拋光材料、靶材、光掩膜版等。
封裝材料有：引線框架、陶瓷材料、切割材料、環氧塑封料、導電膠等。
前道材料價值高，中國國產化率低。據SEMI，2025年全球半導體材料市場規模為860億美元，同比增長7%。其中，晶圓製造材料為562億美元，佔65%。
2、三大材料：矽片、電子特氣、光刻膠
矽片：晶片基底載體，半導體用量最大、價值佔比最高的基礎材料。8英吋矽片為成熟製程核心，12英吋大矽片覆蓋主流成熟製程和先進製程，是中高端的核心。
光刻膠：光刻工藝的核心感光材料，直接決定晶片製程精度。原理是通過光照發生化學反應，配合掩範本，將精密電路圖精準復刻到矽片表面，為後續刻蝕、離子注入等工序奠定基礎。
特種氣體：用於刻蝕、沉積、清洗等工序，佔材料成本高，對純度的要求極為苛刻：行業主流純度等級為6N-9N，其中，先進製程刻蝕、摻雜核心特氣普遍要求9N超高純度。
3、半導體材料中國國產化加速
矽片全球前五大廠商：信越化學、SUMCO、環球晶圓、Siltronic、SKSiltron，合計份額約80%以上。矽片國產化加速：一是6英吋及以下國產化率超60%，基本自給。二是8英吋國產化率達55%，顯著提升，可滿足成熟製程需求，但高端外延片、拋光片仍有缺口。三是12英吋國產化率約25%，產能缺口70%以上，本土企業加速擴產，2026年末國產化率有望突破30%。
全球光刻膠主要企業：日本東京應化、JSR、信越化學、富士膠片，佔率超80%，高端市佔率95%。半導體光刻膠整體國產化未來空間大：一是g線光刻膠國產化率超90%、i線光刻膠國產化率約60%，已實現規模化國產替代；二是中端KrF光刻膠國產化率不足15%；三是高端ArF乾式、濕式光刻膠、EUV光刻膠目前無規模化國產產能。
全球特氣市場主要玩家：美國空氣化工、德國林德集團、法國液化空氣、日本大陽日酸，四大巨頭合計佔全球約80%份額。電子特氣整體國產化率不足30%：基礎電子特氣實現國產，中端刻蝕氣加速替代，高端摻雜氣、先進製程特氣進口依賴高，是國產替代突破的關鍵。
半導體材料國產替代空間巨大。
2020年提出“新基建：新能源、人工智慧”。2024年預測“信心牛、科技牛”。
10日晚，我將進行新的預測。 (澤平宏觀)