#矽片
矽片,冷熱不均
半導體產業鏈在AI浪潮的加持下仍顯熱度,但晶圓製造上游的材料環節,卻提前拉響了警報。環球晶董事長徐秀蘭近日指出,目前全球半導體矽晶圓市場供過於求約 5%~10%。從不同尺寸來看,12 英吋晶圓需求仍具韌性,產能利用率超過 95%;但8英吋晶圓產能利用率已降至80%以下,6 英吋晶圓更低於70%,顯示成熟製程領域的需求疲弱仍未見底。矽片需求,結構性分化當前矽晶圓市場的主要特徵是“結構性景氣”而非“全面復甦”。一方面,AI伺服器與GPU驅動的先進製程拉動台積電、三星、英特爾等12英吋產線滿載;另一方面,傳統的消費電子晶片(如PMIC、電源管理晶片、顯示驅動IC)需求依舊疲弱,庫存消化處理程序緩慢,導致中小尺寸晶圓產能利用率持續下滑。從矽片整體的出貨資料上來看,根據SEMI近日發佈的季度矽片出貨報告示,2025年Q3全球矽片出貨量同比增長3.1%,達到33.13億平方英吋(MSI),較2024年同期的32.14億MSI略有提升,但環比下降0.4%。這說明全球市場雖有復甦跡象,但勢頭依舊疲軟,尤其是外延矽片出貨量表現不佳。業內分析指出,AI帶動的高價值晶圓出貨增長掩蓋了整體出貨增速放緩的事實,這點可以從全球矽片龍頭信越化學的財報中嗅得一二。根據信越化學最新財報,截至2025年9月30日的上半財年,信越化學實現營業收入1,671億日元(同比下降22%),歸母淨利潤1,314億日元(同比下降12%)。儘管如此,信越化學的整體利潤仍然承壓,尤其是在2025年第二季度(4月-6月),利潤降幅與第一季度大致持平。以美元計,稅前利潤自第二季度至第三季度連續下降,信越化學明確指出,這一表現完全是由於市場狀況低迷所致。在矽晶圓的需求變化中,200毫米晶圓需求疲軟,AI相關的300毫米晶圓需求則表現堅挺。信越化學指出,300毫米晶圓需求已在2025年1-3月季度觸底,並自4-6月季度開始持續復甦。7-9月季度的300毫米晶圓行業出貨量與上一季度持平,但同比有個位數增長。與此同時,200毫米晶圓與上一季度持平,但同比有所下降。信越化學預計,10月-12月,300毫米晶圓的訂單穩定,第四季度後的需求將取決於客戶消化庫存的處理程序。而200毫米晶圓的需求,預計將暫時保持疲軟,因為客戶剛剛開始對汽車應用進行進一步的庫存調整。信越化學還指出,客戶對300毫米晶圓的投入正處於復甦軌道。從價值來看,AI應用的高單位價格推動半導體器件市場達到創紀錄的高點,然而,從IC數量來看,需求仍低於2022年峰值。晶圓需求的變化與半導體IC的數量密切相關,雖然整體IC數量未能恢復至2022年水平,但高端製程和AI應用的需求將成為未來增長的動力。更值得注意的是,信越化學預計,中期增長將主要來自AI相關應用。目前,AI半導體在300毫米晶圓出貨量中的佔比不到10%,這意味著該領域仍有顯著的增長空間。除了AI外,信越化學還提到,雙重獨立晶圓的使用增加將推動300毫米晶圓需求的中期增長。12英吋矽片成為潮流矽片是晶片製造的“地基”,是需求量最大的晶圓製造材料,其性能和供應能力決定了整個產業鏈的韌性。從功能上看,矽片可進一步細分為拋光片和外延片。其中拋光片主要應用於儲存與部分模擬晶片(顯示驅動晶片、電源管理晶片等),外延片則用於邏輯、CIS、CPU/GPU等高端晶片製造。在價格層面,拋光片的產品單價通常低於外延片。矽片的製造過程:製造流程包括:電子級多晶矽提純 → 單晶拉制 → 切片 → 拋光 → 清洗 → 外延(來源:西安奕材)矽片按直徑大小可分為 6 英吋及以下、8 英吋和 12 英吋三類規格。一般而言,90 奈米以上的製程主要使用 8 英吋及以下的半導體矽片,而 90 奈米及以下的製程主要使用 12 英吋矽片。矽片直徑越大,單位晶圓可切割出的晶片數量越多,邊緣損耗越小,平均製造成本越低。以面積計算,12英吋矽片的理論面積是8英吋矽片的2.25倍,在相同工藝條件下,其單位可用晶片數約為8英吋的2.5倍。不過,12英吋矽片的單片價格遠高於8英吋,其單位面積價格甚至更高,這正反映了先進製程對材料純度、缺陷密度與表面平整度的極端要求。隨著先進製程與AI計算需求的持續增長,12英吋矽片已成為行業主流規格。根據SEMI統計,2023年12英吋矽片出貨面積佔全球總出貨面積的70%以上;預計到2026年,全球12英吋矽片月度需求將超過1000萬片。目前技術迭代最快的邏輯晶片和儲存晶片均採用12英吋晶圓工藝。同時,基於成本與良率考慮,部分功率器件、模擬晶片及CIS圖像感測器也正加速向12英吋遷移。更重要的是,新興技術的爆發進一步放大了12英吋矽片的消耗量:AI驅動的高頻寬記憶體(HBM)需求劇增。由於生產良率、堆疊複雜度及晶片尺寸更大,同等容量的HBM對矽片的消耗量是主流DRAM的約3倍;NAND Flash堆疊層數攀升至200層、300層甚至400層。業界普遍認為,未來製造工藝將採用“雙晶圓鍵合”(兩片晶圓合成一片完整NAND),相當於矽片需求直接翻倍。與此同時,全球晶圓廠的擴產焦點正在全面向12英吋傾斜。SEMI預測,2025年至2027年全球12英吋晶圓廠裝置投資將達到創紀錄的4000億美元。截至2024年第三季度末,全球共有超過180座12英吋量產晶圓廠;預計到2026年,這一數字將增至230座。其中,中國大陸地區已有超過50座 12 英吋量產晶圓廠(包含西安三星、無錫 SK 海力士、南京台積電等外資晶圓廠),預計 2026 年中國大陸地區 12 英吋晶圓廠量產數量超過 70 座,相應產能增長至 329 萬片/月,約佔屆時全球 12 英吋晶圓廠產能的 1/3,其中以中芯國際、華虹集團、長江儲存、長鑫儲存為代表的內資 12 英吋晶圓廠產能將增至約 260 萬片/月。全球競爭格局:五大寡頭穩固全球12英吋矽片市場高度集中。五大廠商——信越化學、SUMCO、環球晶、德國世創(Siltronic)、SK Siltron——均為海外老牌企業,合計佔據85%以上份額,其中日本雙寡頭(信越+SUMCO)掌控全球12英吋矽片約一半全球產能。這些廠商擁有深厚的技術壁壘:每家在晶體生長、缺陷控制、拋光與外延工藝上積累數千項專利,最多達 3,500 項以上,形成較強的專利壁壘,對後續進入者帶來一定的挑戰;與下遊客戶簽有長期供貨協議(LTA),鎖定台積電、三星、英特爾等主要晶圓廠;大部分核心裝置與材料實現內部協同,形成封閉生態。信越化學1926 年在日本成立,是全球產能和出貨量最大的電子級矽片生產企業,也是全球第一家(2001 年)量產 12 英吋矽片的廠商,具有領先的技術和穩定的市場份額,是業內唯一一家常年持續盈利的電子級矽片公司。SUMCO 1999 年在日本由住友金屬工業、三菱材料和三菱材料矽事業部合資成立,過去十年借助一系列併購整合快速發展,目前是全球產能和出貨量排名第二的電子級矽片製造商,也是電子級矽片領域申請專利最多的廠商。公司目前專注於電子級矽片業務,產品包括拋光片、外延片、SOI 片等,產品以 12 英吋矽片為主。根據其年報披露,SUMCO 應用於先進製程邏輯晶片的外延片全球市佔率居首。環球晶圓2011 年在台灣成立,前身為 1981 年成立的中美矽晶製品股份有限公司的半導體事業處,成立後陸續收購美國 Globitech 取得外延技術以及日本的Covalent 公司拓展至 12 英吋矽片生產,同時併購了美國 SunEdisonSemiconductor 公司,成為全球產能和出貨量前五大的電子級矽片供應商,主要產品為外延片、拋光片等。德國世創成立於1953年,是德國化工巨頭 WACKER 集團(全球電子級多晶矽主要供應商之一)的子公司,是全球首個研發推出 12 英吋矽片的廠商。在 6 英吋和 8 英吋矽片製造領域佔據領先地位,除拋光片和外延片外,還具有獨特的區熔矽單晶、HIREF 晶片等特殊產品,當前全球產能和出貨量排名前五。SK Siltron於1983 年在韓國成立,目前是韓國 SK 集團的子公司,12 英吋矽片主要產品面向三星、SK海力士等儲存IDM客戶,是韓國唯一一家電子級矽片專業製造商,發展期間受到韓國政府與韓國廠商的大力支援,當前全球產能和出貨量排名前五。全球前五大廠商開展 12 英吋矽片業務大多早於公司 15 年以上,無論是下游台積電、三星電子等全球戰略級晶圓廠客戶,還是上游電子級多晶矽、石英製品和矽片工藝裝置等核心裝置和材料供應商,均已形成穩定合作(包括但不限於簽訂確保最低採購量的長期協議、優先參與客戶更先進製程晶圓工藝的研發等),甚至是控股或參股的投資關係。同時,國際同業對矽晶體的基礎理論研究、晶體生長和矽片加工具有深厚的技術底蘊,建立了森嚴的專利技術壁壘,具有技術先發優勢。此外,相應廠商前期高額的裝置投入部分已折舊完畢,固定成本壓力小,生產工藝相對成熟,良率相對穩定,已實現一定規模效應,具有較好的盈利能力。國內12英吋矽片競爭格局初顯相比國際巨頭,中國 12 英吋矽片產業起步較晚、技術積累薄弱、規模普遍偏小。當前,中國 12英吋矽片仍大部分依賴進口,特別是對於先進製程晶片所需的中高端12英吋矽片,自給矛盾更甚。不過隨著國家“強鏈補鏈”政策推動,以及晶圓廠產能加速佈局,國內友商競爭格局初顯。目前成規模的國內廠商主要有7家,包括西安奕斯偉材料、上海新升 、中環領先、立昂微、中欣晶圓、山東有研艾斯、上海超矽等,這七家企業構成了國內矽片產業的核心力量,其共同特點是:高資本投入、強工藝迭代能力、持續產能擴張。各家廠商12英吋矽片產能現狀如下:西安奕斯偉材料是當前國內12英吋矽片領域的領軍企業,當前產能 65 萬片/月,佔國內總量的 30.95%。公司已成為國內主流儲存 IDM 廠商的全球矽片供應商中採購佔比第一或第二大的戰略級供應商,實現了對國內一線邏輯晶圓代工廠大多數主流量產工藝平台的正片(拋光片和外延片)供貨,客戶涵蓋聯華電子、力積電、格羅方德、日本鎧俠、美光科技等國際一線晶圓廠,海外收入佔比約30%。奕斯偉材料的IPO招股書中指出,截至2024年9月,奕斯偉材料的合併產能已達 65 萬片/月,約佔全球 12 英吋矽片總產能的 7%。通過二期工廠建設,奕斯偉預計到2026年產能將達到 120 萬片/月,可滿足屆時中國大陸 40% 的12英吋矽片需求,全球份額預計超過10%,有望進入行業第二梯隊。上海新昇是滬矽產業的全資子公司,滬矽產業於 2015 年成立,先後收購上海新昇、新傲科技、Okmetic 三家子公司,主要產品涉及 8 英吋、12 英吋拋光和外延片、SOI 矽片。上海新昇為國內首家實現 12 英吋矽片規模化量產的企業,2023 年 12 英吋矽片收入佔滬矽產業合併收入超過 40%。中環領先是TCL中環的控股子公司,TCL 中環於 1999 年成立,是國內太陽能單晶矽片的龍頭企業之一。下屬控股子公司中環領先整合了 TCL 中環內部 8 英吋及以下和 12 英吋矽片業務,在功率半導體用的重摻矽片領域具有較強優勢,也是國內 8 英吋矽片規模最大的廠商。中環領先於2023 年收購徐州鑫晶,進一步提升了 12 英吋矽片能力。立昂微成立於2002年,主營業務為半導體功率器件和化合物半導體射頻晶片、電子級矽片。其中電子級矽片 2023 年收入佔比約 56%,是國內 8 英吋矽片的主要廠商,在功率半導體用重摻矽片領域具有較強優勢。立昂微控股的金瑞泓微電子專注於12英吋矽片業務,2022年收購國晶半導體進一步提升了12英吋矽片能力。中欣晶圓成立於2017年。產品以8英吋及以下拋光片為主,12英吋拋光及外延片收入佔比約三分之一。同時兼營單晶矽棒銷售與矽片代工業務。山東有研艾斯是有研矽的參股公司,專注12英吋矽片佈局。母公司有研矽成立於2001年,長期深耕區熔矽、8英吋拋光片與裝置用矽材料領域。上海超矽成立於2008年,主營8英吋與12英吋矽片、先進裝備與材料研發。8英吋業務由重慶超矽負責,母公司則主攻12英吋高端矽片。根據 SEMI 統計,2026 年全球 12英吋矽片需求將超過1,000萬片/月,中國大陸地區需求將超過300萬片/月。當前中國大陸產能(2024年底)約210萬片/月,預計 2026 年將增至300–330萬片/月,基本匹配大陸需求。但本土矽片產能的產品結構仍偏中低端,在高端邏輯(7nm 以下)或高端儲存(HBM、3D NAND)領域,依然要依賴信越、SUMCO、環球晶的供貨。SiC與GaN晶圓:冷熱不均的化合物材料新周期在化合物半導體矽晶圓領域,市場景也氣呈現明顯分化。環球晶董事長徐秀蘭指出,6/8 英吋碳化矽(SiC)晶圓產能利用率目前低於 50%,雖短期仍顯低迷,但已出現局部復甦跡象,2026年市況可望好轉。SiC 晶圓市場近期波動主要源於中國廠商的快速擴張,帶來了價格與產能的“雙重擠壓”。以山東天岳為例,2025 年初至第三季度,天岳先進營收同比下降 13.76%,歸母淨利潤更下滑 99%。公司在財報中解釋稱:為應對日趨激烈的市場競爭、擴大市場應用覆蓋面,公司採取戰略性降價換量策略;與此同時,客戶驗證周期、研發投入與匯率波動疊加,導致毛利與利潤大幅承壓。這反映出當前 SiC 市場雖需求廣闊,但競爭格局已趨白熱化。國內廠商不僅在 8 英吋產線展開激烈競爭,12 英吋碳化矽晶圓的技術攻關也已進入“群體突破期”。目前,山東天岳、山西爍科晶體、寧波合盛、浙江晶瑞、廣西南砂、天科合達、河北同光等企業均在 12 英吋 SiC 晶圓上取得階段性成果。例如,晶盛機電旗下晶瑞 SuperSiC:首條 12 英吋 SiC 基板加工試產線已於 2025 年 9 月貫通。相較之下,國際廠商如 Wolfspeed、ROHM 等在 12 英吋佈局上則顯得更為謹慎。圖源:天岳先進與 SiC 的“競爭降溫”形成對比,氮化鎵(GaN)晶圓正處於快速放量階段。受益於快充、伺服器電源、5G 射頻、AI 資料中心電源模組等高頻高效應用的帶動,GaN 晶圓需求持續增長。Yole Group 預計,2025 年全球 GaN 功率與射頻市場規模將超過65億美元,至 2030年將突破150億美元。國際廠商如英飛凌、意法半導體、瑞薩(Transphorm)、安森美等正加速推進GaN的建設。2025 年7月2日發文表示,其 300 mm GaN 晶圓技術已就緒,計畫於 2025 年第四季度向客戶提供樣片;imec發佈“300 mm GaN項目”——於 2025 年 10 月宣佈,已與 GlobalFoundries、KLA Corporation、AIXTRON、Synopsys 和 Veeco Instruments Inc. 聯合開發 300 mm GaN外延及工藝流程。國內方面,2025 年3 月,九峰山實驗室宣佈,中國首條 8 英吋 N-極 (N-polar) GaN-on-Insulator (GaNOI) 材料試製成功,為國內 GaN 晶圓/襯底邁向大尺寸規格打下基礎;此外,晶湛半導體成功發佈12英吋矽基電力電子氮化鎵外延片。。。寫在最後無論是12英吋矽片的結構轉移,還是SiC與GaN的材料革命,本質上都在考驗產業的理性擴張能力與技術縱深。上游晶圓片的警鐘,或許並非壞消息——恰是一次“產業冷靜期”的開始。 (半導體行業觀察)
上海半導體大矽片獨角獸,衝刺百億IPO!擬募資50億
6月13日,國產大矽片供應商上海超矽科創板IPO申請獲上交所受理。上海超矽成立於2008年7月31日,註冊資本為11.76億元,已發展為國際知名的半導體矽片廠商。其法定代表人、實際控制人是其董事長兼總裁陳猛,控股股東是上海沅芷(持股10.60%)。該公司專注於大尺寸半導體矽片的研發與生產,產品主要包括12英吋(直徑300mm)、8英吋(直徑200mm)半導體矽片,以市場需求較大的P型矽片(摻雜劑主要為硼)產品為主,也包括少量摻磷的N型矽片。上海超矽擁有設計產能70萬片/月的300mm半導體矽片生產線以及設計產能 40萬片/月的200mm半導體矽片生產線,產品已量產應用於先進製程晶片,包括NAND Flash/DRAM(含HBM)/Nor Flash等儲存晶片、邏輯晶片等。根據胡潤研究院《2024全球獨角獸榜》,上海超矽企業估值為110億元。另據投中網今年4月報導,上海超矽在去年C輪融資後估值已達到200億元。此次IPO,上海超矽擬募資49.65億元,用於“積體電路用300毫米薄層矽外延片擴產項目”、“高端半導體矽材料研發項目”和“補充流動資金”。三年累計收入逾31億,淨虧損超31億全球半導體矽片行業市場集中度比較高,全球前五大矽片企業的市場份額在80%左右,中國大陸半導體矽片企業在單家企業市場規模和生產技術水平上與全球龍頭企業均存在一定差距。國內半導體矽片供應商有滬矽產業、立昂微、有研矽、上海合晶、西安奕材、中欣晶圓等,產能情況如下:相較於8英吋晶圓,12英吋晶圓在先進製程中可大幅降低單位晶片成本,同時提升晶圓利用率,尤其適用於7nm及以下工藝的大規模量產。全球12英吋晶圓產能持續擴張,主流晶圓廠已將其作為支撐高端邏輯晶片、儲存晶片製造的核心基礎設施。根據SEMI的資料,2024年12英吋晶圓產能為834萬片/月,預計2026年將增長至989萬片/月,同時,預計2026年半導體矽片市場中12英吋矽片的市場份額也將超過77%。相較於行業前五大半導體矽片企業,上海超矽規模較小,2024年佔全球半導體矽片市場份額為1.60%。▲上海超矽在全球半導體矽片市場的市場份額具體情況IPO檔案顯示,上海超矽的300mm及200mm矽片代表產品的技術指標已與全球前五大廠商處於同一水平。2022年、2023年、2024年,上海超矽的營收分別為9.21億元、9.28億元、13.27億元;淨利潤分別為-8.03億元、-10.44億元、-12.99億元;研發投入分別為0.78億元、1.59億元、2.46億元。▲2022年~2024年上海超矽營收、淨利潤、研發支出變化(芯東西製圖)其300mm矽片收入佔比和銷量快速增長,2024年有54%的收入來自300mm矽片。這主要源自下遊客戶需求增長,如客戶A用於通用人工智慧(AGI)和人工智慧(AI)相關的先進製程持續火爆帶動需求持續穩定增長。▲2022年~2024年上海超矽主營業務收入分佈變化(芯東西製圖)報告期內,因上海超矽300mm矽片生產線建設正在持續進行中,且300mm矽片產品尚處於產能爬坡的關鍵階段,暫未形成規模效應,該公司短期記憶體在累計未彌補虧損,截至2024年末,公司累計未分配利潤為-39.72億元。同期,其綜合毛利率為-11.09%、-7.05%、-3.31%,低於台灣及境外可比公司、上海合晶、立昂微、西安奕材平均水平。截至2024年末,上海超矽的資產總額為154.89億元,商譽為13.94億元,存貨帳面價值為10.81億元,存貨跌價準備金額為4.33億元。年產840萬片12英吋半導體矽片,去年均價366.98元/片上海超矽的主要產品包括300mm、200mm半導體矽片,以市場需求較大的 P型矽片產品為主,也包括少量摻磷的N型矽片。其中,300mm半導體矽片產品包括拋光片和外延片,200mm半導體矽片產品包括拋光片、外延片、氬氣退火片以及SOI矽片。▲上海超矽主要產品的具體情況其200mm和300mm半導體矽片規模化生產線分別於2016年和2020年正式投產,300mm半導體矽片生產線於2018年開始建設,2020年第四季度300mm矽片正式對外供貨。2022年下半年,重慶超矽300mm拋光片中試生產線整體搬遷至上海。2023年,重慶超矽200mm SOI矽片正式對外供貨。▲上海超矽主要產品的演變情況該公司當前投產及在建產能釋放後具備以上海超矽為主體的年產840萬片300mm半導體矽片以及以重慶超矽為主體的年產480萬片200mm半導體矽片產能。2022年度至2024年度,上海超矽整體產銷率維持在較高水平,2024年300mm半導體矽片產銷率最高,達到97.32%。▲上海超矽主要產品的產量、銷量、產銷率報告期內,該公司300mm半導體矽片平均價格分別為388.03元/片、385.97元/片、366.98元/片,200mm半導體矽片平均價格分別為204.19元/片、208.84元/片、180.97元/片,價格波動主要受下游市場需求以及產品結構變動等因素影響。▲上海超矽自行生產的矽片的平均價格上海超矽已全面掌握了半導體矽片製造的完整工藝環節,包括全自動晶體生長裝備及晶體生長工藝、切磨拋清洗表徵等加工工藝、核心工序的定製化加工裝備系統、全工序分析測試系統、先進的工廠廠務系統、帶OHT的全自動物料自動輸運系統、電腦整合輔助製造系統及全流程質量控制系統等,並擁有穩定可靠的技術營運團隊。截至2024年末,上海超矽共有210名研發人員,佔員工總數的13.13%。已與全球前20大積體電路企業中的18家建立合作上海超矽已與全球前20大積體電路企業中的18家建立了批次供應的合作關係,在行業內擁有了較高知名度。具體來看,其客戶包括了多家全球主流晶圓代工廠、全球知名儲存晶片製造企業、全球主要的IDM廠商以及華力微電子、華潤上華、粵芯等中國大陸重要戰略性客戶。報告期各期,上海超矽前五大客戶的銷售金額佔各期營收的比重分別為56.04%、58.33%、63.66%,銷售額較為集中。該公司不存在對單一客戶銷售額超過當期營業收入50%的情形,亦不存在對單一客戶的重大依賴。上海超矽生產經營所需的主要原材料包括多晶矽、石英坩堝、化學品、石墨件、包裝材料等。其重要供應商主要包括Sun Silicon、上海長瀨貿易有限公司、Wacker Chemie AG等。報告期內,該公司向前五名原材料供應商的合計採購金額分別佔當期原材料採購總額比例為59.82%、48.85%、53.80%,較為集中,不存在對單一供應商銷售額超過當期營收50%的情形,亦不存在對單一供應商的重大依賴。中科院博士連續創業上海重慶等國資持股截至招股書籤署日,上海超矽擁有5家全資子公司、1家分公司,並作為有限合夥人參與投資了1家合夥企業。▲上海超矽股權結構其國有股東包括兩江置業、積體電路基金、積體電路基金二期、交銀投資、上海國鑫和上海科創投。積體電路基金二期、積體電路基金分別是上海超矽的第六、第九大股東,分別持股3.50%、2.91%。▲上海超矽前十名股東持股情況本次發行前,上海超矽共有12名自然人股東。其實際控制人陳猛直接持有公司3.12%的表決權,通過上海沅芷和上海沅英控制公司48.52%的表決權,陳猛合計直接及間接控制公司51.64%的表決權。▲上海超矽前十名自然人股東在公司擔任的職務及直接持股情況陳猛出生於1971年2月,1999年7月博士畢業於中國科學院金屬研究所,2001年1月中國科學院上海微系統與資訊技術研究所博士後出站。2001年,在中國科學院院士王曦的帶領下,陳猛與課題組同事聯手創辦上海新傲科技,做SOI矽片產業化。陳猛從2001年1月至2009年11月曆任上海新傲科技經理、總經理助理、副總經理等。2008年7月,陳猛再度創業,創辦上海超矽做半導體大矽片。他從2009年12月至今擔任上海超矽總裁、董事長。王曉輝是陳猛的配偶,陳猛、王曉輝夫婦合計控制上海超矽表決權比例為51.78%。除了上海超矽和上海沅芷外,陳猛控制的其他企業為上海沅英、蘇州芷蘭、上海芷矽、上海芷晶、上海芷芯和上海芷菁。其中,蘇州芷蘭、上海芷矽、上海芷晶、上海芷芯和上海芷菁均為發行人的員工持股平台。結語:AI伺服器帶動12英吋矽片增長,國產矽片替代需求旺盛半導體矽片尺寸越大,對半導體矽片的生產技術、裝置、材料、工藝的要求越高。隨著AI晶片、5G通訊及高性能計算需求的爆發式增長,12英吋晶圓憑藉其成本與性能優勢,正加速成為半導體製造的核心載體。國內外廠商加速佈局大模型,帶動算力需求爆發式增長,驅動AI伺服器行業維持較高景氣度,對矽片的需求量也會明顯增長。根據SUMCO測算,AI伺服器對12英吋矽片的需求量是通用型伺服器的3.8倍。當前半導體矽片領域仍由國際廠商佔據主導地位,國產化率較低,未來矽片國產替代需求仍將十分旺盛。中國矽片廠商有望依靠本土市場優勢,把握國內市場對產業鏈自主可控的迫切需求,逐步實現對境外競爭對手的追趕和局部超越,在進口替代乃至衝擊國際市場方面均具有廣闊的發展空間。 (EDA365電子論壇)
光刻技術概述及其分類
光刻是一種影像複製技術,是積體電路製程中至關重要的一項製程。簡單來說,光刻類似照相複製方法,即將掩膜版上的圖形精確地複製到塗在矽片表面的光刻膠或其他掩蔽膜上面,然後在光刻膠或其他掩蔽膜的保護下將矽片進行離子注入、蝕刻、金屬蒸鍍等。 光刻技術與晶片的價格和性能密切相關。光刻的最小線寬直接決定裝置的最小特徵尺寸,裝置的特徵尺寸越小,在一個矽片上就可以整合越多的裝置。隨著光刻的技術不斷發展,線寬不斷縮小,每個矽片上裝置數目就越來越多,這樣,單位裝置的成本就不斷降低,而且單一矽片上整合更多的裝置也意味著可以使電子產品實現更多的功能以及更好的性能。當然這種比較是假定在各種光刻系統的成本不變,只考慮了單位矽片成本的基礎上進行的。 事實上,隨著每一代線寬的改變,光刻機、掩膜版、光阻等的成本也在變化,對下一代的光刻工藝來說,其光刻系統的價格往往更加昂貴。即使如此,人們仍在不斷追求越來越細的線寬,追求產品在性價比上的提升。目前,積體電路已經從20世紀60年代的每個晶片上僅幾十個裝置發展到現在的每個晶片上可包含約10億個裝置,其增長過程遵從摩爾定律,這與光刻技術的發展密不可分。 光刻技術的不斷發展為積體電路技術的進步提供了三方面的保證:第一,大面積均勻曝光,在同一塊矽片上能同時做出大量裝置和晶片,保證了批量化的生產水準;第二,圖形線寬不斷縮小,整合度不斷提高,生產成本持續下降;第三,由於線寬的縮小,裝置的運作速度越來越快,積體電路的效能不斷提高。