記憶體晶片概念股再度異動！
今日（8月5日），A股記憶體晶片概念股大幅走高，江化微、時空科技、博傑股份、中巨芯等直線拉升漲停，中微公司、兆易創新、江波龍、佰維記憶體等紛紛衝高。截至午盤，記憶體晶片類股整體漲幅超過6%，漲停或漲幅超過10%的個股接近30隻。
當天，在韓國證券市場上，SK海力士漲超6%，三星電子漲近4%。隔夜，美股記憶體概念股集體大漲，閃迪漲超10%，美光科技漲超7%，SK海力士ADR漲超8%。
市場分析人士認為，記憶體晶片類股走強主要受基本面驅動。全球AI算力部署提速，持續拉動DRAM需求，當前供給缺口未見縮小，行業量價齊升勢頭明確，頭部廠商盈利屢超預期。多家研究機構預判，DRAM供不應求格局將至少延續至2027年。
記憶體晶片概念股拉升
投資者再度押注人工智慧（AI）交易。今日，亞太市場記憶體晶片概念股集體走高，截至12：00，SK海力士漲6.85%，三星電子漲3.96%，鎧俠控股漲6.26%。
A股記憶體晶片股也大幅拉升。截至午盤，通達信記憶體晶片指數漲幅超過6%，中巨芯、正帆科技20%漲停，江化微、有研新材、時空科技、博傑股份、中京電子、沃格光電、大為股份、康強電子等10%漲停，中微公司、有研矽、金太陽（維權）等漲超13%，拓荊科技、恆爍股份、西安奕材、長川科技（維權）等漲超10%，普冉股份、屹唐股份漲超9%，兆易創新、江波龍漲超7%，佰維記憶體、南亞新材漲近7%，德明利漲超5%。
根據TrendForce集邦諮詢最新記憶體器產業研究，2027年記憶體器需求仍由AI應用主導，DRAM因HBM持續排擠產能、AI Server需求強勁，CPU所用的記憶體器與HBM採購動能持續增加，市場維持供給緊張格局，價格走勢偏強。
TrendForce集邦諮詢指出，2026年DRAM供應與需求位元的差距（sufficiency ratio）落在-1%至-2%之間，2027年由於需求增速超越供給增速，供需缺口將進一步擴大。不過，NAND Flash在新產能集中釋放、終端消費需求持續走弱的情況下，2027年下半年供給將趨向寬鬆，價格可能面臨修正壓力。
行業龍頭公司對記憶體市場的預測則更加樂觀。三星電子近日在業績電話會上表示，隨著AI基礎設施資本開支援續增加以及AI智能體的快速普及，服務器DRAM、企業級固態硬盤（eSSD）和高帶寬內存（HBM）的需求增速有望進一步加快。
三星電子指出，考慮到從新建晶圓廠到實際晶圓生產的周期超過三年，新增供應量在2028年之前難以出現顯著增長。根據當前客戶需求，今年的未滿足需求將延續至明年，供應短缺局面預計將持續到2028年，2027年的供應限制甚至將比2026年更加嚴峻。
國泰海通證券認為，受AI數據中心投資高景氣帶動，DRAM、HBM等記憶體產品需求持續旺盛，三星電子、SK海力士2026年第二季度業績均創歷史新高。AI記憶體供需緊張推動記憶體廠商業績快速釋放，後續擴產和技術升級節奏有望進一步加快，帶動半導體設備需求持續上行。
機構：長鑫記憶體增速迅猛
日前，根據Counterpoint Research發佈的《全球內存追蹤報告》，三星電子在2026年第二季度重奪DRAM市場頭把交椅，市場份額擴大至39%，達到2024年以來的最高水平。SK海力士、美光科技緊隨其後，市場份額分別為26%、25%。
值得關注的是，上述報告指出，2026年第二季度，長鑫記憶體成為全球增長最快的DRAM廠商，營收同比增長716%，主要受益於中國市場傳統DRAM需求旺盛及產能持續擴張。Counterpoint Research研究副總裁Neil Shah表示，2026年下半年，如果長鑫記憶體能夠擴大產能，滿足國內外市場需求，那麼一年後其市場份額將大幅增長。
報告稱，DRAM需求持續超過供給，因為一輪又一輪的AI應用浪潮推動了先進計算基礎設施的部署。這既提升了用於CPU的傳統DRAM需求，同時也加速了GPU中下一代高帶寬內存（HBM）的採用。
在評論三星電子的表現時，Counterpoint Research高級分析師Jeongku Choi表示：「三星克服了所有障礙，在業績上實現了較去年同期的出色反轉。公司受益於傳統DRAM的強勁需求和價格上漲，同時在HBM領域也在擴大份額。展望未來，隨著2026年第三季度預期中的進一步漲價，三星電子的盈利有望繼續增長。」
報告指出，2026年第二季度，傳統DRAM價格環比大幅上漲，而HBM價格同比則有所下降。HBM平均價格下降尤為明顯，原因是現有HBM3E產品價格下跌，以及HBM4的推出延遲。然而，相對較低的HBM價格預計將在明年隨傳統DRAM價格上漲後大幅回升。
興業證券最新發布的研報指出，行業供需持續緊張，推動DRAM價格持續上行。DRAM方面，測算2026—2028年，DRAM總需求分別為52EB、69EB、98EB，DRAM總供給分別為50EB、67EB、97EB，2026—2028年DRAM供需缺口分別為-4.38%、-2.98%、-1.48%。在AI需求增長以及供需關係持續緊張的驅動下，記憶體產品價格的上漲周期有望貫穿2026年全年。
上述券商表示，隨著AI訓練和推理對算力需求的快速增長，數據中心對HBM、大容量DDR5及企業級SSD的記憶體需求快速增長，行業景氣度持續提升。長鑫記憶體作為國內DRAM記憶體龍頭公司，深度受益於此次記憶體超級周期，通過產能加速擴張和產品持續迭代，有望實現份額進一步提升。(券商中國)