全球半導體產業鏈大反攻!多重利多來襲,類股能否王者歸來?

AI速讀
8月5日全球半導體板塊全面反彈,日韓美及A股相關指數集體走高。利好因素包括SK海力士與閃迪推出HBF標準、國家大基金三期加碼設備賽道,以及中微公司預期淨利大幅增長。數據顯示,三星在DRAM市佔率領先,而長鑫存儲銷售額增幅最高。券商分析指出,受AI驅動,HBM需求將爆發式增長,且國產設備替代速度將加速,玻璃基板等新技術亦具備顯著的長期市場潛力。

8月5日,全球半導體產業鏈反彈持續!

科創50指數拉升漲超3%,半導體產業鏈集體走高,記憶體晶片、先進封裝、MLCC等細分紛紛大漲,風華高科逼近漲停,中微公司、晶合整合漲超5%,中京電子、博傑股份、金海通、聯創電子等多股漲停。

日韓股市大漲,截至台北時間8:30,日經225指數上漲3.4%;韓國交易所啓動SIDECAR機制,暫停KOSPI程序化買盤。兩大記憶體晶片巨頭強勢上漲,SK海力士上漲6.28%,盤中一度漲超7%;三星電子上漲4.17%,盤中一度漲超6%。

隔夜美股半導體、記憶體、光通訊概念股普遍上漲,費城半導體指數漲超6%,應用光電漲超19%,COHERENT漲超12%,LUMENTUM漲近9%,ARM漲超17%,邁威爾科技漲超12%,英特爾、閃迪漲超10%,SK海力士美國存託憑證(ADR)漲超8%。

值得關注的是,A股半導體產業鏈迎來多重利多:

1、8月4日,組建HBF聯盟6個月後,SK海力士與閃迪宣佈,推出高帶寬閃存(HBF)的行業首套標準規範。

2、國家大基金三期繼續出手,持續加碼半導體設備賽道,入股瀋陽正芯半導體科技有限公司。值得一提的是,瀋陽正芯與A股半導體「大牛股」富創精密關係非常密切。

3、晶片巨頭業績利多,中微公司預計2026年上半年淨利預增最高超300%。值得關注的是,據新浪報導,三星和SK海力士正評估中微半導體的晶片製造設備,考慮將其用於旗下中國工廠。

4、政策方面,近日,中國修訂後的《整合電路布圖設計保護條例》公佈:增加獨創性聲明要求,完善轉讓、許可、出質要求。

值得關注的是,據市場調研機構Counterpoint Research8月4日發佈的《全球內存追蹤報告》顯示,2026年第二季度,三星電子以39%的市場份額位居DRAM(動態隨機存取記憶體器)市場第一。這一表現歸因於通用DRAM需求增長帶來的價格上漲,以及HBM(高帶寬內存)市場份額的擴大。2026年第二季度,SK海力士DRAM銷售額同比增長214%,但其市場份額卻從去年同期的39%下降至26%。排名第三的美光科技二季度業績亮眼,以25%的市佔率將與SK海力士的差距縮小至僅1個百分點。

2026年第二季度,長鑫記憶體收穫7%的市場份額,排名第四。受益於強勁的國內通用DRAM需求和產能擴張,長鑫記憶體二季度銷售額同比增長716%,增幅為所有廠商中最高。

對於當下半導體設備行業景氣度延續性,多數券商仍然看好後市。

中信建投研報稱,全球半導體設備景氣度持續上修,海外設備、零部件已出現“量價齊升”情況,海外交期大幅延長,中國國產設備、零部件經歷「十四五」時期的修煉,能力大幅提升,具備充足的出海潛力。另外一方面,除了外部制裁因素以外,全球缺貨使得國內下遊客戶獲取海外設備、零部件的難度進一步提升,看好國內市場的中國國產替代速度大幅加速。

細分方向看,東吳證券在最新披露的研報中測算,全球HBM wafer需求將由2024年的2.9萬片/月增長至2028年的44.2萬片/月,年均複合增速超過90%。由於HBM持續擠佔傳統DRAM晶圓產能,AI對記憶體的擠出效應未來兩年內仍難緩解,全球DRAM供需仍將維持緊平衡,國內外記憶體廠商擴產需求具備較強持續性。

中信證券認為,玻璃基板可應用於玻璃基載板、玻璃中介層、玻璃載體和玻璃橋等多個方向,其中玻璃基載板有望率先落地,預計2027年起實現小批次出貨,2030年潛在市場空間有望超過700億元。(騰訊自選股綜合)