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SK 海力士宣布重啟大連 NAND 快閃記憶體二廠，預計明年上半年投產，將使當地總產能增加 50% 至每月 15 萬片。此舉主因是 AI 浪潮推升企業級 SSD 需求，使 NAND 市場強勢回溫。在戰略上，SK 海力士將實施分工：大連廠利用成熟技術生產 100 層級產品以追求效率，而韓國清州 M17 廠則投資 19.1 萬億韓元，專攻 300 層以上的高階產品，藉此在應對美國出口管制壓力與滿足全球需求之間取得平衡。
據外媒報導，SK 海力士將重啟停工多時的大連 NAND 快閃記憶體二廠建設，把當地整體產能提高約 50%。
大連二廠四年前開工後，因記憶體晶片市場低迷而長期擱置。SK 海力士計畫在今年年底前匯入生產裝置，並於明年上半年正式投產。
半導體業界消息稱，今年上半年起，大連二廠重新獲得了 SK 海力士旗下 NAND 子公司 Solidigm 的投資，建設工程也同步恢復。
生產裝置最早將於 11 月進場，量產體系將於明年上半年建立。據悉，新生產線每月可投入約 5 萬片晶圓，加上大連一廠現有的每月 10 萬片，SK 海力士在當地的 NAND 產能將增加約 50%。
擱置四年的大連投資得以重啟，與 NAND 市場迅速回暖密切相連。AI 資料中心擴張帶動企業級固態硬碟需求激增，NAND 價格一年內上漲近 10 倍。
SK 海力士 2021 年收購英特爾 NAND 業務並成立 Solidigm，同時接手大連一廠及土地，次年 5 月開始建設二廠。但隨後記憶體晶片行業陷入低迷，再加上美國收緊對華半導體裝置限制，大連二廠建成主體框架後便長期停工。
大連二廠復工後，SK 海力士將在 NAND 業務上採取雙軌佈局：大連主攻成熟技術的低層數產品，清州則集中生產先進的高層數產品。大連預計將以採用英特爾成熟浮柵結構的 100 層級 NAND 為主，提高生產效率；300 層以上產品則主要由清州 M17 等韓國國內基地生產。
SK 海力士此前宣佈，將向清州 M17 晶圓廠投資 19.1 兆韓元，計畫於 2028 年底啟用首座潔淨室並生產下一代 NAND 產品。一名業內人士表示：“大連二廠計畫採用與一廠相同的裝置，每月晶圓投入能力預計為 4 萬至 6 萬片。” (半導體技術天地)