韓國晶片雙雄，力保DRAM

繼去年記憶體半導體低迷之後，三星電子和SK 海力士透過擴展先進處理技術，積極加大對DRAM 的關注。這項措施是可以預期的，因為在強勁的人工智慧(AI) 需求的推動下，高頻寬記憶體(HBM) 和雙倍資料速率5 (DDR5) 的訂單預計會增加。

然而，NAND快閃記憶體的前景仍與去年的緊縮立場相似，主要是因為在實際需求復甦仍然不溫不火的情況下，大部分投資都流向了先進的DRAM。三星電子去年繼續進行大量資本投資，似乎利用競爭對手的有限投資作為增強其在先進加工領域競爭優勢的機會。

考慮到近期DRAM 價格的反彈，三星電子和SK 海力士正在考慮增加其工廠的半導體晶圓投入。這是為了加快向10 奈米(nm) 第四代(1a) 和第五代(1b) 版本的過渡，以生產HBM、DDR5 和低功耗(LP) DDR5 等高價值產品。不過，由於半導體產業持續削減DDR4庫存，並將投資集中在供應成長緩慢的更精細製程上，預計今年整體DRAM供應增量有限。

三星電子計畫今年在平澤第三工廠(P3) 全面運作的推動下大幅增加DRAM 晶圓投入。隨著去年下半年開始以傳統DRAM 為中心的大幅生產調整，預計到今年底開工率將逐漸正常化。

SK 海力士主要致力於擴大其位於韓國的M16 和M14 工廠的先進製程產量。繼去年10月美國半導體設備出口管制轉向全面許可製度後，該公司還在中國無錫工廠加速先進製程的過渡。由於中國仍禁止進口尖端極紫外線(EUV) 微影設備，因此據報道SK 海力士正在考慮在韓國進行單獨的EUV 製程。

三星電子和SK海力士強調擴大先進製程份額的原因是預計今年高價值DRAM的需求將持續強勁。HBM 與人工智慧半導體一起使用，第四代(HBM3) 的供應量將大幅增加，第五代(HBM3E) 的新量產將開始。DDR5目前安裝在人工智慧伺服器和個人電腦中，預計從今年開始過渡到通用伺服器。

在去年底將NAND 快閃記憶體工廠的晶圓投入較年初減半後，三星電子繼續奉行積極的NAND 快閃記憶體削減策略，重點關注128 層（第6 代）。由於價格大幅下降和老一代NAND 快閃記憶體銷售疲軟，該公司正在推動直接過渡到236 層（第8 代），跳過中間代。

SK海力士也計劃今年進行以238層為中心的製程過渡。然而，分析表明，由於去年的資本投資主要集中在擴大HBM 產能上，NAND 快閃記憶體先進加工的積極擴張可能會面臨挑戰。

三星考慮將MUF應用於伺服器DRAM

根據TheElec 獲悉，三星正在考慮在其下一代DRAM 中應用模製底部填充(MUF)。

這家科技巨頭在其現有的寄存雙列直插記憶體模組(RDIMM) 中使用了熱壓縮非導電薄膜(TC NCF)。

但消息人士稱，三星最近測試了3 維堆疊(3DS) 記憶體的大規模回流(MR) MUF 工藝，與TC NCF 相比，吞吐量有所提升，但物理特性卻惡化了。

三星晶片部門的一位高階主管去年下令對MUF 進行測試。經過測試，該公司得出結論，MUF 不適用於高頻寬記憶體(HBM)，但最適合3DS RDIMM。3DS RDIMM 採用矽通孔(TSV) 製成，面向伺服器。

MUF是一種環氧模塑料，隨著SK海力士在HBM生產中成功應用它而受到晶片行業的關注。該化合物是與Namics 合作製造的。

三星則計劃與三星SDI 合作開發自己的MUF 化合物。消息人士稱，三星還訂購了MUF 應用所需的設備。

儘管如此，三星預計將繼續在其HBM 生產中使用TC NCF。預計美光科技也將採取同樣的做法。該材料被認為在避免晶圓翹曲方面更有優勢。(半導體產業觀察)