高頻寬記憶體(HBM)的良率遠低於傳統記憶體產品、透過輝達(Nvidia Corp.)品質測試(qualification test)的難度大增，讓市場對產量感到憂慮。
美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等HBM廠商面臨良率低迷窘境，為了通過輝達次世代AI GPU的品質測試，彼此正在激烈競爭。
HBM良率高低，主要跟堆疊架構的複雜程度有關，這牽涉到多重記憶階層，及作為各層連結之用的直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via，簡稱TSV)技術。這些複雜技術增加製程出現缺陷的機率，可能因此讓良率低於設計較簡單的記憶體。
此外，由於HBM一旦有一個晶片有缺陷，整個封裝都需丟棄，因此產量很低。消息顯示，HBM的整體良率目前約在65%左右，若業者試圖拉高良率、產量就會隨之下降。
美光已於2月26日宣布，開始量產高頻記憶體「HBM3E」，將應用於輝達最新AI晶片「H200」Tensor Core繪圖處理器(GPU)。H200預定今(2024)第二季出貨，取代目前算力最強大的H100。
SK海力士副社長金起台(Kim Ki-tae) 2月21日則在官方落格指出，雖然外部的不穩定因素仍在，但今年記憶體市場可望逐漸加溫。其中原因包括，全球大型科技客戶的產品需求恢復。此外，PC或智慧型手機等AI裝置對於人工智慧的應用，不僅會提升HBM3E銷量，DDR5、LPDDR5T等產品需求也有望增加。