日經：韓企在DRAM展開堆疊競爭，成日企商機

高頻寬記憶體（HBM）是把多個DRAM晶片堆疊在一起的先進記憶體。隨著AI的普及，需求急劇擴大。全球領先的是SK海力士，三星電子正在追趕。對於支撐精細堆疊技術的日系設備和材料企業來說，這也龐大的商機…

先進記憶體「高頻寬記憶體（HBM）」的開發競爭正在升溫。三星電子等正在追趕在堆疊半導體晶片、提高數據處理能力的技術上領先的SK海力​​士。對於支撐精細堆疊技術的日系設備和材料企業來說，HBM的普及也是巨大的商機。

HBM是把多個DRAM晶片堆疊在一起，提升資料處理能力的新結構半導體記憶體。隨著需要高速處理大量資料的人工智慧（AI）普及，需求正在急劇擴大。

由於將半導體電路寬度減至極限的「微細化」正在迎來物理極限，HBM正在把晶片堆疊起來，以三維結構提高處理能力。就像在用於保存資料的NAND型快閃記憶體領域展開的堆疊技術競爭一樣，在DRAM領域也掀起了堆疊層數的競爭。

領先的是記憶體領域排在世界第2位的SK海力​​士。 SK海力士與在AI領域領先的美國英偉達合作，共同開發並持續供應HBM。

SK海力士於2023年10～12月在記憶體產業率先轉虧為盈，很大程度上是因為利潤率較高的HBM的銷售增加。 SK海力士財務長（CFO）金祐賢自信地表示，「HBM將維持年均60%的市場成長。在開發和量產兩方面，其他企業很難輕易追上」。

SK海力士準備量產的先進產品把DRAM晶片堆疊至8層。作為下一代產品，已開始提供堆疊12層的樣品。三星和美光科技也正在加緊開發12層的產品。

但是技術難度很高，需要與現有DRAM量產不同的加工技術。

包括立體結構的佈線技術、具有散熱特性的封裝材料、精密削薄矽晶圓的技術等，SK海力士躍進的背後存在著日本供應商的支持。日本的製造設備廠商迪思科、愛德萬測試（Advantest）、TOWA等的股價暴漲的背後也有HBM普及這股強勁東風。

在以奈米為單位進行材料微細加工的技術領域，日系企業的角色龐大。三星在橫濱市設立半導體研究基地也是為了加深與日系供應商的關係，以扭轉局面。

新一代產品的出現使DRAM的行情有所好轉，但NAND的反彈力較弱。除了智慧型手機和個人電腦的銷售低迷之外，把照片和影片儲存到雲端成為主流，抑制終端資料容量的趨勢增強，這也產生了負面影響。

韓國有進投資證券針對三星2024財年（截至2024年12月）營業利潤預測稱，DRAM將賺到13兆韓元，NAND的利潤僅900億韓元，不到100分之1。即使同樣屬於半導體記憶體，受益於AI普及的DRAM和沒有火車頭拉動的NAND之間的收益差距將持續一段時間。(日經中文網)