今日，市場被一則消息震動：據供應鏈及媒體最新消息稱，中芯國際計畫於2026年初實施全線產品漲價，幅度約10%-20%。對於大多數交易員而言，這只是一個做多半導體ETF的訊號；但對於宏觀策略研究員，這是全球科技製造供應鏈成本定價機制發生根本性轉移的界碑。這10%-20%的漲幅，並非簡單的通膨溢出，它是“原材料美元通膨”、“AI產能擠出效應”與“供應鏈安全溢價”，三股力量劇烈擠壓出的“溢價”。這不是一次戰術性的調價，這是一次戰略性的重定價。一、漲價核心動因：成本傳導通膨在宏觀經濟學裡是貨幣現象，但在製造業裡，它是極度具體的物理現象。中芯國際此次漲價的底氣，首先來自於成本表的失控。1. 先進製程的美元通膨我們在分析晶圓廠成本時，往往過度關注“折舊”，而忽視了“變動成本”中正在發生的劇變。很多人認為，中國半導體國產化率提高後，我們就能擁有“低成本優勢”。但現實是冷酷的：在半導體製造的核心環節，通膨具有極強的“美元輸入性”。儘管我們竭力推進國產化，但核心供應鏈的去美化是一個漫長的漸進過程。在28nm及更先進的製程（甚至部分成熟製程的關鍵工序）中，對海外原材料的依賴依然存在剛性。光刻膠的剛性： 高端KrF和ArF光刻膠，以及部分電子束光刻膠，仍高度依賴日本與美國供應商。2025年下半年以來，受匯率波動及海外廠商產能策略調整影響，相關一次性消耗品價格普漲10%-20%。刻蝕氣體的地緣溢價： 電子特氣（如氖、氪、氙）作為晶片製造的血液，其供應鏈極易受到地緣政治（如東歐局勢）的擾動。這種擾動不再是短期的脈衝，而已固化為長期的“風險溢價”。良率的隱性成本： 在缺乏EUV光刻機的情況下，利用DUV進行多重曝光來實現7nm工藝，本質上是用“時間換空間”。這導致了光刻次數的倍增和掩膜版（Mask）消耗量的指數級上升。這部分的成本增加，是物理規律決定的，無法通過管理最佳化來消除。這就形成了一個尷尬的局面：晶圓廠收的是人民幣（針對國內客戶），但買材料付的是美元/日元。 當匯率波動與上游漲價產生共振，晶圓廠為了維持毛利率的底線，必須將這部分成本向下游傳導。2. 封裝端正如我們前幾天所述，26年將是一場耗物的經濟，而不論是成熟製程還是後道封裝，這裡發生的都是大宗商品周期的共振。ABF載板的成本傳導：封裝關鍵材料ABF載板，其上游原材料深度掛鉤石油衍生纖維布與電解銅箔。當布倫特原油在80美元/桶上方震盪，當銅價因全球電氣化需求而高企，ABF載板的生產成本便被底層大宗商品鎖定。20%的漲幅邏輯：產業資料顯示，ABF載板價格近期漲幅已超20%。這不僅僅是因為原料貴了，更是因為AI伺服器對高端載板的搶奪，擠壓了通用型載板的產能。中芯國際的漲價，首先是一次成本轉嫁。在毛利率受到擠壓的臨界點，漲價是維持資本開支能力的唯一選擇。除了變動成本，固定成本的壓力也在2026年到達峰值。這次漲價的底層邏輯之一，是晶圓廠在產能利用率回升到一定水位（如85%+）後，為了對抗“折舊黑洞”而進行的資產負債表修復。二、產能的擠出效應如果說成本上升是外因，那麼“產能結構的極度緊張”則是內因。這並非總量的短缺，而是結構的錯配。很多做模擬晶片、做MCU的朋友問：“AI火爆關我什麼事？我又不用HBM，我也不用3nm，為什麼我的8英吋、12英吋成熟製程產能也變得緊張了？”答案在於：產業鏈的傳導與資源的擠兌。2.1 儲存與模擬新聞中提到一個核心細節：“儲存晶片出價更高，中芯國際將產能分配向儲存傾斜。”我們需要理解晶圓廠的商業邏輯：▶ 儲存晶片（DRAM/NAND/利基型儲存）：標準化程度高，晶圓切割效率高，且當前受AI端側裝置（AI PC/AI Phone）驅動，需求處於爆發期。儲存廠商為了搶佔市佔率，願意支付更高的晶圓代工費。▶ 模擬晶片（PMIC/Signal Chain）：產品型號碎、單量小、定製化程度高。在產能充裕時，它們是填充產能利用率的良藥；但在產能緊張時，它們因ASP較低，成為了被擠出的對象。2.2 交期延長產業調研資料揭示了這場“內戰”的慘烈程度：頭部模擬廠商：其在中芯國際的晶圓交期，已從標準的6-8周惡化至12-14周。2026年的“鎖單”：更加驚人的訊號是，2026年的產能預定已近乎“爆單”。這意味什麼？這意味著對於模擬晶片廠商而言，現在的核心矛盾已不是“價格貴不貴”，而是“能不能拿到貨”。當台積電宣佈關閉部分8英吋產線，全球成熟製程供給出現真空，中芯國際作為主要的承接者，其產能瞬間成為稀缺資源。漲價10%，本質上是篩選客戶的手段——用價格機制剔除低毛利、不穩定的長尾需求。三、供應鏈安全溢價為什麼敢漲價？因為客戶沒得選。這是本輪半導體周期與2018年、2021年最大的不同：國產替代已從“可選項”變成了“必選項”。如果說成本和產能是商業邏輯，那麼“安全”就是政治邏輯。而政治邏輯，往往享有最高的定價權。在此背景下，國內的系統廠商（華為、小米、比亞迪、大疆等）制定了更為激進的“本土製造比例”指標。過去：只要設計是國產的就行。現在：製造也必須是國產的。這種轉變直接重塑了供需關係。原本可以找聯電、格羅方德代工的訂單，現在回流到中芯國際、華虹。四、產業鏈推演既然漲價是大機率事件，那麼壓力的傳導路徑是怎樣的？2026年的投資邏輯該如何重構？我們將產業鏈中游的設計公司分為三類，進行壓力測試：1. 強議價能力的甲方代表企業：海思（雖然不對外）、部分頭部AI晶片公司、頂級手機SoC廠商。影響預測：微乎其微。這部分客戶通常簽有LTA（長期供應協議），且本身就是晶圓廠極力拉攏的戰略夥伴。他們甚至可能通過“以量換價”獲得更好的條件。投資邏輯：強者恆強，關注其新品放量帶來的Alpha收益。2. 高毛利的龍頭代表企業：專注於汽車電子、高性能模擬、FPGA的細分龍頭。影響預測：可控。這類產品的毛利率通常在40%-60%之間，對晶圓成本的敏感度相對較低。且其下遊客戶（車企、工控廠）對價格不敏感，更看重質量。它們有能力將部分漲價傳導給下游。3. 通用晶片代表企業：低端MCU、消費類電源管理、低端儲存控製器、通用型功率器件廠商。影響預測：毀滅性打擊。這是最慘的群體。上游：晶圓廠漲價，不給產能。下游：華強北的現貨價格還在跌，客戶一分錢都不肯加。自身：毛利率本來就只有20%-30%，一旦晶圓成本上漲10%，淨利潤可能直接歸零甚至轉負。產業結局：2026年將是這批企業的“出清之年”。大量依靠融資生存、沒有核心技術壁壘的Design House將在這一輪周期中倒閉或被併購。中芯國際的這次漲價傳聞，其意義遠超財務報表本身。 (北向牧風)

12月22日消息，據路透社近日報導，聞泰科技旗下功率半導體大廠安世半導體（Nexperia）中國公司已經鎖定本地企業的晶圓供應，以覆蓋其2026年對於IGBT產品製造所需的全部生產。而荷蘭安世半導體目前仍因與聞泰科技的控制權糾紛而未恢復對安世中國工廠的晶圓供應。報導稱，中國安世的這一舉措將使這兩個月前宣佈獨立於荷蘭安世管理層的中國工廠能夠繼續製造絕緣柵雙極電晶體（IGBT）功率晶片和模組，這些開關用於調節電動汽車和工業裝置的電流。荷蘭安世與中國安世之間的爭議，始於今年9月底荷蘭政府從安世半導體中國母公司聞泰科技手中接管控制權之後，理由是公司治理問題。隨後在10月初，中國對於中國安世生產的產品的出口進行了管制，引發了全球汽車製造商晶片短缺。10月下旬，荷蘭安世也暫停了對安世中國工廠的晶圓供應。11月，中荷政府都放寬了相關措施，但圍繞安世半導體控制權的法庭爭鬥和內部鬥爭仍在繼續，中國和聞泰科技都警告稱，如果沒有長期解決方案，干擾可能會再次發生。在本月早些時候致分銷商的一封信中，安世中國已與當地供應商鎖定2026年IGBT產品的晶圓產能，並加快對聞泰科技控制人張學政旗下車規級晶圓廠鼎泰匠芯（Wingsky Semi）晶圓的驗證，以確保“充足供應”。鼎泰匠芯將向中國安世提供12英吋汽車級IGBT晶圓，其上海生產基地目前每月有能力生產3萬片晶圓。除了鼎泰匠芯，安世中國還將從上海GAT半導體（Shanghai GAT Semiconductor，原文如此），以及芯聯整合（United Nova Technology）採購8英吋IGBT晶圓。不過，信件並未明確披露已鎖定的晶圓供應具體數量。這一舉措標誌著安世中國與其荷蘭母公司之間的供應鏈進一步分離，可能導致徹底分裂。安世半導體告訴路透社，其未與中國子公司保持聯絡，且該部門“無意就恢復晶片流向客戶的短期解決方案進行談判”。安世半導體表示，IGBT產品在2024年佔整個安世半導體的總收入的約0.1%。中國安世尚未立即回應置評請求。一位知情人士透露，安世中國告訴當地分銷商，其位於中國東莞的工廠矽片庫存偏低，因為預計來自荷蘭的晶圓供應短期內難以恢復。據消息人士稱，其晶圓庫存過低已開始導致中國汽車製造商出現安世半導體晶片短缺，尤其是邏輯器件、電晶體和二極體，這些產品是安世半導體最受歡迎的產品。日本本田汽車近期也還表示，由於晶片短缺，中國和日本的一些工廠將不得不暫時停產。 (電子技術應用ChinaAET)

從最新一份全球晶圓代工市場資料來看，台積電在產業中的位置已經不僅僅是“領先者”，而更像是整個代工體系的核心支點。市場研究機構的統計顯示，2025 年第三季度，全球前十大晶圓代工商合計營收達到 450.86 億美元，較上一季度環比增長 8.1%。在整體需求回暖、各家廠商營收普遍回升的背景下，台積電依舊拿走了其中最重要的一部分：當季營收 330.63 億美元，環比增長 9.3%，市場份額進一步提升至 71%。這一數字本身已經說明問題。超過 70% 的市場份額，意味著台積電一家所覆蓋的產能規模、客戶結構和技術層級，已經遠遠超過其他所有競爭對手的總和。無論從先進製程的推進速度、頭部客戶的集中度，還是資本開支的持續強度來看，台積電在當前代工市場中的優勢都呈現出明顯的“放大效應”。市場整體在增長，但增長最直接、最充分地體現在台積電身上。與之形成對比的是，其他晶圓代工廠商雖然同樣實現了營收增長，卻在份額上難以縮小差距。三星電子仍位居第二，但三季度營收僅為 31.84 億美元，市場份額下降至 6.8%；中芯國際、聯華電子、格羅方德等廠商分列其後，更多是在各自擅長的工藝節點和應用領域中穩步推進。整體來看，代工市場正在呈現出一種清晰的結構：台積電不斷向上擴張，而其他廠商則被迫在不同層級、不同賽道中尋找位置。也正是在這樣的背景下，一個值得關注的問題逐漸浮現——當台積電持續加快先進製程量產節奏，並通過美國、日本等地的佈局進一步鞏固其全球製造網路時，那些在正面競爭中逐漸拉開距離的“手下敗將”，正在如何調整各自的戰略？是繼續投入高風險、高資本消耗的先進製程競賽，還是選擇成熟工藝、特色製程、區域市場或特定客戶群體，建構差異化的生存邏輯？英特爾：押注先進技術與生態重構在這些追趕者中，英特爾的轉型動作最為激進，也最具系統性。作為曾經的半導體霸主，英特爾在製程技術上的落後一度讓外界質疑其代工業務的前景。但從2024年底到2025年，英特爾展現出的戰略調整清晰而堅決：不是放棄先進製程競爭，而是通過技術突破、客戶爭取和生態整合，試圖在特定領域重新建立競爭力。先進製程：14A與High-NA EUV的技術豪賭英特爾晶圓代工的核心籌碼是其14A製程節點。這一節點被定位為對外部客戶極具競爭力的選擇，預計在功耗效率和晶片密度方面實現顯著提升。更關鍵的是，14A將成為全球首個在關鍵層採用高數值孔徑（High-NA）EUV光刻技術的製造節點。英特爾已安裝ASML的Twinscan EXE:5200B，這是業界首款採用0.55數值孔徑投影光學系統的High-NA光刻裝置。該裝置能夠以8nm的解析度列印晶片，在50 mJ/cm²的劑量下每小時可處理175片晶圓，並實現0.7奈米的套刻精度。相比之下，台積電和三星雖然也在測試High-NA裝置的研發版本，但尚未將其用於商業規模生產。這意味著英特爾在這一代光刻技術的應用上，率先完成了從實驗室到生產線的跨越。英特爾表示，High-NA工具將帶來更靈活的設計規則，減少光刻步驟，降低掩模數量，縮短周期時間，並提高良率。隨著該公司不斷積累量產經驗，未來在1nm以下時代還能根據需要插入High-NA EUV多重曝光，而不會對良率產生顯著影響。這種技術路徑的前瞻性佈局，正是英特爾試圖在下一輪製程競爭中佔據主動的關鍵。先進封裝：EMIB技術的突圍機會在先進製程之外，英特爾找到了另一個突破口——先進封裝。隨著台積電CoWoS封裝產能長期緊張，英特爾的EMIB（嵌入式多晶片互連橋）技術正逐漸成為可行的替代方案。EMIB是業界首個採用嵌入式橋接技術的2.5D互連解決方案，自2017年起已實現量產。與使用矽中介層作為基板的CoWoS不同，EMIB採用局部嵌入式橋接，提供更高的成本效益和更大的設計靈活性，非常適合定製ASIC、晶片組和AI推理處理器。報導顯示，蘋果和博通正在招募具備EMIB技術專長的工程師，蘋果甚至在考慮採用英特爾的EMIB封裝技術來開發定製伺服器加速器Baltra，此前該項目原本與台積電的N3工藝相關，但由於CoWoS產能有限而轉向英特爾。英特爾還在不斷擴展EMIB產品線。新型EMIB-M將金屬-絕緣體-金屬（MIM）電容器直接整合到矽橋中，提升供電性能；EMIB-T解決方案引入矽通孔（TSV）技術，滿足HBM對低噪聲垂直供電的需求。此外，英特爾還將EMIB與Foveros 2.5D和Foveros Direct 3D結合，建立了EMIB 3.5D混合架構。英特爾晶圓代工封裝與測試副總裁表示，公司正在努力緩解先進封裝晶片短缺的局面，其優勢在於不受產能限制。據報導，AWS和聯發科等晶片設計公司正在選擇英特爾晶圓代工作為供應商。英特爾在美國本土擁有先進的封裝能力，從新墨西哥州的Fab 9和Fab 11x工廠到俄亥俄州未來可能投產的生產線，這種本土生產賦予英特爾的戰略影響力遠超成本優勢。客戶爭取：從蘋果到輝達的多線進攻英特爾晶圓代工最引人注目的進展，是其在爭取頭部客戶方面取得的實質性突破。知名分析師郭明錤的調查顯示，蘋果已與英特爾簽署保密協議，採購英特爾的18A-P PDK 0.9.1GA晶片。蘋果目前正在等待英特爾交付PDK 1.0/1.1套件，預計將於2026年第一季度到貨。如果一切順利，英特爾最早可能在2027年第二或第三季度開始交付基於18A-P先進工藝節點的蘋果入門級M系列處理器。18A-P工藝是英特爾首個支援Foveros Direct 3D混合鍵合技術的節點，針對各種功率/電壓範圍進行了精細調校，最佳化了閾值電壓以更好地平衡能效。據估計，到2027年，蘋果用於MacBook和iPad的入門級M系列晶片產量可能達到1500萬至2000萬顆。這不僅意味著巨大的產能貢獻，也像征著英特爾在高端移動晶片市場重新獲得認可。更廣泛的客戶拓展也在同步進行。據報導，輝達和AMD正在評估英特爾晶圓代工的14A製程節點。英特爾副總裁證實，一些先進封裝客戶取得了良好成果，客戶主動聯絡英特爾是溢出效應的結果，公司目前正在進行戰略對話。18A-P工藝在PDK方面已相當成熟，英特爾將重新與外部客戶接洽，以評估他們的興趣。ASIC業務：從IDM到系統代工的轉型英特爾的另一個重要戰略調整是設立專用ASIC部門。該部門由Srini Iyengar領導，隸屬於中央工程集團（CEG）。英特爾首席執行長陳立武（Lip-Bu Tan）在第三季度財報電話會議上表示：“CEG團隊將牽頭建構我們全新的ASIC和設計服務業務，為廣泛的外部客戶提供定製晶片。這不僅將擴展我們核心x86 IP的應用範圍，還將利用我們的設計優勢，提供從通用計算到固定功能計算的一系列解決方案。”這一戰略的邏輯在於，英特爾擁有晶片技術專長、x86 IP以及提供製造服務的內部代工廠，尋求定製AI晶片的客戶可以獲得滿足所有需求的“一站式”服務。這是市場上其他ASIC設計商都無法提供的優勢，即使是博通、Marvell或Alchip也不例外，因為英特爾的代工廠服務正是其區別於其他公司的關鍵所在。借助CEG集團，英特爾實現了橫向工程的集中化，這意味著將設計服務與製造和封裝相結合的成本已大幅降低。英特爾副總裁表示，公司在定製網路ASIC晶片領域擁有蓬勃發展的業務，已經獲得了眾多智能網路卡ASIC晶片的客戶。這些晶片專為網路密集型工作負載而設計，例如網路封包處理、遙測、流量管理等。值得一提的是，陳立武在推動定製晶片商業模式方面有著深厚的經驗，他在Cadence公司擔任要職期間，一直致力於智慧財產權業務、設計工具、設計生態系統合作以及定製晶片的垂直市場。他的經驗和市場人脈將助力英特爾更好地把握ASIC熱潮。併購整合：收購SambaNova補齊AI拼圖為了進一步強化AI領域的競爭力，英特爾正就收購人工智慧晶片初創企業SambaNova Systems進行深入談判，此次收購包含債務在內的總估值約為16億美元。SambaNova於2017年由史丹佛大學的教授團隊創立，專注於定製化人工智慧晶片的設計研發，目標是與輝達的同類產品展開競爭。值得注意的是，英特爾首席執行長陳立武同時擔任SambaNova的董事長，他旗下的風險投資公司華登國際是SambaNova的創始投資方之一，並曾在2018年牽頭完成了該公司規模達5600萬美元的A輪融資。以16億美元的價格收購SambaNova，將為英特爾帶來其長期尋求的技術平台，助力完善自身人工智慧產品佈局，且此次收購價格相比該公司2021年50億美元的估值存在明顯折價。三星：2nm製程的背水一戰如果說英特爾的策略是多點開花、尋求技術突破，那麼三星電子則是把所有籌碼壓在了2nm製程的大規模量產上。作為全球第二大晶圓代工廠，三星在3nm製程競賽中屢敗於台積電，連續數年每季度虧損數兆韓元。但從2024年底到2025年，三星的2nm業務開始顯現轉機，成為其晶圓代工部門扭虧為盈的關鍵變數。良率提升：從50%到70%的關鍵跨越三星2nm製程採用全環柵（GAA）電晶體架構，這是三星在3nm製程中率先引入的技術。與傳統的鰭式場效應電晶體（FinFET）設計相比，GAA技術最大限度地減少了電流洩漏，並顯著提高了性能和電源效率。關鍵的是，三星從3nm開始採用GAA，而台積電將從2nm才開始應用。這意味著三星在克服3nm工藝挑戰的同時，積累了多樣化的GAA經驗，與剛剛開始採用這項新技術的台積電處於不同的位置。根據韓國媒體報導，三星2nm製程的良率已經從9月份的50%提升到11月的50%至60%，目標是在年底或2026年初將生產良率提高到70%左右，以吸引大客戶。市場研究公司Counterpoint Research預測,三星的2nm產能將增加163%，從2024年的每月8000片晶圓增加到2026年底的21000片晶圓。三星DS部門首席技術官（CTO）兼總裁宋在赫在與總統政策秘書室長金容範的會談中強調，隨著人工智慧投資熱潮推動半導體需求進入景氣周期，2nm製程將成為一個關鍵的轉折點。熟悉三星的消息人士表示：“距離2nm全面量產已不遠，這番言論被解讀為三星計畫中的2nm工藝良率和晶片性能正在穩步達到目標。”客戶突破：從特斯拉到高通的訂單斬獲隨著良率的提升，三星已成功吸引到主要客戶採用其先進工藝。2024年7月，三星獲得了與特斯拉的合同，價值165億美元，用於生產下一代AI6晶片。AI6是一款採用2nm工藝量產的高性能晶片，將用於特斯拉的全自動駕駛（FSD）系統，預計將於2027年內上市。特斯拉首席執行長埃隆·馬斯克也確認，三星將代工部分AI5晶片系列，該系列晶片最初計畫由台積電代工。除了特斯拉，三星還接到了多個重要訂單：三星系統LSI內部的智慧型手機應用處理器Exynos 2600、蘋果的圖像感測器，以及MicroBT和Canaan的挖礦專用晶片（ASICs）。高通的應用處理器也有望跟進，傳聞高通的第六代驍龍8至尊版將會有基於三星2nm代工的版本。最近，據悉，由著名晶片架構師Jim Keller領導的AI半導體公司Tenstorrent也在考慮與三星和台積電合作生產下一代晶片。此外，三星還贏得了美國AI半導體初創公司Tsavorite Scalable Intelligence、Anaphae以及韓國初創公司DeepX的生產合同。據報導，Tsavorite已向三星預訂了價值約1500億韓元（約合1000億美元）的AI晶片，採用三星4nm工藝。汽車市場：從特斯拉到現代的全方位佈局三星晶圓代工的另一個重要突破口是汽車半導體市場。除了特斯拉的AI6晶片，三星正準備為現代汽車公司量產8nm MCU（微控製器單元），該公司計畫在2028年完成研發，並在2030年開始量產。三星晶圓代工極有可能贏得現代汽車高端車型5nm自動駕駛晶片的合同。更值得關注的是，三星晶圓代工將向現代汽車供應採用14nm FinFET工藝量產的eMRAM（嵌入式磁性隨機存取儲存器）。eMRAM是一種利用直接嵌入半導體內部的磁性來儲存資料的儲存半導體，速度大約是NAND的1000倍，但低功耗特性正在推動汽車行業對其需求的增長。三星計畫在2026年將其eMRAM產品組合擴展到8nm，並在2027年擴展到5nm。通過這種方式，三星代工廠獲得了大多數工藝的汽車晶片參考標準，包括超精細工藝（2nm）、精細工藝（5nm和8nm）以及成熟工藝（14nm）。這種全方位的佈局，使三星在汽車半導體代工領域建立了顯著的競爭優勢。矽光子技術：挑戰台積電的新戰場三星的戰略佈局不僅限於傳統晶圓代工，還包括對下一代技術的前瞻性投入。三星電子DS事業部已將矽光子學選為未來的核心技術，並開始為其位於新加坡的專屬研發中心招募經驗豐富的專家。該新加坡研發中心由副總裁兼前台積電員工崔景建領導，正與總部技術開發辦公室緊密合作，共同推進這項技術的發展。矽光子技術以光傳輸資料，成為資料中心、高效能運算及網路基礎設施在超高頻寬、低延遲及高能源效率的解決方案。與將資料資訊儲存在銅線上的傳統半導體不同，矽光子技術將資訊封裝在光中，然後通過光纖傳輸，幾乎沒有電阻，能夠實現更快的傳輸速度，還能顯著降低發熱量和功耗。三星正調動其遍佈韓國、新加坡、印度、美國和日本的全球研發網路，致力於矽光子技術的研發。三星近期將負責矽光子技術研發的高級主管李康浩晉陞為副總裁,並聘請了英特爾前首席產品官研究員朴賢大。三星還與人工智慧半導體設計公司博通合作，共同推進矽光子技術的商業化。三星宣佈CPO（共封裝光學器件）的商業化日期為2027年。業內人士預計，矽光子技術是贏得更多大型晶圓代工客戶的關鍵，這可能是一張反擊王牌，能夠扭轉三星目前在2.5D和3D等尖端封裝市場落後於台積電的局面。市場研究公司Modo Intelligence預測，到2030年，矽光子市場規模將增長至103億美元。High-NA EUV：追趕台積電的裝置競賽在先進光刻裝置方面，三星也在積極追趕。三星電子計畫在2026年上半年前投資約1.1兆韓元，引進兩台最新的極紫外（EUV）曝光裝置——荷蘭阿斯麥公司的“高數值孔徑（NA）EUV”。該裝置能夠繪製比現有產品精細1.7倍的電路，每套裝置成本約為5500億韓元。三星計畫在其2nm晶圓生產線上部署新機器，該生產線已在生產Exynos 2600應用處理器。三星還計畫使用最新的EUV裝置在2nm晶圓生產線上生產和供應特斯拉的下一代人工智慧晶片。該工具還將支援三星未來的垂直通道電晶體（VCT）DRAM的生產，這是一種高性能、低功耗的記憶體晶片，計畫於2027年左右量產。據悉，三星董事長李在鎔對High-NA EUV的興趣始於2023年12月，當時他訪問了位於荷蘭的ASML總部。李在鎔對EUV實現2nm以下晶片生產的潛力印象深刻，因此指示工程師加快開發相容的工藝技術。盈利預期：2027年的轉折點行業預計，多年來一直錄得季度數百億韓元虧損的三星代工業務將從2027年開始扭虧為盈。這得益於其奧斯汀工廠的開工率預期提高，以及泰勒工廠從2027年開始大規模量產特斯拉的AI6晶片。三星在其第三季度財報簡報中表示：“我們獲得了以尖端工藝為中心的創紀錄訂單，包括2nm的大規模客戶合同。隨著採用2nm工藝的新產品全面量產，我們預計通過持續提高開工率和實施成本效率措施，業績將進一步改善。”Counterpoint Research表示：“如果良率持續改善，並且泰勒工廠的量產順利進行，三星可能在數代以來首次在尖端工藝上有意義地縮小與台積電的競爭差距。”目前，台積電面臨著輝達和蘋果等主要客戶的訂單集中，據報導將其2nm晶圓價格比前幾代提高了50%。這為三星創造了一個可以搶佔的利基市場，後者正利用靈活的定價策略來吸引客戶。聯電：成熟製程的差異化突圍與英特爾和三星不同，聯華電子（聯電）很早就明確了自己的戰略定位：不參與高風險、高資本消耗的先進製程競賽，而是在成熟製程的基礎上，通過特殊工藝、先進封裝和矽光子等高附加價值應用，開闢新的增長空間。面對中國大陸晶圓廠在成熟製程市場的激烈競爭，聯電的策略是避開價格戰，轉向技術壁壘更高、毛利更豐厚的細分領域。先進封裝：高通訂單的戰略意義目前，聯電已經在先進封裝領域取得了實質性突破。聯電自行開發的高階中介層（Interposer）已獲得高通的電性驗證，並已進入試產流程，預估最快2026年第一季度量產。供應鏈透露，聯電首批中介層電容密度達1500nF/mm²，技術水準屬於高階封裝主流，高通更直接採購爐管機台放入聯電廠房，顯示雙方合作深度與信任度非比尋常。這一合作涵蓋AI PC、智能汽車與AI伺服器等三大市場，強化聯電在高速運算領域的地位。聯電同步擴大海外封裝佈局，新加坡廠已投入2.5D製程，並具備晶圓對晶圓（Wafer-to-Wafer）鍵合技術，這是3D IC製造的關鍵能力。聯電強調，未來將以完整方案為策略，不僅提供晶圓製程，也整合封裝平台，打造屬於聯電的先進封裝生態系，並結合智原、矽統、華邦等轉投資夥伴，提高系統性競爭力。業界人士指出，聯電佈局先進封裝，先前在製程端僅供應中介層，應用在RFSOI製程，對營收貢獻有限。隨著高通採用聯電先進封裝製程打造高速運算晶片，近期雙方合作又進一步發展，對聯電來說將能降低在成熟製程的低價競爭，闖出一條不同之路。矽光子：與IMEC合作搶佔新賽道聯電的另一個重要佈局是矽光子領域。聯電與比利時微電子研究中心（IMEC）簽署技術授權協議，取得IMEC iSiPP300矽光子製程，該製程具備共封裝光學（CPO）相容性。藉由此次授權合作，聯電將推出12英吋矽光子平台，瞄準下世代高速連接應用市場。隨著AI資料負載日益增加，傳統銅互連面臨瓶頸，矽光子技術以光傳輸資料，成為資料中心、高效能運算及網路基礎設施在超高頻寬、低延遲及高能源效率的解決方案。聯電將結合IMEC經驗證的12英吋矽光子製程技術、加上聯電絕緣層上覆矽（SOI）晶圓製程，為客戶提供高度可擴展的光子晶片（PIC）平台。聯電資深副總經理指出，取得IMEC最先進的矽光子製程技術授權，將加速聯電12英吋矽光子平台的發展處理程序。聯電正與多家新客戶合作，預計在2026及2027年展開風險試產。此外，聯電未來系統架構將朝CPO與光學I/O等更高整合度的方向邁進，提供資料中心內部及跨資料中心需要的高頻寬、低能耗且高度可擴展的光互連應用解決方案。業界分析，IMEC是全球微電子與奈米技術研究重鎮，長年與台積電、英特爾等科技巨頭合作，其矽光子研究位居世界第一梯隊。聯電此次攜手IMEC揮軍矽光子，有三大優勢：首先是聯電不用從零開始摸索矽光子元件設計規則，能直接取得IMEC的光子PDK、聯合開發驗證；其次是大幅縮短商業化量產時間；最後則是與國際大客戶的技術對接更順暢。據瞭解，輝達將在今年推出的新世代Rubin架構起，大量在AI伺服器匯入矽光子及CPO技術。法人認為，聯電揮軍矽光子，有助進一步打入AI伺服器、資料中心等核心供應鏈，若2027年如期放量，聯電將成為全球CPO供應鏈中不可或缺的晶圓製造要角。美國本土製造：與Polar的戰略合作聯電還在積極拓展美國本土製造能力。聯電宣佈，已與專攻高壓、功率及感測器的美國晶圓代工廠Polar Semiconductor簽署合作備忘錄（MOU），雙方將展開洽談，共同探索在美國本土8英吋晶圓製造的合作機會，以應對汽車、資料中心、消費電子，以及航空與國防等關鍵產業持續成長的需求。根據該諒解備忘錄，Polar與聯電將評估可在Polar近期擴建的明尼蘇達州8英吋晶圓廠所生產的產品，並選定具體的生產項目。結合Polar穩健的製造能力，與聯電完整的8英吋晶圓製造技術組合及全球客戶基礎，這項合作可望推動雙方業務成長，並協助客戶實現多元製造佈局。此外，此合作也將進一步強化美國本土的8英吋晶圓製造產能，確保汽車、電網、機器人製造、資料中心等產業所需的關鍵功率半導體能夠在美國穩定供應。聯電全球業務資深副總經理指出：“聯電致力通過多元的製程技術及全球佈局，為客戶提供彈性的供應鏈選擇，以協助客戶在現今的地緣政治環境中提升競爭力。這次合作不僅直接回應客戶對美國本土半導體製造方案的需求，也展現聯電以創新解決方案和雙贏的合作模式，延續我們為客戶創造價值的一貫承諾。”製程探索：與英特爾的潛在合作儘管聯電明確表示不會全面進軍先進製程，但市場傳出，聯電正考慮擴大與英特爾之間的合作夥伴關係，可能選擇在原有12nm製程合作基礎上，將製程提升至6nm製程。對此，聯電表示不評論市場消息，但強調雙方在12nm鰭式場效電晶體（FinFET）合作將按規劃，於2027年匯入量產，具備AI、物聯網與車用等高增長領域的應用優勢。聯電董事長指出，12nm FinFET製程技術平台（12FFC）相較於14nm技術（14FFC），晶片尺寸更小、功耗更低，性能大幅提升，充分發揮FinFET的優勢，可廣泛應用於各種半導體產品。與14FFC相比，12nm技術在最佳化的FinFET裝置下，可實現10%的性能提升，透過降低電壓減少20%功耗，採用六走線軌道設計，使面積減少超過10%，並節省三層光罩，進一步增強聯電成本競爭力。法人認為，即便聯電不跨進先進製程，該公司在矽光子與先進封裝等領域多元佈局，有助在成熟製程紅海中開創新藍海。格羅方德：區域化與特色工藝的守成者格羅方德（GlobalFoundries）作為全球第五大晶圓代工廠，很早就放棄了先進製程的競爭，轉而專注於成熟製程和特色工藝。但在2024年底到2025年，格羅方德的戰略重心更加清晰：通過區域化佈局、矽光子技術和IP整合，在特定市場和應用領域建立不可替代的地位。矽光子佈局：收購AMF擴大領先優勢2024年11月17日，格羅方德宣佈收購位於新加坡的矽光子晶圓代工廠Advanced Micro Foundry（AMF）。此舉標誌著格羅方德在推進創新和鞏固其矽光子領域領先地位的戰略中邁出了關鍵一步。此次收購將擴展格羅方德在新加坡的矽光子技術組合、產能和研發能力，與其在美國的現有技術形成互補。格羅方德收購AMF，將AMF的製造資產、豐富的智慧財產權和專業人才整合在一起，顯著擴展格羅方德的矽光子技術，並使格羅方德成為全球營收最高的純矽光子晶圓代工廠。憑藉AMF超過15年的製造經驗，格羅方德將利用AMF位於新加坡的200mm平台，滿足長距離光通訊、計算、雷射雷達和感測等領域的需求，並計畫隨著市場需求的增長擴展至300mm平台。格羅方德首席執行長表示：“矽光子技術對人工智慧基礎設施至關重要。隨著資料傳輸速度加快、工作負載日益複雜，以更高的速度、精度和能效傳輸資訊的能力如今已成為人工智慧資料中心和先進電信網路的基礎。收購AMF使格羅方德能夠提供更全面、更具差異化的十年可插拔收發器和共封裝光器件發展路線圖，同時加速光子技術向汽車和量子計算等相鄰市場的發展。”為配合此次收購，格羅方德計畫在新加坡建立一個矽光子學研發卓越中心（CoE）。該中心將與新加坡科技研究局合作，專注於研發用於400Gbps超高速資料傳輸的下一代材料，從而推進格羅方德的創新路線圖。IP整合：收購MIPS強化計算能力值得注意的是，格羅方德今年還正式宣佈計畫收購MIPS，這家公司提供基於開源RISC-V指令集架構的處理器IP。格羅方德重申其純代工廠的定位，強調此次收購並不意味著將轉向晶片設計或銷售，其真正目的是通過提供現成可用的IP模組，幫助客戶——尤其是初次涉足晶片開發或希望實現垂直整合的企業——簡化系統設計流程。格羅方德企業傳播總監表示：“收購MIPS將增強格羅方德為客戶提供更完整、更具差異化解決方案的能力。通過整合MIPS成熟的RISC-V處理器IP及軟體工具,格羅方德客戶將受益於更廣泛的計算IP訪問、更短的上市周期、更大的靈活性與開放性，以及面向高增長市場的更優技術。這一舉措將使格羅方德不僅是製造合作夥伴，更成為提供基礎計算技術的戰略夥伴。”公司計畫持續支援MIPS基於開源RISC-V架構的處理器核心產品組合，以滿足各類計算需求，從而拓展格羅方德在新市場和新應用領域的服務能力。這涵蓋了用於自動化平台、嵌入式系統和智能邊緣裝置的計算子系統。除了邊緣AI應用外，格羅方德與MIPS的協同能力也非常適合在車載、物聯網和資料中心基礎設施等高增長領域發揮作用。儘管MIPS將成為格羅方德的子公司並向其客戶提供IP產品，但MIPS將繼續獨立營運，維持現有客戶關係並繼續推進當前項目與合作協議。此外，MIPS也將繼續與其他晶圓廠合作。歐洲擴產：德累斯頓工廠的戰略升級今年11月，格羅方德宣佈，計畫投資11億歐元，擴大其位於德國德累斯頓工廠的產能。這項投資將使該工廠的產能到2028年底提升至每年超過100萬片晶圓，使其成為歐洲同類工廠中規模最大的工廠。這項名為"SPRINT"的擴建計畫預計將得到德國聯邦政府和薩克森州在《歐洲晶片法案》框架下的支援。作為項目的一部分，該設施將進行升級，以提供端到端的歐洲流程和資料流，滿足關鍵的半導體安全要求。新的產能將專注於格羅方德高度差異化的技術——其關鍵性能特性包括低功耗、嵌入式安全記憶體和無線連接——這些特性對於滿足歐洲在汽車、物聯網、國防和關鍵基礎設施應用領域的晶片需求至關重要。格羅方德首席執行長表示：“近期汽車行業的動盪凸顯了全球晶片供應鏈的脆弱性。我們計畫在德累斯頓進行擴張，這是格羅方德積極應對這些挑戰並履行承諾的又一舉措，旨在支援歐洲對安全供應鏈和差異化技術的需求。通過擴大我們在歐洲、美國和全球的製造業務，格羅方德正在鞏固其作為關鍵行業客戶韌性十足且值得信賴的合作夥伴的地位。”中國市場：技術授權的務實路線在先進製程受限的大背景下，特色工藝的技術轉移成為了格羅方德與中國廠商合作的新模式。2025年8月，格羅方德宣佈與一家中國本土代工廠達成最終協議，為中國客戶提供車規級工藝與製造專長，不過格羅方德並未公開合作方。這種合作模式的優勢在於：相比先進邏輯製程，特色工藝更注重應用導向和工藝最佳化，技術壁壘相對較低，但應用門檻較高。通過技術授權，國內廠商可直接獲得成熟的工藝平台，無需漫長的研發周期即可投入量產，從而縮短產品上市時間、降低開發成本，並增強本地供應鏈韌性。對於格羅方德而言，在先進製程競爭中處於劣勢的情況下，通過技術授權可以實現技術價值的最大化。對於中國廠商而言，這種合作模式能夠快速提升在射頻、功率、車規晶片等特色工藝領域的技術能力。結語：差異化生存的多重路徑從英特爾、三星、聯電到格羅方德的戰略調整來看，晶圓代工市場正在形成一種新的競爭格局：台積電繼續在先進製程和頭部客戶中佔據絕對優勢，而其他廠商則在各自選擇的細分賽道中尋找生存空間。英特爾押注先進製程與先進封裝的雙輪驅動，試圖通過技術突破和生態整合重新建立競爭力；三星將大部分籌碼壓在2nm製程的大規模量產上，期待在下一輪技術周期中實現反超；聯電專注於成熟製程的差異化升級，通過先進封裝和矽光子等高附加價值應用避開價格戰；格羅方德則堅守特色工藝和區域化佈局，在特定市場和應用領域建立不可替代的地位。這些戰略調整的共同特點是：不再試圖在所有維度上與台積電正面競爭，而是根據自身的技術積累、客戶基礎和資源稟賦，選擇最適合自己的發展路徑。在先進封裝、矽光子、ASIC設計服務、區域化製造等新興領域，這些“手下敗將”正在尋找新的增長機會。 (半導體行業觀察)

2025年11月，中國半導體產業迎來歷史性突破。廣東致能半導體有限公司與國際頂尖8吋晶圓代工廠達成策略合作，成功實現全球首個8吋藍寶石基氮化鎵功率元件的規模化量產。這項里程碑事件不僅標誌著第三代半導體製造技術邁入全新階段，更意味著氮化鎵功率元件從實驗室走向產業化的關鍵跨越已經完成。圖片來源於：百度圖庫技術縱深：創新工藝建構全面領先優勢致能半導體選擇8吋藍寶石基技術路線體現了深刻的技術洞察力。藍寶石基板與氮化鎵材料之間優異的晶格匹配特性，為高品質外延生長奠定了物理基礎。該公司研發團隊透過自主創新的"多區動態溫控MOCVD技術"，在8英寸大尺寸襯底上實現了厚度均勻性達±1.5%的氮化鎵外延層生長，這一指標達到國際領先水平。特別值得關注的是其垂直通道元件結構設計，與傳統橫向結構相比，大幅提升了電流密度和功率處理能力。在製造流程方面，該公司開發的氮化鋁/氧化鋁疊層柵極介質技術，顯著增強了裝置的可靠性和穩定性，為規模化量產提供了堅實保障。核心指標：量化優勢彰顯產業競爭力在晶片整合度方面，採用垂直通道設計的裝置在同等規格下，晶片面積比主流技術縮小約30%，使得單晶圓晶片產出數量提升70%。成本控制上，8吋平台較6吋平台的單位面積製造成本降低35%，結合藍寶石基板的性價比優勢，綜合成本比碳化矽基方案降低40%以上。電氣性能表現特別突出，實測數據顯示其650V裝置的導通電阻低至45mΩ·cm²，品質因數優化25%，在1MHz高頻開關下仍保持93%以上的轉換效率。製造一致性方面，晶圓間關鍵參數波動小於3%，首批量產良率達92%，完全滿足汽車電子等高階應用需求。產業影響：重建功率半導體市場格局此次量產突破將引發產業鏈的連鎖反應。在上游環節，8吋GaN製造設備與材料供應鏈將迎來新的發展機會；在下游應用端，消費性電子快充領域將率先受益，預計基於該技術的100W充電器功率密度可達2.5W/cm³。更值得期待的是在新能源汽車領域的應用前景，裝置的高可靠性使其有望率先進入車載充電系統，並逐步向主驅逆變器等核心部件滲透。工業控制、資料中心電源等市場也將因此獲得更高效率的解決方案。市場分析顯示，這項技術預計在未來三年內佔據中功率GaN裝置市場30%以上的份額。未來版面：持續創新引領產業發展致能半導體已製訂清晰的產能擴張路線，並計畫在2027年實現月產5萬片8吋晶圓的產能目標。技術演進方面，公司正在研發1200V以上電壓等級的裝置產品，瞄準新能源汽車主驅逆變器等更高階應用場景。同時，公司積極建構產業生態，與多家電源廠商及整車企業建立聯合實驗室，推動應用方案創新。國際市場佈局也正在加速推進，並計劃在歐洲和北美設立技術支援中心，為全球客戶提供在地化服務。公司創辦人表示，未來將繼續加大研發投入，在保持技術領先的同時，推動氮化鎵功率裝置的成本進一步優化。產業展望：第三代半導體迎來黃金發展期隨著8吋量產技術的成熟，氮化鎵功率半導體產業正迎來關鍵轉捩點。業界人士分析，這項突破將加速GaN技術在各應用領域的滲透速度，預計2028年，採用藍寶石基技術的功率元件將佔據GaN功率市場40%的份額。從更廣闊的視野來看，這不僅是一家企業的技術突破，更是中國在第三代半導體領域實現從跟跑到並跑乃至領先的重要標誌。在全球能源轉型和數位化進程加速的背景下，高效率、高功率密度的氮化鎵技術將成為推動社會永續發展的重要力量，而致能半導體此次的產業化突破，無疑為這場技術革命注入了強勁動力。(半導體材料與製程設備)

據報導，三星電子計畫向其位於美國德克薩斯州奧斯汀的半導體晶圓廠追加約19億美元（約合人民幣135億元）投資，用於升級現有產線並引進尖端晶片製造裝置。此舉標誌著三星持續深化其在美國本土的高端製造能力，特別是通過強化與蘋果、特斯拉等科技巨頭的合作，鞏固自身在先進半導體領域的戰略地位。據悉，此次投資的核心目標之一是提升CMOS圖像感測器（CIS）的生產能力。行業消息指出，三星正與蘋果聯合開發一款尺寸為1/2.6英吋的超廣角圖像感測器，預計將搭載於2026年發佈的iPhone 18及後續機型。儘管雙方尚未公開具體技術參數，但這一合作若順利落地，意味著三星將繼索尼之後，成為蘋果高端手機圖像感測器的重要供應商。這些為蘋果定製的感測器將由升級後的奧斯汀工廠生產，實現“美國製造+美國客戶”的本地化閉環。此外，這筆投資有望撬動更多美國政府政策紅利。奧斯汀市議會將於11月20日表決一項動議，擬將三星奧斯汀工廠納入“德克薩斯企業項目”（Texas Enterprise Project）。一旦獲批，三星將有資格在未來數年享受州政府提供的稅收返還優惠。自奧斯汀工廠1996年投產以來，三星已累計投資超過400億美元，成為德克薩斯州歷史上最大規模的單一外資項目。此次19億美元的追加投入，將進一步推動工廠從傳統邏輯晶片製造向高附加值圖像感測器和先進製程轉型。此外，三星正在泰勒市建設的全新先進製程晶圓廠，專注於2奈米晶片量產，預計2026年正式投產。據悉，該廠已斬獲特斯拉AI6晶片的2奈米代工訂單，將成為特斯拉下一代自動駕駛與AI算力核心的製造基地。 (半導體材料與工藝裝置)

許多人對於中國國產半導體產業的突破抱著漠視的態度，緊緊盯著光刻機，似乎光刻機沒有突破，半導體產業就止步不前了；實際是“不積跬步，無以至千里”，中國國產半導體產業一直在穩步前行。11月22日，中科飛測官宣，首台晶圓平坦度測量裝置——GINKGOIFM-P300已成功出貨至HBM客戶端。我們可以把把晶片製造過程想像成：要在一張名為“晶圓”的圓形矽片上，層層疊疊地“印刷”出極其複雜的微觀電路。這相當於晶圓就是“地基”，光刻機就是最主要的印刷機，負責把電路圖“印”到地基上。想像一下，如果地基（晶圓）不是絕對平坦的，而是有些微小的起伏、彎曲或翹曲，就像一塊稍微有些變形的玻璃板。用超高精度的印刷機（光刻機）在上面印刷比頭髮絲細幾千倍的電路。如果地基不平會怎樣？首先會對焦失敗，就像你用相機拍一張起伏不平的紙，一部分清晰，另一部分必然模糊。光刻機的鏡頭也有一個最佳焦平面，如果晶圓不平，某些區域的電路就會因為“失焦”而印刷失敗，變成廢品。其次會造成層間錯位，晶片通常有幾十層電路。在第一層上印了路，因為不平，印第二層的時候，新的路和舊的路就對不上了，就像立交橋的橋墩沒對準橋面，整個電路就短路了，晶片直接報廢。所以，平坦度是保證“印刷”精準的前提！晶圓平坦度測量裝置就是一個超級精密的“水平儀”或“平整度掃描器”。在把晶圓送進昂貴的光刻機之前，先用它來全面掃描一下，精確地測量出整個晶圓表面“那裡高了幾個奈米，那裡低了幾個奈米”。得到這張詳細的“起伏圖”後，製造流程可以做出調整，如果不平整度在允許範圍內，光刻機可以根據測量資料動態調整焦距，像一台智能相機一樣，在掃描不同區域時自動微調，保證每一處都清晰。如果平整度太差，超出了光刻機的調節能力，那就需要追溯到前面的製造環節（比如化學機械拋光CMP），也就是需要進行工藝改進。因此，晶圓平坦度測量是一個技術壁壘極高，難度極大的領域；同時，全球市場也高度集中於幾個巨頭手中。根據QYResearch等行業報告，目前全球晶圓平坦度測量市場主要有科磊（KLA Corporation）、康寧（Corning）、尼德克（NIDEK）、黑田精工（Hitachi High-Tech）以及日立高新（KURODA Precision Industries）等全球巨頭所壟斷。特別是科磊（KLA Corporation），憑藉其深厚的技術積累和全面的量檢測產品線，在整個前道量測裝置市場佔據主導地位。從技術路徑來看，晶圓平坦度測量技術主要分為接觸式和非接觸式兩大類。當前技術發展更傾向於非接觸式測量，以避免對晶圓表面造成損傷。在更高精度的測量領域，光譜共焦技術和基於光學的高精度測量方法已成為主流，它們能夠實現奈米級的重複精度和極高的測量速度，以滿足先進製程的需求。隨著晶片製程不斷微縮，尤其是進入14nm、7nm及更先進節點後，對晶圓平坦度的要求已進入奈米甚至亞奈米等級。在國內EUV光刻機受限的背景下，國內晶圓廠廣泛採用的多重曝光技術，會大幅增加工藝步驟，使得晶圓經歷更多次的熱預算和應力，導致翹曲風險加劇，從而對平坦度測量裝置的精度、速度和穩定性都提出了近乎極致的要求。因此，中科飛測此次出貨的GINKGOIFM-P300裝置是中國國產半導體的里程碑事件，不僅標誌著中國在晶圓平坦度測量領域實現了重大突破，打破了國外廠商的長期壟斷；而且其背後有著更深層的產業意義。中科飛測GINKGOIFM-P300能夠支援鍵合後晶圓的檢測，並突破對超高翹曲晶圓、低反射率晶圓的量測限制。這直接瞄準了製造過程中的實際痛點。特別是在HBM（高頻寬儲存器）等先進封裝領域，多層晶圓的堆疊會引入顯著的應力和翹曲，傳統裝置難以精準測量，中科飛測的突破意味著中國國產裝置已開始切入高端封裝這一關鍵市場。其次，不僅打破壟斷，更關鍵的是大大提升了供應鏈安全。如前所述，中國半導體量檢測裝置的國產化率曾經極低，在2021年之前不足3%，使得國內晶圓產線在裝置獲取和後續維運方面都存在被“卡脖子”的風險。中科飛測的出貨，為國內晶圓廠，特別是在HBM等前沿領域發力的企業，提供了一個自主可控的測量方案選項，有助於降低對單一外部供應鏈的依賴。當然，中科飛測的突破並非個例。近年來，以新凱來為代表的企業也宣佈在明場缺陷檢測、暗場缺陷檢測等13類關鍵量檢測產品上完成開發，並進入國內主要晶圓製造企業開始量產應用。這些都表明中國半導體量檢測領域已從點的突破，邁向系統性、多產品線的協同發展，共同加速中國國產替代的處理程序。因此，中科飛測向HBM客戶出貨首台晶圓平坦度測量裝置，是中國半導體裝置國產化浪潮中的一個縮影。在全球由巨頭壟斷的高端量測市場中，中國已經實現了零的突破，並開始向更細分、更高端的應用領域滲透。 (飆叔科技洞察)

最近馬斯克說項要件晶圓廠，我們先來看看，早在半年前，特斯拉跟三星的一個合作，筆者早早就分析出馬斯克最終意圖，先來看一下，我們在半年前的一個詳細分析。看完之後我們再來聊聊，馬斯克未來的試辦藍圖中，整個特斯拉的晶片會有那些，每個應用領域的需求可能有多少，他需要建設多少產能的晶圓廠，如此一來到底會對全球半導體格局產生什麼影響？有興趣的歡迎加入筆者的知識星球，全盤瞭解馬斯克未來商業帝國的宏偉藍圖。7月末，特斯拉與三星宣佈了高達165億美元針對AI6晶片的合同，合同執行到2033年，也就是從簽訂後9年完成。這次合同主要針對AI6晶片，也就是之前的HW系列的ADAS晶片，特斯拉的HW系列晶片之前一直都是三星代工，2019年開始的HW3採用三星14nm，2023年至今的HW4採用三星7nm，算力達500 tops。明年將推出的HW5才改換代工廠，直接跳過5nm採用台積電最強的3nm製程N3P，算力會高達2500 tops。HW5/AI5的主要競爭對手輝達標準版thor U算力為700tops，旗艦版thor X則有2000tops的水平。對比國產目前各家adas晶片，地平線的G6採用7nm算力750tops，下一代的G7採用5nm已經在流片，算力在1500-2000tops。華為直接拿升騰NPU來當自駕旗艦晶片，910b採用7nm製程，由於面積比其他ADAS大了不少，算力只有800tops。非旗艦ADAS為14nm製程的610算力在200tops，最新的610A采D2D兩顆合封，算力為400tops。車廠自研部分，小鵬圖靈為7nm，750tops，可三顆部署2250tops，理想的5nm單顆1200 tops，蔚來神璣5nm算力在1000+以上。這些國產晶片都將在今年或明年推出。與海外先進的ADAS晶片相比，這兩年即將推出的國產ADAS可以說推出即落後，跟特斯拉的HW5以及輝達thor有不少差距，主要是跟工藝製程有絕對關係，國產最先進的是台積電N5而特斯拉是N3P，輝達是N4P，並且國產受限於bis的300億電晶體上線，未來很長一段時間只能卡在5nm。國產自駕晶片被卡在5nm?根據BIS的規定，國內晶片到海外代工並沒有多少nm的限制，所以國產ADAS並不是以5nm為界定，這個問題其實去年BIS的1202法案之後，筆者有寫不少文章闡述，對詳細法規有興趣的可以加入知識星球瞭解。多少nm從來不是可以用來當成法律規定的依據，因為每一家製程多少nm完全不一樣，無法同比也無法類比，比如三星的SF3比台積電N5的MTr還低，所以用多少nm來規定必然會有錯誤。摩爾定律規定的每一代製程其實從來不沒有用線寬而是以電晶體數量/密度來區分工藝節點，所以用MTr/mm2也就是電晶體密度來對比製程節點會更靠譜。BIS的法規一直是規定電晶體總量，從來不會用多少nm來作為限制的參考依據，目前是300億總電晶體數量就這一個規定。這一個總量規定就包含電晶體密度Mtr/mm2 以及die size這兩個重要參數。ADAS的die size一般在300mm2，如果用7nm（mtr 100:每平方毫米100m也就是1億電晶體）那就是300億電晶體，所以正常來說ADAS這類die size在300平方毫米的晶片用7nm完全符合規定，用MTr達150的5nm會達到450億電晶體也就超標了。當然ADAS設計公司也可以降低晶片尺寸去符合電晶體總量規定，但這樣算力就不夠了。上述的演算法只是給不懂的人一個簡單比喻，事實上晶片還有sram還有IO單元以及隔線，300平方毫米的用7nm工藝不會超過250億電晶體。年初的時候台積電極力幫國內汽車晶片企業向美國爭取，魏哲家在第一季法說會說過正在爭取中，大約是農曆年後美國給了國內ADAS晶片在台積電代工的lincense ，5nm微幅超標的ADAS可以代工，這個內部訊息筆者第一時間在知識星球公佈過。回想去年底因算能事件，台積電全面停止國內先進製程的代工加強審查是否還有馬甲公司流片，年初重新稽核過後才陸續放行。5nm的ADAS晶片基本上均超過BIS規定，目前地平線，理想，蔚來，小鵬的最新自駕晶片全部是5nm節點，也均在台積電投片，現在都陸續回片中，基本上國內這一代的自駕晶片都沒問題可以在台積電投片。根據BIS規定，GPU必然是無法流片的，因為GPU面積都超過600mm2，即便用7nm也會高達450億電晶體以上，所以BIS單單規定一個電晶體數量，就限定了晶片種類以及工藝節點，不需要更不會用多少nm這種無法量化的非專業說法，去做法規的條款。還有一個比喻就是小米的3nm玄戒o1，由於手機soc面積一般在110-130mm2，用7nm的話電晶體總量在100億左右，用5nm在150億左右，用3nm也就200來億電晶體，都不會超過BIS的規定，所以小米玄戒晶片在台積電代工沒有任何異議。GPU這種最大面積的晶片由於用啥工藝都超標，無法被代工也沒有任何異議。唯一有異議的就是面積在300mm2這種剛好卡在範圍內的adas晶片，這次能拿到台積電代工的license除了台積電極力爭取還有ADAS不涉及AI這兩方面重要因素。從算力上看，有些國產晶片即便用較落後5nm製程，算力也沒落後太多，比如用7nm製程的910b只有800 tops的算力跟目前用4nm製程的低階Thor U的750 tops也沒有差太多，事實上這並非國產晶片設計更好，而是我們會將晶片面積放大，如此一來落後一點的製程也能獲得同樣的電晶體總數，算力也勉強跟得上。這樣的做法在汽車領域問題不大，因為汽車的空間充足，電力也充足，不像手機，體積受限電池也受限，但未來隨著自家推進到L3甚至L4，所需算力越來越大，製程落後的晶片為了維持算力，靠面積放大去增加電晶體，最終得到的是更高的能耗，目前可能體驗不出太大差別，但真進入L3階段，也就是再過一兩代的迭代，這個差距會越來越明顯。比如華為採用910b來作為高端車型的自駕晶片，這顆晶片的面積高達650mm2，比其他廠家的晶片300mm2左右大了一倍，算力只能說勉強跟上，跟海外旗艦晶片差距不小且能耗比會比較糟糕，這對新能源車的續航目前可能影響是無感的，但晶片能耗比別人大這一點是肯定的。馬斯克的半導體大計特斯拉這顆ADAS未來不只是用在汽車的自動駕駛，馬斯克更宏大的目標是包含自動駕駛計程車的robotaxi 以及量級更大的人形機器人Optimus（柯博文）。所以馬斯克未來的藍圖中，AI5以及剛公佈給165億大訂單的AI6是其中核心關鍵。我們大概來測算下到2030年特斯拉對這顆晶片的需求，其中特斯拉汽車400萬輛，計程車300萬輛，柯博文1000萬台，總共1700萬顆AI6晶片。以AI5在台積電的代工費用來算，N3P每片2萬刀，一片150顆，17000萬顆晶片需要11.5萬片，11.5萬片代工總費用為23億美元。未來在三星代工的AI6雖然號稱使用三星SF2的2nm，但筆者瞭解三星SF2目前對外報價就是兩萬刀，有誠意的價格還可談，所以未來特斯拉的AI6必然以及肯定會遠低於台積電N3P的兩萬刀。為何三星的2nm會比台積電3nm的代工費用更低，這個問題我們留到文章最後再聊。我們以兩萬刀以及年需求1700萬來計算，一年代工費就算加上封裝費用也就25億美元左右。有了參照之後，同學們就能明朗不少，很顯然這個165億的訂單量下的太大了，或者是特斯拉非常有信心，在未來幾年他的自駕計程車以及人形機器人會大量爆發，不過即便樂觀預估，165億美元還是非常大的。根據筆者的瞭解，事實上這筆訂單包含三星的GDDR儲存晶片以及封裝等一條龍服務，這樣算下來，以1700萬顆需求來說，總金額會高達40億美元以上，這樣一看165億隻需要執行4年多或者總出貨輛7千萬顆，這樣看起來就合理許多。這份合同與價格對應晶片數量基本上沒有太大問題，屬於合理。特斯拉這次合同，不僅把晶片代工費用壓到極致，更是連帶的儲存晶片也一同壓到地板價，可謂一舉多得。如果沒有三星的儲存晶片大優惠，我想馬斯克大機率不會考慮三星，只能說馬斯克真的是降本的極致能手，都是從根本上去改善成本，不論自己生產汽車還是對他的供應商，他的內心都是想盡辦法把成本控制到最低，不能再低就改變生產模式或者訂單模式。這次的訂單，屬於框架訂單，最後完全不執行的可能性也存在，因為這樣的長期框架訂單必然搭配許許多多的條件，乙方條件不滿足，甲方不執行不下單也無責。這個合同的強勢方必然是特斯拉，三星至今沒有一個像樣的客戶，先進製程全面收縮中，這是三星求之不得的訂單，特斯拉提的條件我想估計沒有不答應的。這個條件包含馬斯克高度介入工廠生產管理，這是代工費以及儲存晶片大甩賣以外的另一個讓馬斯克選擇三星的重要原因。馬斯克對半導體製造一直是興致勃勃，他的經營宗旨就是未來涉及的核心的供應儘量自己搞，比如當初顛覆傳統汽車製造的創新一體化壓鑄，還有自己生產4680電池，甚至獵鷹9號重性推進器的梅林發動機，每一個核心零部件馬斯克都要自己搞。晶片領域中，針對自動駕駛資料中心的dojo晶片，一直在台積電投產，車載adas的HW晶片在三星投產，雖然都是自己設計，但製造的門檻太高，馬斯克不得其門而入。HW5也就是AI5因為台積電目前領先優勢太大，最終只能棄三星選擇台積電。對台積電來說，特斯拉並非大客戶，或許特斯拉是未來很重要的客戶，但是對台積電來說，他只要維持技術領先，自然絕大部分客戶只能選擇他，沒有其他選擇，台積電不需要也不會給特斯拉這樣的中型客戶任何優惠條件，畢竟特斯拉目前還排不進台積電十大客戶之中，頭部VIP台積電都不太照顧了更何況十名開外的。如此的合作模式，我想是馬斯克這樣的創新生產型狂魔所不能忍的，而三星可以接受任何條件，這滿足馬斯克趁機介入半導體製造領域的雄心，一切順理成章。有同學說為何不選擇英特爾，還有各種美國政府的陰謀論，其實陰謀論大可不必，沒那麼多彎彎繞繞，美國政府在這件事上並沒有太多著墨，甚至有人因為特斯拉與三星合作說美國放棄英特爾了，我想這純屬看圖說故事且不太專業的猜測而已。事實上從技術來看，目前英特爾在晶片製造技術上還是領先三星的，說美國政府放棄這個扶不起的阿斗缺乏任何專業根據，從目前可生產晶片的MTr可以比較出，三星面對如今的英特爾並沒有優勢。特斯拉選擇三星，另一個更主要的原因就是英特爾不會向三星那樣急迫接受一大堆屈辱的條件，他可是一直以來的老大哥，也有美國政府的支援，連今年初川普上台，有很大的機會把IDF這個包袱甩掉，英特爾最終也沒幹，這裡面當然有美國政府的壓力，但英特爾的行事風格，是不可能讓馬斯克在自己的fab指手畫腳的，除非IFS剝離，馬斯克出錢私有化IFS。我認為馬斯克必然是非想進入半導體製造這一個關鍵領域，畢竟晶片對未來特斯拉的發展太重要了，這塊被台積電拿捏，他一百個不願意，馬斯克從來不是遵循傳統產業規則的人。但是馬斯克同樣清楚，晶片製造是一個無底洞，全世界所有巨頭因此折戟，他要自己另立山頭與原本的體系（台積電）對抗非常困難，走錯一步就可能全錯。所以私有化英特爾IFS，精明的他必然不會貿然出手，但是拿任何條件言聽計從的三星來練手，那就安全許多了，投資大頭三星掏錢，他在後面指手畫腳順便學習。透過這樣的合作，馬斯克如果確定自己有能力掌握整個晶片製造能力，那私有化英特爾IFS就成為可能，其實年初川普政府針對英特爾的各種政策，包含是否剝離製造，馬斯克就是直接參與者，他比誰都明白此時的IFS能不能接手，我認為應該說時候未到，目前貿然去做風險太高。再回到三星這一個訂單，乍聽之下165億，但卻是一個挺小的訂單，對台積電來說，因為全世界先進製程基本只剩下他，一年25億美元的訂單只有目前營收的2%，到2030年可能只有1%，這還是未來發展的好才有這個量，有沒有量是完全未知數太虛。雖說做生意訂單越多越好，但2%對台積電來說真的沒有太大所謂，前十大客戶照顧好比這強太多了。我個人是看好特斯拉也並不認為馬斯克規劃的晶片需求是虛的，因為馬斯克對產業的思路以及邏輯太清晰，確實都比別人先看一步，別說與三星合作，自己介入fab生產，未來有一天他成為IDM廠我一點都不意外，因為他確實具備這個實力。未來世界的自動駕駛（包含公眾運輸）以及人形機器人所需要的ADAS晶片真的是很龐大的需求，晶片更是這幾個產業的最核心硬體，關乎產品的成敗，無論如何特斯拉的晶片需求量，自己搞IDM是可以支撐起來的，但絕不是現在更不是五年以內，特斯拉的晶片要放量且可以掌握經營fab的know how必然是5年以後的事。5年以後才需要，那現在三星自己出錢讓特斯拉練手，這自然是馬斯克的如意算盤。大家對這件事，一定要有長遠的產業發展眼光去看，不要用今年或明年這種短期的思維，這件事壓根不是這165億美元代工訂單這麼簡單，事實上9年165億根本沒啥大不了，必然不是討論重點。馬斯克把這小訂單一次弄9年，給了一個看似挺大的代訂單，這樣的做法就是要掀起風浪，讓這平均一年才10多億美元這要微不足道的訂單，一次框架性給165億成為焦點並製造話題，這裡面還有一個好處，給台積電壓力，讓台積電高看他兩眼。與三星的合作，我想馬斯克必然全力以赴，但要對抗台積電的原有體系大機率還是得失敗，即便成功如馬斯克這樣的人，我想成功率也不高，如果真的失敗，對馬斯克有啥損失嗎？一點都不會有，與三星合作製造的晶片如果還是不如台積電，馬斯克一樣繼續下單台積電，畢竟用落後的晶片意味著汽車與機器人的市佔下滑，所以馬斯克必須也一定要採購有競爭力的晶片，並不是說三星便宜給了天大的優會就會去三星投片。這個例子，我們可以從高通原本長期跟三星合作，前幾年義無反顧跳槽台積電，因為在讓三星搞下去，他的手機晶片就越來越沒有市場，被聯發科，蘋果甚至海思壓著打，前幾年高通放棄三星換到台積電投片，現在的市佔真又上來了。對特斯拉來說，道理也是一模一樣，他銷售的是汽車，自動駕駛與機器人，晶片落後就不會考慮，這一個半導體的基本行業邏輯，大家一定要反覆記住。總之對特斯拉來說兩條腿走路，一點都不耽擱。未來這份訂單是否完全完執行或者只有少部分執行，我們且看且觀察，首先他是一個小訂單，只是馬斯克很厲害把訂單弄成9年的框架來宣傳。這個小訂單目前看不出來對產業有太大的改變，一切還是遵照摩爾定律，誰引領摩爾定律，誰擁有最好的製造能力，客戶就去那投片，這一點不會改變。馬斯克想進入半導體製造，這是5年以上長維度的事，成功機率也不高，但他並非常人，也可能創造奇蹟。這事情短期對半導體行業沒有任何影響，長期就看馬斯克➕三星能不能真的搞起來，我這個所謂搞起來就是必須與台積電並駕齊驅，落後一代馬斯克都不會考慮執行訂單，事實上我並沒有看到三星與台積電雙方的技術有拉近的任何可能。技術能力落後者與領先者拉近必然有個大的原因，不會平白無故，單憑一個門外漢馬斯克就能讓原本落後者拉近距離，我想是違背常識的。最後針對三星2nm代工費報價為何不如台積電3nm。事實上，三星2nm的SF2與台積電2nm的N2並不是同一個東西，他們都叫2nm只是廠家自己的叫法，三星的2nm從Mtr上來看遠不如台積電3nm，連N3E都跟不上更何況更先進的N3P，他們只是名字都叫2nm，但三星的2nm只能算台積電的3nm，這個區別大家搞清楚之後就能明白為何代工費用差一代還能一樣價格。很多連Mtr都沒搞明白的媒體，去比較三星2nm跟台積電2nm的良率純屬不懂瞎扯淡，不同的東西怎類比。前陣子看媒體寫的三星SF2與英特爾A18良率4-5成，台積電N2已經到6-7成，這種對比就是錯誤，這些雖都說是2nm，但從Mtr上看，三星與英特爾都只能算是台積電的3nm，但即便只有台積電的3nm水平，三星與英特爾的良率還是低於台積電2nm的良率。這些基本常識與前提，大家得先搞明白，別誤以為這三家還是在同一競爭水平線上，事實上已經差距超過一代甚至一代半，如果他們都是在同一競爭水平線上只是良率不同，那降價就能吸引大量客戶，可事實上三星跟英特爾怎降價也沒有一個大客戶。最主要的原因就是他們至始至終就不是同一水平線上，只是名字叫法偷雞，不然台積電用更貴的價格卻幾乎完全壟斷市場，這不瞎扯淡嗎，不可能出現這種事。Mtr的對比之前筆者有一篇針對技術層面的萬字長文寫的很清楚，有興趣的可以加入知識星球瞭解。之後我們再來聊聊，馬斯克未來的試辦藍圖中，整個特斯拉的晶片會有那些，每個應用領域的需求可能有多少，他需要建設多少產能的晶圓廠，如此一來到底會對全球半導體格局產生什麼影響？有興趣的歡迎加入筆者的知識星球，全盤瞭解馬斯克未來商業帝國的宏偉藍圖。 (Techcoffee)

儲存是典型的豬周期產業，深圳華強北記憶體條現貨價格漲了三倍，比炒黃金都來的快。市場龍頭“香德江”（香農芯創、德明利、江波龍）遙遙領先，用了兩個月的時間漲完了整個周期的預期，美股的美光、西數、希捷和閃迪這7個月來漲了至少4倍。漲的快，跌的也快，這幾天香德江已經開始領跌整個儲存產業，除了東芯股份這個特別的仔。單一元器件的大漲，打破了整個產業的供應平衡，一條腿長，一條腿短，不利於長期的發展。① 晶圓廠產能滿載各大晶圓廠也為儲存開通綠色通道，中芯國際發佈了Q3業績說明會和最新的Q4業績指引。中芯國際第四季度營收指引環比持平至增長2%，遠低於市場預期，公司管理層將增長乏力歸因於儲存器供應緊缺及價格飆升導致客戶對明年前景保持謹慎。中芯國際聯合首席執行官趙海軍博士在最近業績說明會上表示，儘管公司產能利用率高達95.8%且產線持續滿載，但四季度指引保守主要源於兩大因素：一是儲存器價格大漲令客戶擔心即便備齊其他晶片也無法組裝整機，同時高儲存成本迫使客戶壓縮其他晶片採購價格；客戶擔心即便其他晶片都備齊，若儲存器供應不足，整機也無法組裝。同時儲存器價格高企，但整機售價難以跟漲，迫使終端廠商向其他晶片供應商壓價，導致行業競爭更加激烈。客戶若不降價，份額就可能被更低價的新供應商搶走，因此大家對明年前兩個季度都比較保守。二是網通行業的謹慎態度同樣明顯。客戶在四季度下單謹慎，擔心自己貨拿多了，但市場訂單實際已切換到競爭對手那裡。這種對份額流失的擔憂使得客戶普遍採取觀望態度。趙海軍強調，當前儲存器市場供需失衡5%就可能引發價格成倍波動，加上新供應商從流片到量產需至少16個月，預計高價位態勢將持續一段時間。他表示，儲存器緊缺及價格飆升是最大制約因素。目前主流的晶圓廠，例如中芯國際、華虹等都給儲存代工大開通綠色通道。畢竟現在的儲存產品就像印鈔機一樣，客戶願意支付高溢價。② 儲存產業分化國內最正宗的儲存原廠長江儲存和合肥長鑫都還沒有上市，但絲毫不影響炒作，現在都是外圍的模組、主控和分銷商等在漲。除了香農芯創、德明利、江波龍，還有兆易創新、東芯股份、北京君正、普冉股份、佰維儲存等。很多廠家的預期是庫存變廢為寶，這也是為什麼儲存被稱為豬周期產業。周期反轉，之前庫存計提的損失，立馬搖身一變，庫存漲價好幾倍，業績兌現。一朝烏鴉變鳳凰，去年還虧的褲衩都沒了，差點倒閉，市盈率都是負的。今年已經開始門庭若市，鑼鼓喧天，鳥槍換炮。所以儲存產業比拚的是能在產業低谷期活下來，不被淘汰掉，才有可能享受到產業高峰期的紅利。儲存產業更重要的是替代門檻問題，NOR Flash、NAND Flash及MCU等產品驗證周期長、替代門檻高。即便有新廠商嘗試進入，從流片到規模化量產也需至少16個月。這意味著在未來一段時間內，現有供應商的市場地位將保持穩定，難以被快速替代，供應緊張格局短期內難以緩解。而且儲存擠壓其他產品的產能，也會帶來模擬、MCU、CIS、顯示驅動等元器件的價格上漲。這次儲存上漲的根因已經聊過很多次了，就是AI產業繁榮帶來的產能擠壓，例如HBM擠壓了DDR產能。巨頭的DDR4突然停產帶來的缺貨潮。全球三大DRAM巨頭三星、SK海力士與美光已明確宣佈停止生產DDR4產品，不僅停止生產，更徹底拆除了相關舊裝置。目前AI仍然是主航道，但長尾市場也有機會，這也是中國廠家在成熟製程彎道超車的契機。③ 小米大跌破兆小米發佈最新財報：第三季度收入1131億元，同比增長22%，淨利潤113億元，同比增長81%。從目前的業績來看是非常好的，但儲存產品大漲對於消費終端廠家是致命的硬傷。特別是小米這種沒有產品定價權，對於供應商也沒有議價權，只組裝出貨的公司，利潤會被嚴重擠壓。市場也驗證了明年的預期，小米已經從9月份60港幣高點跌到目前40，市值也從1.5兆跌到1兆。小米這次大跌除了手機基本盤的問題，更重要的是小米汽車的安全問題。這是目前被口誅筆伐的重點，作為小米第二增長的汽車業務，目前面臨最大的問題是安全事故頻發，但一直未有改進。安全才是最大的豪華，而不是顏值，花瓶沒啥用。真相不會被掩蓋，群眾的眼睛都是雪亮的。目前1.5兆市值基本就是小米的上限了，小米如果未來三年不能擁抱晶片國產化，估計要被打回原形。科技強國，組裝廠沒有未來。 (科技錨)