英特爾復甦勢頭強勁，投資者押注其晶圓代工業務增長。英特爾(INTC.US)年初股價的大幅上漲表明，投資者對這家晶片製造商獲得新的代工客戶越來越樂觀，這將使其重返人工智慧領域，而英特爾似乎已於2024年放棄了該領域。繼2025年飆升84%之後，2026年初，該股上漲31%，在標普500指數中表現第三好。該股目前接近兩年來的最高水平，此前在2024年曾下跌60% ，當時英特爾似乎落後於那些正利用人工智慧熱潮獲利的競爭對手。Bokeh Capital Partners首席投資官、英特爾長期股東Kim Forrest表示：“它死而復生了。持有它的時候很痛苦，但現在感覺棒極了。”一系列催化劑推動了這種樂觀情緒：財務前景改善、華爾街近期分析師上調評級所體現出的新信心、對新代工客戶的猜測，甚至對該公司有可能在川普的“美國優先”運動中獲勝的熱情。英特爾將於美東時間1月22日盤後公佈第四季度財報，投資者將密切關注其業績改善的跡象。花旗集團和KeyBanc等公司的分析師近期上調了該股的評級，目前該股的買入評級數量創下一年多來的新高。本周早些時候，KeyBanc 的John Vinh將英特爾股票評級上調至“增持”，理由是市場需求強勁、代工業務取得進展，以及可能與蘋果(AAPL.US)達成協議，讓蘋果在其電腦和 iPhone 中使用英特爾晶片。Vinh寫道，為人工智慧和其他用途製造晶片是一項龐大的業務，而英特爾18A 技術的進展“足以讓我們相信，它完全有可能超越三星，成為業內第二大代工供應商”。他還將目標價設定為 60 美元，這是華爾街的最高目標價，這意味著較周四48.32美元的收盤價有 24% 的上漲空間。儘管如此，分析師給出的平均目標價為 40.66 美元，這意味著未來 12 個月內股價將下跌 16%。但華爾街可能仍在調整策略。例如，花旗銀行周四在一份研究報告中將股票評級從“賣出”上調至“中性”，並將目標價從 29 美元上調至 50 美元。花旗分析師Atif Malik寫道：“我們認為，英特爾將受益於台積電先進封裝供應緊張的局面，並在美國政府的支援下，迎來吸引晶圓代工客戶的獨特機遇窗口。”英特爾也受益於其中央處理器(CPU)晶片的需求，這些晶片用於個人電腦和資料中心，除了輝達(NVDA.US)和其他半導體製造商提供的圖形處理器(GPU)晶片外，還需要CPU。推動英特爾股價上漲的最不可預測因素是其與川普的關係。去年，川普在批評首席執行長陳立武後，促成了美國政府對英特爾的投資。輝達和軟銀也投資了英特爾，幫助其改善了資產負債表。Freedom Capital Markets 科技研究主管Paul Meeks表示：“這家公司被認為與天使投資人關係良好，尤其是在華盛頓特區的權力掮客中，同時也與一些知名科技公司關係密切。”英特爾作為美國本土為數不多的晶片製造商之一，其地位也可能提振了該公司的股價，因為外界猜測地緣政治摩擦可能會擾亂最重要的晶片代工廠營運商——台積電(TSM.US)的營運。自去年陳立武接任英特爾首席執行長以來，人們對代工和製造業務的樂觀情緒有所上升，但英特爾至今仍未拿下任何知名客戶。據Forrest稱，陳立武憑藉其工程背景加入英特爾，是英特爾轉型戰略的重要組成部分。Forrest表示：“英特爾高層幾十年來管理不善，導致公司定位錯誤，而且一直固守昔日榮光。但他們擁有的是：優秀的工程師和能夠生產產品的先進晶圓廠。”該股的上漲讓一些投資者擔心回呼。英特爾的股價目前是預期銷售額的四倍多，創下二十多年來的最高水平。Meeks認為，這估值過高。英特爾投資者的下一個催化劑可能在於下周的業績報告。分析師平均預測顯示，英特爾2025年營收預計將下降1%，而2026年則有望增長3% 。因此，關鍵可能在於陳立武和其他英特爾高管對未來前景的展望。Meeks稱：“沒人指望他們能大獲成功。如果他們能確認一些最新製造技術的合作夥伴，那可能會讓人感到意外。” (invest wallstreet)

先進製程高度集中，製造中樞短期內難以遷移最近小編重新翻看了一份關於台灣半導體的產業資料報告。很多討論都在講“去風險”“產能分散”，但把資料真正放在一起看，我的結論反而很明確：全球都在試圖降低依賴，但在先進製程和晶圓製造這件事上，短期內依然繞不開台灣。問題從來不是“想不想分散”，而是——製造中樞，真的沒那麼容易搬走。一、這份報告真正想說明什麼？表面看，這是一份台灣半導體產業的全景資料手冊；但把所有章節放在一起看，真正清晰浮現的是三條主線：台灣在全球半導體製造中的“結構性中心地位”價值鏈分佈高度不均：製造強、上游弱在地集中度越高，地緣與供應鏈風險越顯性二、核心邏輯主線拆解① 製造端：台灣仍是全球晶圓製造的“絕對中樞”報告多頁資料反覆驗證一個事實：2023 年台灣佔全球晶圓代工產能約 68%即便到 2027 年，預計仍維持 ~60% 的全球份額在 先進製程（≤16/14nm） 上，佔比顯著高於成熟製程同時，從更長期視角看：台灣在 200mm+ 商用晶圓廠產能 中，自 1990 年代起始終處於全球核心到 2032 年，其全球產能佔比仍預計在 ~17% 左右，具備極強慣性👉 這意味著：全球邏輯晶片的“製造重心”，短期內仍然繞不開台灣。② 價值鏈分佈：台灣強在“中游”，而非“全鏈條”報告在價值增加（value-added）拆分中給出一個非常關鍵的結構：台灣在 晶圓製造、封裝測試 環節貢獻最大在 製造裝置、核心材料、EDA/IP 等上游環節：明顯依賴 US、日本、歐洲換句話說：台灣是“全球最強的製造節點”，但並不是“最完整的半導體體系”。這也是為什麼：ASML、Applied Materials、Lam Research 的營收高度依賴台灣但裝置和關鍵材料，幾乎不在台灣本地生產③ 產業規模：體量巨大，但集中度極高從公司與營收結構看：TSMC 一家公司，遠超其他本土晶圓廠Fabless 端以 聯發科 為核心IC 產業總營收在 2024 年達到 5.32 兆新台幣R&D 支出持續上升，尤其集中在製造端這種結構的含義非常明確：台灣半導體是“效率最優”的產業系統，但也是“集中度最高”的系統。④ 貿易與地緣：全球依賴與全球擔憂並存報告最後的貿易資料非常直觀：IC 出口占台灣外貿極高比例同時，半導體裝置進口額長期維持高位——說明台灣製造能力與海外裝置供應高度繫結這也解釋了一個現實矛盾：全球越依賴台灣半導體，對其集中風險的討論就越無法迴避。三、報告的隱含判斷（很重要）雖然 Statista 沒有直接下判斷，但整份資料實際上指向同一個結論：台灣半導體的地位 短期內難以撼動但其優勢 高度集中在“製造”這一單點全球產業正在一邊繼續依賴台灣，一邊嘗試通過 區域分散、再全球化 來對衝風險四、小編總結台灣半導體的地位，既不是偶然形成的，也不是短期能被替代的。它之所以成為全球製造中樞，源於長期積累的效率、規模和工藝能力；但也正因為這種高度集中，全球越依賴台灣，對風險的討論就越無法迴避。在“去風險”與“離不開”之間，台灣半導體，仍將長期處在全球產業鏈的核心位置——既是支點，也是焦點。 (芯聯匯)

”全球半導體展望系列“為筆者每年開年對全球半導體產業的預測與分析。2025年對Foundry，AI，CPO，以及儲存晶片的超高預測準確度以及未來技術發展以及各家趨勢判斷幾乎無誤，被廣大網友追捧。今年2026全系列文章總共超10萬字，陸續在筆者在知識星球發佈推出，第一篇. 2026 CoWoS看GPU與ASIC市場格局第二篇. 2026全球半導體製造技術與市場展望，第三篇. 2026全球儲存技術與市場展望，第四篇. 2026中國半導體製造與裝置國產化展望，第五篇. 2026全球與大A半導體投資建議。有興趣的歡迎加入筆者知識星球，掃文末二維碼即可加入，相關文章都會在第一時間公佈在知識星球。本文摘要：範式轉移的十字路口，製造即王權2025年的半導體產業，是在冰與火的淬煉中前行的一年。一邊是AI算力需求如黑洞般吞噬一切先進產能，驅動著台積電的CoWoS封裝產線滿載狂奔，輝達的市值一度逼近5兆美元的天文數字。另一邊，則是地緣政治的寒流從未消退，美國對華技術管制的“小院高牆”不斷壘砌，供應鏈的“韌性”與“安全”成為各國戰略的核心詞彙。然而，正如筆者在《2025年全球半導體展望》中所預判的，技術領先性與商業邏輯的壓倒性優勢，始終是穿越周期與政治迷霧的終極燈塔。復盤2025，筆者的核心論斷 - 台積電憑藉其在先進製程與先進封裝上的雙重統治力，構築了幾乎不可踰越的護城河，被市場走勢與技術演進路徑完美驗證。無論是英特爾在18A節點的奮力追趕，還是三星在3nm GAA的良率攻堅，都未能動搖“唯有台積電可大批次、高良率交付最複雜、最先進AI晶片”的行業共識。這並非偶然，而是其數十年在製造技術、客戶生態、資本開支節奏上精密運算的結果。進入2026年，半導體製造的競賽進入一個更複雜、更立體、也更殘酷的新階段。摩爾定律在物理與經濟的雙重牆下已顯疲態，但AI對算力的飢渴卻呈指數級增長。這場“需求暴政”正以前所未有的力度，逼出半導體產業所有的技術潛力與商業智慧。本文將深入製造腹地，從技術路線、產能博弈、封裝革命、地緣變局四個維度，拆解2026年的核心矛盾與勝負手。我們將看到，製造已不僅是生產環節，而是定義系統性能、能效乃至產業格局的戰略制高點。誰掌握了最先進的製造與整合能力，誰就掌握了通往AI時代的船票。第一篇：復盤2025 — “台積電定律”的再驗證2025年初，筆者於《2025全球半導體展望》文中，基於對產業底層邏輯的深刻洞察，對全球半導體製造格局，特別是台積電的統治力，做出了一系列關鍵預測。站在2026年初回望，這些預測經受住了市場的嚴酷檢驗，其精準度與偏差，共同勾勒出半導體製造業的“確定性”與“脆弱性”。預言精準命中之處1. 業績模型再度精準預測：台積電的業績預測是筆者多年以來的強項，接近20年的台積電股票投資以及針對所有可預見細節完善的模型，加上對產業的理解，多年以來，筆者的台積電業績確實很少出錯。2024年4月，台積電發佈第一季度業績之後，官方的年度業績指引還是維持20％的低位數yoy增長，所有投行賣方研報無一例外也是跟著台積電官方口徑，全網只有筆者在第一季度業績之後，敢於違背台積電官方口徑，發佈2024全年業績將是接近30%的年增率。台積電官方在第三季業績發佈之後才調高指引到20的高位數。最終2024年台積電營收落在29.7%年增率，與我24年初與所有投行相悖的30%年增幾乎一致。2024年底，筆者對25年業績預測為1111億美元，2025年前三個月業績出來後，我重新調整為全年1200億。2025.03.30公佈的台積電業績預測模型目前台積電2025年全年業績已全部公佈，12月3350億新台幣，全年38,090億新台幣，yoy : 31.6%。換算成美元營收為1224億美元，因2025年新台幣匯率大漲，所以美元營收yoy：36.2%。最終業績與我3月份公佈的1200億美元，只相差24億，誤差在2%以內，如此高的精準率，甩開同期外資投行的所有研報，其實不論那一年，筆者的台積電營收模型精準率一直都是高於投行。記得7月份的賣方策略會上，有投資者問我的模型為何第四季比第三季營收更低，大好的台積電，營收不應該一直往上衝嗎？當時我認為第三季有輝達blackwell的大量出貨，再疊加蘋果A19晶片的出貨，業績異常逆天，第四季可能持平或微幅下跌。結果2025年蘋果17銷量比預期更好，年底的晶片出貨維持高檔，筆者的模型中蘋果A19晶片的出貨預期少了。實際上，Q4營收比筆者預期的只差7億美元，略微比Q3高一點點，最終筆者年初的全年營收預測與台積電最終數字只差了24億，2%以內的誤差。2025年台積電最終營收除了，營收的預測，25去年初的年度展望文章中，對半導體技術趨勢以及商業格局也幾乎完美的提前描述出來。2. 台積電定律的絕對統治：25年度文章的核心論斷 - 半導體製造的競爭，本質上是’台積電定律’（即以最先進製程、最大規模產能、最高客戶粘性建構的生態壟斷）與’摩爾定律物理極限’之間的賽跑”，這一點被完全驗證。2025年，台積電在先進製程（N3/N5）的市佔率進一步攀升至接近90%，在AI晶片所需的CoWoS先進封裝產能上，其份額更是超過95%。輝達Blackwell、AMD MI300X、蘋果A18 Pro、博通ASIC、GoogleTPU……幾乎所有定義時代的算力晶片，其心臟都刻著“TSMC”的印記。這並非偶然，而是其 “技術領先-> 規模效應-> 資本開支-> 再投資研發” 飛輪效應的必然結果。25文章預言“贏家通吃”格局將在2025年達到未來幾年最高增速。如今看來25年36%的美元營收增速，很大機率將是未來幾年台積電營收的最高增速。當然2026年也不遑多讓，2026年在漲價以及3nm被輝達包圓，2nm開始大量出貨的帶動下，增速有機會再一次挑戰30%，但由於新台幣匯率可能走低，預計美元計算營收yoy在30％左右。如果以新台幣營收來計算，2025以及2026年營收的yoy有機會都在30%以上，台積電營收將從2023年的693億美元，來到2026年1500億以上，短短三年直接翻倍，這是台積電歷史上絕無僅有的時刻。2024年筆者文章直接寫到未來三年將是台積電有史以來的黃金三年，正是根據自己手中詳細模型的精準計算，如今都在精準地一一實現中。台積電這個高增長趨勢，在2027的第四年以及2028的第五年又是如何？這種長跨度的分析與預測必須對產業以及技術發展趨勢有很深的見解以及推敲有興趣的朋友，可以認真看完本文最詳細的分析，將對整個半導體產業鏈以及台積電有更深刻的認識。3. 地緣政治作為最大變數，但商業邏輯最終勝出：25展望文章明確指出，地緣政治是台積電面臨的最大不確定性，但“其技術領先性和不可替代的產能，使其在夾縫中擁有超然的議價能力”。2025年，筆者這一判斷被生動演繹。儘管美國持續施壓，試圖通過《晶片與科學法案》重塑本土供應鏈，強勢要求台積電三星赴美投資，並政策向英特爾嚴重傾斜。但結果卻是：台積電被美國政府要求投資並提供技術支援英特爾，台積電堅持底線拒絕美政府的要求，但最後也追加了1000億投資換取川普政府的認可。目前台積電明確將在美國的總投資額高達2000億美元，從原本3個工廠，追加到7座工廠。7座工廠時間跨度長達10年以上，2030年之前落成3座，2035年之前陸續完成7座工廠的建設，基本也契合台積電未來的產能建設，並不會打亂原有節奏。未來台積電的新產能建構比例大致為台灣3:美國1左右的比例，也就是美國產能佔總產能20~25％。以3nm為例台灣島內產能為120k，美國目前0k，2027年30k。2nm世代，台灣將在2030年以前建構200k以上，而美國在60k左右。政治以外，台積電亞利桑那廠（N4/N3）進度雖延遲，成本高，被整個市場各種唱衰，政治與生產的雙重打擊，台積電2025第二季度股價來到冰點。當時全網對台積電美國工廠的不看好，幾乎只有筆者用產業的角度並明確地提出，"整個關鍵在訂單與稼動率" 的觀點，大家不需要人云亦云，尤其是對產業理解不深的投資行業。半導體一直遵循產業邏輯，所以只要稼動率維持高檔，所謂美國人不加班，生產成本高都將是過往雲煙。事實上，亞利桑那工廠短短量產不到3個季度，在2025 Q2就開始盈利數十億新台幣，Q3在vendor出現重大斷電事故的同時竟還能維持盈利。一切如筆者早期所言美國工廠只要稼動率能維持高檔，任何問題都不是事，終歸會解決，未來隨著上下游供應鏈，叢集的不斷集中，利潤必然是逐步提高的過程。其實這只是再簡單不過的行業邏輯，沒有不懂行的瞎擔憂與瞎樂觀。台積電在島內的N2量產進度卻按部就班，甚至提前，N2被稱為有史以來最大的超級節點。至於英特爾18A製程，雖獲美國政府巨額補貼和“國家級客戶”背書，但在爭奪輝達、AMD等一線客戶訂單時，仍步履維艱。地緣政治扭曲了資本流向，但未能瞬間改變數十年積累的技術代差、人才密度和供應鏈生態。台積電的“根”仍在台灣，其全球佈局（美國、日本、德國）更多是風險分散和政治避險，而非技術或產能的中心轉移。4. 先進封裝成為新的戰略高地，台積電一騎絕塵：25年展望文章指出，當電晶體微縮逼近物理極限，系統級性能的提升將越來越依賴於先進封裝。2023年，ChatGPT引爆AI算力需求瘋狂增長，徹底引爆了CoWoS產能危機。台積電憑藉其3DFabric平台（CoWoS、InFO、SoIC），不僅卡住了全球AI晶片的喉嚨，更將封裝從“後道工序”提升至與前端製程平級的“系統整合”戰略高度。英特爾（Foveros，EMIB）、三星（X-Cube）雖奮力追趕，但在產能規模、客戶生態和互連密度上，與台積電的差距不是在縮小，而是在拉大。5. 成熟製程的“安全冗餘”與中國的激進擴張：25展望文章預判，在地緣政治和供應鏈安全驅動下，成熟製程（28nm及以上）將出現區域性“冗餘建設”的區域性產能過剩。2025年，這一趨勢以遠超預期的速度上演。中國大陸在成熟製程的資本開支堪稱“瘋狂”，中芯國際、華虹宏力、晶合整合等持續擴產，驅動全球成熟製程產能佔比中，中國大陸份額已突破30%。這直接導致了全球成熟製程產能局部過剩，價格競爭加劇。目前國內的28nm代工費已出現1500美元每片的低價，只有台積電28nm的50%，也比UMC以及GF便宜了3成以上，45nm以上代工費同樣一路走低如25年文章所料，UMC、GF等傳統製程玩家面臨巨大壓力，而台積電則順勢逐步將資源向利潤更高的先進製程傾斜，其成熟製程份額被侵蝕，但利潤結構反而更加健康。25年預測偏差與市場新動態：裝置商的意外崛起：在地緣政治撕裂的供應鏈中，日本、歐洲的半導體裝置商獲得了歷史性機遇。東京電子TEL、Disco、Screen、ASMI、ASMPT、Besi等公司在刻蝕、塗膠顯影、ALD、封裝等關鍵環節，部分填補了美國裝置受限的空白，其股價和估值在2025年大幅跑贏行業平均。這在一定程度上削弱了應材AMAT、泛林Lam Research等美系巨頭的絕對主導權，全球裝置格局從“一超多強”向“多極化”微妙演變。雖然中國大陸半導體的裝置囤貨在2024年基本完成，2025年中國地區的裝置進口銷量卻還是繼續上漲，主要是儲存以及幾座地方支援的新晶圓廠的帶動。2025年中國區的半導體裝置進口沒有出現下滑而是持續上漲，這一點是始料未及的，也與我25年初的預期有出入。另外AI帶動先進製程以及儲存的大擴產，2025年年底全球所有裝置商出貨開始走高，並將維持一段時間。英特爾IFS的“國家意志”與市場現實的撕裂：25展望文章對英特爾代工業務的挑戰基本正確，但實際的表現則是更為分裂。一方面，憑藉美國《晶片法案》的巨額補貼和“愛國訂單”（如國防部），IFS獲得了前所未有的資金和政治支援，18A工藝的研發和產能建設提速。另一方面，在殘酷的商業市場，其能否在2026-2027年如期獲得除英特爾自身和“國家隊”以外的、有份量的一線客戶（如輝達、高通、蘋果），仍是巨大問號。其“四年五個製程節點”的激進路線，在良率和生態上仍面臨嚴峻考驗，目前我們還是沒有看到根本性的改變。復盤結論：總體而言，2025年的全球半導體製造業，完美印證了筆者基於“台積電定律”的分析框架。技術領先性、規模效應和生態粘性，依然是這個行業最堅固的護城河。地緣政治如同巨大的風浪，能改變航船的路線，甚至迫使它多繞幾個彎，但無法瞬間逆轉由物理定律、工程積累和商業網路構成的洋流方向。台積電的領先地位在2025年不僅沒有動搖，反而因其在AI時代的關鍵樞紐作用而更加鞏固。然而，地緣政治的風浪也永久地改變了海域圖：供應鏈的區域化冗餘，局部產能過剩、技術路線的多元化探索（如背面供電、CFET、CPO）、以及國家意志對商業邏輯的空前干預，將成為未來十年半導體製造業的新常態。第二篇：鐵軌上的狂奔 - 邏輯製程演進與物理極限的攻防戰半導體製造的精髓，在於在原子尺度上雕刻電路。這條由“製程節點”標識的賽道，是巨頭們展示肌肉的主戰場。2026年，戰火已從“奈米時代”全面燒向“埃米時代”。引領摩爾定律的企業就能引領行業這一條鐵律，從半導體誕生以來至今沒有任何改變。1.1 技術預測與行業共識的鞏固台積電N2量產窗口確認：台積電按計畫於2025年下半年進入N2的風險量產，首發客戶為AMD，蘋果、高通與聯發科將於2026年跟進。N2首次引入奈米片電晶體Nanosheet FET，取代FinFET，標誌著GAA時代的正式到來。奈米片結構通過調整Sheet Width可獨立最佳化驅動電流與靜電控制，相比FinFET在相同功耗下性能提升10-15%，或在相同性能下功耗降低25-30%。英特爾18A的“技術勝利”與“量產挑戰”：英特爾在IEDM 2024上高調展示的RibbonFET和PowerVia確實取得了技術突破。特別是PowerVia，將供電從電晶體正面移至背面，能顯著降低IR Drop和擁塞，據其資料可提升晶片性能並縮小面積。然而，從測試晶片到大規模量產並獲得外部大客戶（如蘋果、Meta、微軟）的實質性訂單，仍有漫長道路。2026年，英特爾18A的良率爬坡和生態建設仍是其最大挑戰。三星的“激進”與“務實”：三星在3nm GAA（3GAE/3GAP）的率先量產曾引發關注，但正如行業所擔憂的，其在高性能計算（HPC） 領域的客戶接納度和良率穩定性始終是疑問。2025年，三星將更多資源投向其改良的4nm（4LPP+） 和2nm（SF2），試圖以更成熟的工藝和積極的定價策略搶奪台積電N3/N4家族的客戶。但至少在2025年，其在最頂尖的AI訓練晶片市場，存在感依然微弱。1.2 2026技術前瞻：埃米時代的軍備競賽與“後奈米”的多元探索2026年，製程競賽將圍繞以下焦點展開：台積電的製程霸權：N2全面量產與N2P增強2026年是N2的放量年。除了蘋果的A系列/M系列晶片、AMD的Zen 6、高通8 Elite 6、聯發科9600等旗艦產品將大規模採用。N2相比N3E，在相同功耗下性能提升15%，在相同性能下功耗降低30%，邏輯密度提升約1.15倍。2026年底，台積電將推出N2P，在N2基礎上引入背面供電BSPDN，這類似於英特爾的PowerVia，旨在解決正面布線擁堵和供電問題，為更高性能的HPC晶片鋪路。埃米時代技術細節浮出水面：作為N2之後的節點，A14將於2027試生產，2028年正式量產。引入NanoFlexPro的第二代GAA標準單元，初代A14不支援背供電，2029年的A12才支援背供電版。從台積電內部瞭解，正因為背供電技術延緩了M0/M1 Pitch微縮的壓力，所以台積電將在A10才會首次大規模採用High-NA EUV，最快也是2029年的A14P匯入，並小規模採用。當然，目前台積電研發中心已經與合作方已開始探討High-NA下的光刻膠挑戰、光罩3D效應補償以及新的設計規則。A14的下一代A10將於2030年推出，依照規劃路線將採用CFET（互補場效應電晶體，即n型和p型奈米片垂直堆疊） 的早期形態或進一步最佳化的Forksheet器件架構，以繼續提升密度。根據IMEC的路線圖，CFET能將電晶體密度再提升2倍以上，是GAA之後延續摩爾定律的新一代結構。材料與工程的極限突破：在器件層面，金屬柵極功函數工程、高k介質層最佳化、源漏極應變工程仍是每代工藝的必修課。在互連層面，鈷（Co）互連、釕（Ru）等新型阻擋層/襯墊材料的引入，以及低k介質（k值<2.0） 的持續研發，是應對RC延遲挑戰的核心。二維材料做為1nm以下的重要技術，在2030年前後開始匯入，預計A10或A7製程。二維材料主要應用在溝道，接觸電極以及互聯，目前MoS2以及WS2（n型）以及WSe2（p型）方面，台積電與IMEC合作研究多年，2025年IEDM剛剛展示了WSe2 p型器件接觸技術的技術突破。台積電、台大、MIT 三方共同研究的金屬鉍Bi接觸電極技術，發展多年，已經走出實驗室，轉入規模化製備以及大面積轉移的研發與落地。是目前全球二維材料距離量產最接近的項目。台積電與國立清華大學的聯合研發中心，由浸沒式光刻技術發明人林本堅擔任主任，是目前台積電光刻技術的次一級前沿探索研發機構，並不斷的向台積電輸送高端光刻人才。陽明交大的台積電聯合研發中心則主要負責二維材料在先進封裝的前沿研發。另外，台積電與MIT（AI及二維材料）、普渡大學(全流程合作）、史丹佛大學（低功耗異構整合）、加大伯克利（新型儲存）、喬治亞理工（3D封裝）、伊利諾伊大學香檳分校（SiPH)、亞利桑那州立大學聯合研發中心等都有聯合研發中心，專項合作，人才交換，MPW流片支援等合作，每年對於半導體前沿科學的研發投入非常龐大。長期與全球所有高等科研院校深度合作是台積電在前沿科學佈局的高明之處，十多年下來形成了一個良性循環，不斷加強颱積電的研發力量。英特爾的“四年五個節點”收官與反攻：2026年是英特爾“四年五個節點”戰略的收官之年。其成敗關鍵在於：18A的良率與外部客戶：能否將IEDM 2024上展示的RibbonFET和PowerVia技術優勢，轉化為穩定、高良率的大規模製造能力，並成功為高通、微軟甚至亞馬遜等外部客戶流片、量產，是衡量其IFS能否立足的關鍵。14A的亮相：英特爾將在2026年首次展示14A節點的技術細節。預計將採用High-NA EUV，並在CFET等更激進結構上有所佈局。目前英特爾18A的MTr電晶體密度只達到台積電上一代N3的水平，完全落後台積電一個世代。14A技術可能追上台積電N2的MTr，但是英特爾14A推出同時，台積電的A14也開始量產，如此一來只是名字一樣，真實製程還是落後一代。我們可以確定英特爾14A不可能一次跨越兩代，未來MTr還是落後一代世代的差距。在MTr明確落後的情況下，能否在PPA上接近台積電同期節點，將決定英特爾到底是否具備追近台積電的可能。如果明確雙方差距是不斷擴大或是差距一直持平，而不是可追近，英特爾董事會或者美國政府在明確沒有追近的可能，加上同時間台積電不斷在美國本土擴大產能，英特爾IFS被放棄的可能性將不斷提高。當然如果英特爾可以證明，他與台積電的差距是有機會慢慢拉進的，那IFS也將會獲得更大的支援，但是筆者對半導體行業的理解，目前沒有任何理由可以支援雙方差距有拉近的可能。製造與設計的協同：英特爾是唯一一家同時擁有頂尖晶片設計（CPU/GPU）和製造能力的IDM。其PowerVia技術率先量產的經驗，以及設計團隊與製造團隊的無縫協同，是其區別於純代工廠的獨特優勢。2025年輝達應美國政府要求戰略投資英特爾50億美元，成為持股4%的大股東，且雙方將展開身深度合作，英特爾的X86 CPU將整合輝達RTX GPU，該合作不只是針對資料中心，也包含CCG部門。如何將這種優勢轉化為對AI晶片客戶（如需要定製化互連和封裝）的吸引力，是英特爾2026年的看點。目前英特爾的關鍵並非在製程的追趕上，畢竟18A只有台積電N3水平是明確落後一代的製程。英特爾此時此刻的的生死關鍵是採用18A製程的Panther Lake的銷量，銷量是融合一切的最終結果，性能差銷量自然不會好，性能好銷量自然能好。18A的電晶體密度是落後一代，但依靠英特爾的傳統強項設計端最佳化，如果PPA表現可以超越3nm，追近台積電N2，那Panther lake在銷售市場還是有機會的。但如果採用18A製程的Panther lake銷量拉了，那後續將會是什麼局面？業績無法轉好，虧損持續，無法增加資本支出在製程上加大投入，那追近台積電將更無可能。所以Panther lake的成敗是目前看英特爾的唯一關鍵，沒有其他。三星的“追趕者”策略三星的SF2將在2026年進入風險量產，三星的策略很明確，以更有競爭力的價格和靈活的產能合作模式，吸引除了蘋果、輝達、AMD之外的第二梯隊客戶，例如一些AI初創公司、自動駕駛晶片公司，甚至部分高通訂單。三星在HBM記憶體和先進封裝（如I-Cube、X-Cube）上的垂直整合能力是其賣點。但核心挑戰仍是HPC工藝的穩定性和設計生態（EDA工具、IP庫）的成熟度。2025年三星在先進製程的全球產能佔比約為15%，遠低於台積電的近70%。如果計算代工出貨金額計算，台積電更是以90%以上的絕對資料壟斷全球先進製程的出貨。2026年，這一格局發生扭轉的可能性幾乎沒有，台積電N2量產之後，台積電的市佔率將近一步擴大。1.3 裝置與材料：支撐鐵軌的基石 製程微縮的背後，是裝置與材料的軍備競賽。光刻：High-NA EUV的黎明來了？ASML的0.55 NA EUV光刻機EXE:5200在2025年已向英特爾、台積電等客戶交付。High-NA通過將數值孔徑從0.33提升至0.55，將解析度從13nm提升至8nm，但代價是焦深DOF更淺，對wafer平整度、光刻膠性能、光罩誤差修正MEC和計算光刻OPC提出了地獄級的要求。這也推動了金屬氧化物光刻膠Metal-Oxide Resist和新型抗反射塗層ARC/BARC的研發。High-NA是這兩年ASML的宣傳重點，但從台積電內部瞭解，最快在2029年的A14P少量匯入，2030年的A10才會正式大規模匯入。為什麼呢？因為台積電在2nm以及A14依靠low-NA的多重曝光完全可以解決，要知道台積電被行業稱頌的MMO=DCO的神技，確實可以讓他比競爭對手更不仰賴解析度更高的光刻機。所以在2nm以及A14時代，台積電不需要花接近兩倍的價格，每台4億多美元去買High-NA。這一點我們可以從台積電第一台High-NA的EXE:5200是2025年到貨的來進一步佐證。全新技術的tool必然是先給RD，而台積電研發中心的A10團隊也是2025年進駐，正好用上25年交付的這台EXE5200進行研發。而2023年就已進駐研發中心的A14團隊，整個研發工作都是基於low-NA，所以想在27年就要試生產的A14去用High-NA從時間來看明確來不及。至於製程技術較差，尤其是MMO無法等於DCO的英特爾，想追趕台積電提早匯入High-NA或許是必要的。下一代的英特爾14A必然是全面匯入High-NA，但從英特爾目前的Capex來看，A14大機率跟現在一樣，還是只搞兩萬片產能，如此小的產能對ASML來說只能是苦笑，有總比沒有好。關鍵還是得看每個節點至少12萬片的台積電啥時候採用High-NA，不論英特爾還是三星，對光刻機的交付只能是不無小補的作用。薄膜沉積：未來沉積技術的核心挑戰圍繞著3D結構、原子級精度、更低溫、更高均勻性、更低損傷展開。3D化與高深寬比（HAR）結構：為支撐3D NAND超500或1000層的堆疊、3D DRAM、GAA/CFET邏輯器件，沉積技術需能在極高深寬比（>100:1）的溝槽、孔洞中實現保形Conformal且無缺陷的薄膜生長。原子級精確控制：隨著關鍵尺寸進入亞奈米級，原子層沉積（ALD） 及其變體（如PEALD、Thermal ALD）從“可選項”轉變為必須項，成為實現高介電常數柵極、內間隔層、精確厚度控制的核心方法學。材料創新與組合：應對新器件結構（如GAA、MRAM）和新互連方案（如無阻擋層金屬化），需要開發新的前驅體化學和材料體系（如ALD-Mo用於NAND字線，高k材料如HfO₂，選擇性沉積材料）。電漿體控制與穩定性：無論是PECVD還是PEALD，電漿體的穩定性（避免微電弧、電漿體團等）直接決定了薄膜均勻性、質量和良率，成為沉積工藝真正的瓶頸。刻蝕：未來蝕刻技術的核心挑戰是從經驗藝術走向可預測的工程學，重點是原子級控制、電漿體物理與化學的精確解耦、以及極端3D結構的處理能力。從連續蝕刻到原子層蝕刻 (ALE):傳統反應離子蝕刻（RIE）在3D和原子級尺度下逼近極限。ALE 通過“自限制”的兩步法（表面改性+可控去除）實現原子級精度、更低損傷和對深寬比不敏感的特性，成為先進邏輯（GAA柵極、內間隔層）和儲存（高深寬比結構精修）的關鍵技術。電漿體工程成為核心瓶頸：先進製程的真正瓶頸正從光刻轉向電漿體和射頻（RF）電源工程。蝕刻和沉積都面臨電漿體控制難題，如穩定性、離子/自由基通量解耦、非線性混頻干擾等。3D NAND驅動的高深寬比蝕刻極限挑戰：為實現1000層NAND，通道孔蝕刻需突破深寬比100:1，面臨射頻功率擴展、電弧、輪廓控制（側壁角度>89.96°）、均勻性（晶圓邊緣效應）等系統性挑戰。複雜材料體系的選擇性蝕刻：新型儲存器（MRAM）、GAA中的Si/SiGe超晶格、新互連材料等，需要開發新的選擇性蝕刻機制，包括無電漿體的氣相化學蝕刻（如TEL的COR技術）和離子束蝕刻（IBE）。“人機協同”與多物理場模擬：靠經驗調參數的時代結束。結合AI輔助工藝開發、多物理場模擬（如Lam的VizGlow）和即時感測，實現快速配方開發和工藝視窗預測。量測與檢測：守護良率的眼睛隨著結構複雜化、尺寸微縮，套刻精度（Overlay）、關鍵尺寸（CD）、缺陷檢測的容差越來越小。High-NA EUV： 隨機缺陷率大幅上升，需要“光罩廠+晶圓廠”雙重檢測流程。GAA奈米片： 濕法釋放步驟的殘留缺陷（密度達0.12 cm⁻²）需 1 nm解析度的電子束複檢系統。背面供電： 晶圓減薄至<50 μm後，TSV顯露工藝需 0.1 μm三維精度的形貌+輪廓一體量測。混合鍵合： Pad直徑從>100 μm縮至<5 μm，檢測靈敏度必須從>10 μm提升至 0.15 μm。2.5D中介層： 尺寸超過光罩極限需拼接，拼接縫錯位需 <0.25 μm，依賴套刻量測系統即時量測並動態反饋校正光刻機。未來，更高精度（亞奈米）、更高吞吐量（多束/高速）、更深穿透（3D/埋藏結構檢測）、以及與AI/ML深度結合實現智能閉環控制是量測檢測的發展方向挑戰。2026年的邏輯製程競賽，是台積電鞏固霸權、英特爾奮力一搏、三星伺機搶奪份額的格局。技術焦點從單純的尺寸微縮，轉向器件結構創新（GAA→CFET）、新材料引入、以及光刻、刻蝕、量測等底層工具的極限突破。摩爾定律的延續，越來越像一場耗費數百億美元的精密系統工程。第二篇：產能的戰爭——全球佈局、地緣博弈與成熟製程的“紅海”未完待續，知識星球發佈第三篇：超越平面——先進封裝與光互連的系統級革命未完待續，知識星球發佈第四篇：結論——鐵王座的邏輯與地緣政治的漣漪 (梓豪談芯)

1月13日消息，根據《紐約時報》的最新報導，美國川普政府與台灣已經進入關稅協議的最後敲定階段。這項醞釀數月的關稅協議預計最快將於本月正式宣佈，其核心內容包括大幅調降台灣對美國出口產品的關稅，同時台灣晶圓代工龍頭台積電承諾，將持續在美國本土進行具有指標性的產能擴張。報導指出，由於自2025 年8 月起，大多數台灣進口至美國的商品均面臨高達20% 的關稅壓力。但消息人士向《紐約時報》透露，一旦美國與台灣的新的協議簽署完成，台灣對美國的出口關稅稅率將調降至15%。該協議具有重要的戰略意義，因為這將使台灣的關稅待遇與日本、南韓等美國在亞洲的關鍵盟友看齊。日、韓兩國已於2025 年與美國達成了類似的貿易安排。在此之前，雖然半導體及部分電子產品在國安審查期間獲得暫時性的關稅豁免，但新的協議將為台灣整體對美國出口提供更具競爭力的關稅架構。但是，作為降低關稅的交換條件，台灣方面將同意在美國本土進行半導體製造領域的史無前例的投資，也就是全球晶圓代工龍頭台積電承諾在現有的已經建設的2座晶圓廠基礎上，將在亞利桑那州增建至少5 座半導體晶圓廠。根據台積電此前已經宣佈的計畫，將在美國投資1650億美元建設6座先進製程晶圓廠、2座先進封裝廠和一座研發中心。按照目前的進度，台積電在亞利桑那州的第一座晶圓廠已經量產，第二座晶圓廠則預計於2028 年投入營運。未來幾年則將再建剩下的4座。如果《紐約時報》最新的報導屬實，那麼本次協定將要求台積電在此前已經宣佈的對美投資計畫的基礎上，在增加投資，建設一座新的晶圓廠，使得總數達到7座晶圓廠。這樣也意味著台積電在亞利桑那州總投資額可能將增加至2000億美元。值得注意的是，美國商務部長霍華德·盧特尼克（Howard Lutnick）上個月在接受採訪時表示，“我認為我們會讓他們（台積電）在美國設廠投資超過2,000億美元，創造3萬個工作機會，這才是我們應該做的事。”近日，盧特尼克在接受採訪時表示，他認為台積電需要增加對美國的投資。 他表示“我會讓台積電自己去宣佈，他們的（投資）規模還會比這（1650億美元）更高。”針對美國與台灣的最新的關稅協議，《紐約時報》強調，這項協議反映了川普政府一貫的關稅籌碼策略。美國官員認為，通過關稅作為談判，可以有效推動盟友將與國家安全密切相關的供應鏈轉移至美國境內。尤其在當前全球供應鏈風險增加，以及中國與台灣之間緊張局勢升溫的背景下，擴大美國國內的晶片產能被美國政府視為至關重要的國安目標。官員們希望通過這類以關稅換投資的模式，確保在極端地緣政治情況下，美國依然能維持先進半導體的供應穩定。這項協定如果能如期在本月公佈，將被視為台美經貿關係的重大轉折點。對於台灣而言，15% 的關稅稅率將減輕企業的出口成本壓力。而對於美國而言，則成功落實了半導體製造在地化的戰略藍圖。目前，川普政府已多次對外強調關稅對於國家安全的重要性。隨著美國與台灣貿易談判進入最後衝刺，外界正密切關注這筆關係數千億美元潛在價值與高科技國安佈局的交易何時正式確定。 (芯智訊)

對於三星電子而言，代工業務是整個大廈不可缺少的地基之一。故事始於 2005 年，彼時三星開始開放晶圓代工，但在這一市場中，當時的它不過是個年營收不足 4 億美元的門外漢，與同期營收逼近百億的台積電相比，渺小得幾乎可以忽略不計。然而，三星憑藉著驚人的魄力，在 2014 年上演了半導體史上最精彩的彎道超車—— 它力排眾議，跳過 20nm 節點，率先量產 14nm FinFET 工藝，一舉擊敗還在 20nm 泥潭中掙扎的台積電，搶下高通驍龍 820 等重磅訂單，甚至迫使蘋果在 A9 晶片上採用雙代工”策略。可惜，成也激進，敗也激進。在追求極致的競賽中，三星在 5nm 節點上的虛標策略和良率失控，讓它再次失去了Fabless信任，也錯失了與台積電並駕齊驅的最佳時機。而台積電憑藉更穩健的技術迭代和龐大的產能，迅速拉開了差距。到了 3nm 時代，儘管三星搶先量產了 GAA 架構，卻因良率過低陷入賠本賺吆喝的尷尬境地，截至2025 年末，三星代工業務正面臨著前所未有的寒冬：連續多年的巨額虧損（季度虧損高達 1-2 兆韓元）、市佔率被擠壓至 6.8% 的低谷，與台積電 71% 的霸主地位形成了鮮明對比。但這家從未輕言放棄的韓國巨頭，並未打算認輸。2nm的背水一戰從2024年開始，三星就將全部資源押注2nm工藝，公司戰略理念發生根本性重構：摒棄此前全球首發的激進口號，轉而將工藝穩定與良率提升作為核心目標，這也成為了三星代工業務自救的關鍵起點。三星2nm工藝延續了此前率先量產的GAA（環柵）架構路線，但基於3nm的失敗經驗進行了全方位最佳化。新工藝核心是升級後的MBCFET（多橋通道場效應電晶體）架構，同時引入獨特的外延與整合工藝，大幅改善了器件性能與穩定性。相較於傳統FinFET技術，其電晶體性能提升11%至46%，可變性降低26%，漏電現象減少約50%，有效解決了先進製程的功耗控制難題。三星採用的MBCFET結構以水平堆疊的矩形奈米片為溝道，相較於奈米線結構，奈米片寬度可靈活調整，電流驅動能力比FinFET提升約30%，更適配AI加速器、高性能計算等高端場景需求。為進一步強化性能，2nm工藝的MBCFET將堆疊層數提升至4片，驅動電流密度得到顯著增強。在核心架構之外，三星針對關鍵環節持續攻堅：通過採用單晶粒金屬材料降低電阻，引入直接蝕刻金屬互連技術最佳化金屬層堆疊，其還在2024年2月與Arm達成合作，共同最佳化基於GAA技術的下一代Cortex-X/Cortex-A CPU核心，其首款2nm工藝SF2的技術開發於2024年二季度完成，為客戶匯入提供了核心支撐。而為了推動關鍵的良率提升，三星採取了多維舉措：最佳化製造全流程管控，強化系統LSI與晶圓代工事業部的協同效率以降本增效；三星董事長李在鎔親自拜訪ASML、蔡司等核心裝置供應商，深度對接工藝最佳化與良率提升方案。值得注意的是，2025年3月日本解除光刻膠出口限制後，三星重新啟用高純度日本光刻膠，也成為良率快速爬坡的重要助力。儘管當前良率仍低於台積電2nm初期的60%水平，但已大幅縮小差距，為後續產能釋放奠定基礎。行業普遍認為，先進製程穩定量產需70%以上良率，三星仍需在細節最佳化中持續攻堅。經過一番埋頭苦幹，三星2nm工藝的良率爬坡出乎不少人意料：2024年2月試產初期，良率僅30%，雖高於3nm初期水平，但距離商業化量產標準仍有差距；至2024年4月，良率快速提升至40%。而根據2025年最新消息，三星2nm工藝良率已穩定在50%-60%，不僅一掃此前低良率陰影，更基本滿足商業化量產需求，其中搭載該工藝的自研Exynos 2600晶片良率甚至達到60%。產能方面，三星最初規劃在韓國華城S3工廠搭建2nm生產線，目標2025年一季度實現月產7000片晶圓，並計畫於2025年底將該工廠剩餘3nm產線改造為2nm產能以擴大規模。隨著良率達標與訂單落地，三星進一步拓展產能佈局，宣佈在美國泰勒工廠建立2nm代工生產線，工程師分兩批於2025年9月、11月部署，同步啟動生產裝置採購，計畫2025年下半年啟動量產，2026年底全球2nm月產能將提升至2.1萬片。為了提升市場競爭力，三星也為2nm工藝規劃了覆蓋不同場景的多版本路線圖，形成差異化競爭優勢：SF2X、SF2Z聚焦高性能計算與AI領域，SF2A則面向汽車電子市場，首推版本SF2於2025年正式量產，升級版SF2P將於2026年就緒，採用速度更快的電晶體設計，2027年將推出搭載BSPDN（背面供電）技術的SF2Z版本，進一步突破性能瓶頸。其中，SF2Z的BSPDN技術對應台積電和英特爾的背面供電技術，通過將電源軌置於晶圓背面，徹底消除電源線與訊號線的互聯瓶頸，相較於傳統FSPDN供電方式，可實現17%的晶片尺寸縮減與15%的能效提升，顯著強化高性能計算場景的性能表現。從資料中心到物理AI的戰略轉向在全力推進2nm技術攻堅與產能建設的同時，三星晶圓代工做出了關鍵的戰略取捨：面對台積電牢牢主導的資料中心AI半導體市場，正面競爭勝算渺茫；而在新興的物理AI市場，由於遊戲規則尚未完全確立，成為其實現換道超車的核心機遇。所謂物理AI，是指讓AI具備感知、判斷現實世界並執行物理動作的技術體系，典型應用覆蓋自動駕駛汽車、人形機器人、工業自動化系統等領域。與資料中心AI市場的競爭邏輯截然不同，物理AI領域的核心競爭變數從極致性能與能效轉向成本結構、大規模生產能力與總體擁有成本（TCO）。業內普遍認為，汽車、機器人等物理AI場景的晶片無需尖端製程，4nm至14nm的成熟工藝已能滿足需求，且這類晶片需大規模量產，客戶對單價敏感度極高，這恰好為三星創造了發揮空間。三星在物理AI市場的核心優勢源於兩點：一是靈活的定價與供貨策略，相較於台積電的標準化合作模式，三星更能根據客戶需求定製合作方案，這一點在價格敏感型市場中極具吸引力；二是垂直整合的產業佈局，除晶圓代工外，三星在儲存器、先進封裝領域均具備全球頂尖實力。而物理AI客戶考量的總成本，不僅包含晶圓代工價格，還涵蓋半導體生產、封裝測試及儲存器採購等全鏈條支出，三星的垂直整合能力使其在TCO競爭中佔據天然優勢。汽車半導體成為三星進軍物理AI市場的首要突破口——汽車行業是物理AI技術最早實現商業化落地的領域，其成熟的工藝流程與嚴格的質量管控標準，可自然延伸至機器人、工業自動化等後續賽道。從訂單落地時間線來看，三星的汽車晶片佈局已形成明確成果：早在2023年6月7日，三星便宣佈與現代汽車達成首次汽車晶片合作，為其供應Exynos Auto V920晶片，用於驅動下一代車載資訊娛樂（IVI）系統，該系統於2025年正式推出；2025 年7 月，三星與特斯拉簽署價值 165 億美元、為期 8 年的 AI6 晶片代工協議，值得注意的是，三星在美國德克薩斯州泰勒新建的2nm工廠，將專門用於生產特斯拉AI6晶片，足見雙方合作的戰略重要性。對三星而言，獲得汽車半導體訂單的意義遠超業務增收：這標誌著其已具備物理AI領域所需的工藝穩定性與大規模營運能力，為後續拓展機器人、工業AI半導體市場奠定了技術與商業基礎。當前，人形機器人、工業自動化裝置、智能物流系統等物理AI應用正進入快速發展期，市場規模預計將迎來爆發式增長。三星通過汽車市場積累的客戶信任與量產經驗，已轉化為其在這一新興賽道的核心競爭資本，與2nm先進製程形成“成熟工藝卡位新興市場、先進製程攻堅高端場景”的雙線佈局。從大型公司到中小型無晶圓廠在戰略錨定物理AI賽道的同時，三星代工還在同步推進客戶生態的結構性升級——從過往過度依賴高通、輝達等少數大客戶的單一模式，轉向建構覆蓋大型科技巨頭、細分領域龍頭到中小型無晶圓廠企業的全層級客戶體系。這一轉型精準契合了AI半導體市場的結構性變革：隨著生成式AI、邊緣計算等應用的普及，高性能晶片需求不再侷限於頭部科技公司，大量聚焦細分場景的中小型無晶圓廠企業加速湧現，成為驅動市場增長的新引擎。值得關注的是，雖然台積電以67%的全球市場份額佔據絕對主導地位，但這也導致其先進製程產能長期處於飽和狀態，對新增訂單尤其是中小型客戶訂單的承接能力有限，導致客戶普遍面臨交貨周期拉長、議價能力弱化的困境。在此背景下，三星憑藉相對富餘的先進製程產能、靈活的生產線調度能力以及更具競爭力的定價策略，成為眾多尋求供應鏈多元化企業的重要選擇，成功打開了市場的突破口，除了前文提到的特斯拉之外，此前轉投台積電的高通也選擇重返三星供應鏈，2026年1月8日，高通首席執行長在國際消費電子展（CES）期間證實，正與三星積極推進2奈米晶片代工合作洽談，相關晶片設計工作已全部完成，旨在加快產品商業化落地，業界推測此次合作涉及驍龍8 Elite Gen 5的2奈米最佳化版本或下一代旗艦晶片驍龍8 Elite Gen 6，這被普遍解讀為三星2奈米SF2P製程在性能、能效及良率上已具備市場競爭力的有力證明。在韓國本土，三星將培育本土AI無晶圓廠企業作為戰略重點，與DeepX、Boss Semiconductor等企業達成深度合作，其中邊緣AI晶片企業DeepX於2025年8月13日宣佈與三星、GAONCHIPS簽署三方協議，共同打造全球首款2nm端側生成式AI晶片DX-M2，計畫2027年量產；這些本土客戶不僅為三星提供了穩定的訂單支撐，其聚焦的邊緣AI、端側計算等方向，更與三星的技術路線形成協同，助力探索新計算架構的商業化落地。日本市場也成為三星突破台積電壟斷的戰場。2024年7月，三星正式確認贏得日本AI公司Preferred Networks（PFN）的2nm晶片代工訂單——PFN自2016年起便是台積電的忠實客戶，此次轉投三星被業界視為三星在高端代工市場的重要突破。此外，三星還成功拿下任天堂Switch 2遊戲機的晶片代工訂單，進一步擴大了在日本消費電子與AI晶片領域的客戶版圖。值得注意的是，PFN選擇三星的核心原因，在於三星GAA架構在特定AI晶片場景的性能優勢，以及更具吸引力的合作條件，這也為三星後續拓展其他日本企業奠定了基礎。為支撐多元化客戶生態的持續擴張，三星還同步強化了後端支撐體系建設：一方面大幅擴充銷售與技術支援團隊，針對不同行業、不同規模的客戶配備專屬服務團隊，提升需求響應與技術對接效率；另一方面深化與設計服務企業的合作，完善從晶片設計到量產的全流程服務能力。隨著客戶生態的逐步完善，三星晶圓代工部門的開工率已穩步回升，2025年二季度資料顯示其先進製程產能利用率已提升至70%以上，帶動設計合作夥伴業績同步增長，形成了生態的良性循環。差異化破局：三星代工的錯位競爭之路在與台積電的多年競爭博弈中，三星代工逐漸認清了一個現實：強行追趕先進製程並非正選選擇，與其在對手主導的戰場正面硬拚，不如利用差異化策略，開闢台積電難以覆蓋的細分市場。首先是成熟工藝市場，三星與歐洲的意法半導體早在2012年起便在32nm/28nm晶圓代工領域展開合作，其於2014年獲得28nm FD-SOI工藝技術轉讓。雙方經過十多年合作，將FD-SOI工藝從28nm迭代至18nm，並創新性整合嵌入式相變儲存器（ePCM），實現了性能提升與功耗降低的雙重突破。如今這一技術已成功拓展至汽車電子、航空航天等高端可靠性領域，意法半導體借助該工藝量產車用MCU、數據機等核心器件，而三星則通過合作深度繫結歐洲汽車供應鏈，在台積電無暇顧及的成熟工藝賽道悄悄築起競爭壁壘。而先進封裝技術則是三星另一張王牌。作為全球最大的儲存器製造商，三星在高頻寬記憶體（HBM）與先進封裝領域的具有獨特的協同優勢。依託“儲存+封裝”的技術協同，三星推出了SAINT系列先進封裝解決方案，可實現SRAM與CPU的垂直堆疊、多核心IP的一體化封裝，更計畫在HBM4世代通過Logic Base Die替代傳統DRAM Base Die，允許客戶嵌入自訂IP，大幅提升資料處理效率並降低30%功耗。在此基礎上，三星建構了覆蓋2.5D/3D的全場景封裝服務體系，包括I-CubeS、I-CubeE等四大類解決方案，未來還將通過擴大互連層規模、縮減微凸塊間距等升級，進一步強化性能優勢。為夯實這一優勢，三星甚至在2024年7月完成組織架構重組，將分散的HBM技術開發與先進封裝團隊整合，形成“儲存-封裝”一體化研發力量，全力打造“晶圓製造-封裝測試”一站式服務能力，這種全鏈條服務能力擊中了不少客戶的核心痛點。垂直整合能力則讓三星在新興市場具備更強的競爭力，許多客戶考量的核心並非單一晶片性能，而是包含晶片製造、封裝測試、儲存器採購在內的總體擁有成本（TCO）與供應鏈穩定性。三星電子的垂直整合架構恰好適配這一需求：客戶選擇三星，不僅能獲得邏輯晶片代工服務，還能同步採購DRAM、NAND快閃記憶體等核心元件，並享受一體化封裝解決方案，這種“一站式”服務模式不僅能降低客戶的綜合採購成本，更能通過技術協同提升產品相容性，同時規避多供應商合作帶來的供應鏈波動風險。這套差異化策略的核心價值，在於讓三星找到了與台積電的“錯位競爭”空間。在資料中心AI晶片等尖端製程主導的市場，三星仍難以撼動台積電的地位；但在汽車電子、物聯網、工業自動化等對成本敏感、需求定製化的領域，三星的成熟工藝、封裝優勢與垂直整合能力形成了合力，逐漸顯現出不可替代的競爭力。結語三星晶圓代工的轉型故事，是一個關於技術挫折、戰略調整和生態重構的複雜敘事。從3nm GAA工藝的慘敗到2nm工藝的攻堅，從客戶流失到多元化的生態系統，從單純追逐最先進製程到發揮垂直整合優勢，三星正在尋找一條不同於台積電的發展路徑。從目前的跡象來看，三星的轉型策略正在顯示出一定成效。汽車半導體訂單的增長、中小型無晶圓廠客戶的湧入、2nm工藝的技術進展，都為公司的努力提供了支撐。但市場信心仍需進一步建立。這一韓國半導體雖仍糾纏於良率與產能的頑疾，但它憑藉戰略創新、技術攻關與生態建構，已然覓得了自己的突圍之徑。這不僅僅是一家企業的蛻變故事，更是整個半導體產業在新科技時代適應、演進與角逐的生動鏡像。 (半導體行業觀察)

馬斯克宣佈建造2nm兆級晶圓廠，不需潔淨室，可在裡面抽雪茄。在最近的一次訪談中，特斯拉和SpaceX 的執行長馬斯克（Elon Musk）提出一個大膽構想，計劃建立一座全新的2 nm半導體製造廠（fab），並聲稱這座工廠將顛覆傳統的無塵室標準，甚至允許在裡面吃漢堡和抽雪茄。馬斯克接受《Moonshots》訪問時表示，現代的無塵室設計存在問題，他認為「他們在這些現代工廠中搞錯了無塵室」。馬斯克的這個構想不僅是對現有半導體製造流程的挑戰，也可能對特斯拉的內部晶片生產造成深遠影響。他強調，特斯拉的2nm工廠將確保晶圓在整個過程中保持嚴格的隔離，以防止油脂或煙霧的污染，並確保晶圓始終得到妥善保護。現代晶圓廠是一個大型的、一體化的製造設施，包括超潔淨的生產潔淨室（用於晶圓加工）；設有真空泵、氣體處理和排氣系統的子晶圓廠層；用於維護和公用設施的專用工具服務走廊；集中式化學品輸送和廢物管理基礎設施；以及用於工作、工程和監控的辦公和控制區域。同時，無塵室本質上是晶圓廠建築內的獨立單元，因為它們與晶圓廠外殼的其他部分完全隔離。潔淨室的潔淨度由ISO 等級標準規定，該標準定義了不同粒徑的顆粒每立方米空氣中的顆粒數量。例如，ISO 1 級潔淨室每立方米空氣中允許最多10 個≥0.1 µm 的顆粒和2 個更大的顆粒；而ISO 2 級潔淨室每立方米空氣中最多允許100 個≥0.1 µm 的顆粒和38 個更大的顆粒。最關鍵的操作——例如EUV 或DUV 微影曝光或先進的閘極形成——都在ISO 1 級和2 級潔淨室中進行。相較之下，ISO 3 級潔淨室每立方米空氣中最多允許1000 個≥0.1 µm 的顆粒，這仍然比典型的晶圓廠環境潔淨得多，並且通常用於對潔淨度要求不高的操作的先進晶圓廠。在ISO 1-3級無塵室環境中吸煙或吃漢堡是絕對禁止的，因為這會產生數億甚至數十億的微粒。事實上，人類一次呼吸就會產生數百萬個微粒以及水分，更不用說細菌或病毒等有機污染物了。因此，即使晶圓和設備隔離措施完美無缺，人類呼吸（更不用說煙霧或食物顆粒）仍然會影響環境，進而影響超靈敏的EUV光刻鏡，甚至可能影響晶圓廠的化學過程。由於污染控制和安全要求，工廠其他區域也禁止飲食和吸煙。理論上，馬斯克可以在辦公區域吃漢堡、抽雪茄，即使在今天，這仍然可行。不過，大多數辦​​公大樓內本來就禁止吸煙。馬斯克嫌三星、台積電“太慢”這並非伊隆馬斯克第一次抨擊代工產業。此前，馬斯克直言三星與台積電等現有供應商進展「過於緩慢」。作為一位習慣於設定看似「不可能完成」目標的企業家，這位億萬富翁如今將目光投向重塑晶片供應鏈，旨在為特斯拉贏得顯著競爭優勢。在與巴倫資本（Baron Capital）的對話中，特斯拉執行長馬斯克表示，公司預計未來晶片需求將爆炸性成長，主要源自於其FSD 技術將加速普及。他估算，特斯拉每年所需的人工智慧（AI）晶片數量將達到驚人的“1 億至2000 億顆”，並直指台積電與三星等代工廠商根本無法滿足如此龐大的需求。馬斯克說：“當前的生產速度顯然不夠快。當我詢問他們新建一座晶圓廠從奠基到投產需要多久時，對方答复稱需五年時間。而在我看來，五年無異於遙遙無期。”這已是馬斯克第三次公開提及自建晶片工廠以滿足特斯拉需求，但此次他首次系統性剖析了當前供應鏈的現實瓶頸：為達到特斯拉所需產能，台積電與三星等廠商已規劃了為期五年的擴充時間表。然而，在馬斯克看來，這是一段「無限長」的等待時間，他期望在短短一至兩年內完成任務。為了實現這一目標，馬斯克提議建立自己的晶片工廠。馬斯克表示：「誠然，從他們的視角看，行動已如閃電般迅捷。但我必須指出，即便如此，晶片產能仍將構成我們發展的關鍵制約因素…… 最終我們或許別無選擇：若想按預期速度實現規模化部署，唯一的路徑就是建造一座超大規模晶圓廠（'TeraFab'）；否則，我們將在Optimus 車輛上駕駛的車輛上，機上顯然，馬斯克正籌劃透過自建晶圓廠，確保特斯拉獲得足夠算力以全面落地車隊級自動駕駛技術。然而，多位分析師對其計劃表露深切疑慮，直指其「根本不可行」。資深分析師丹・尼斯泰特（Dan Nystedt）指出：若真推進該項目，馬斯克恐需將特斯拉巨量資本性支出（CapEx）投入晶圓廠建設；即便資金籌措成功，這些計劃也會因缺乏人才以及尖端芯片知識產權而受阻。有觀點建議，更務實的路徑或許是注資台積電等領先代工廠，助其擴充產能，畢竟，這些供應商向來以「靈活響應客戶需求」著稱。事實上，台積電已為服務全球客戶做出重大策略調整，例如赴美設廠。儘管「TeraFab」構想在股東眼中頗具吸引力，但現實的供應鏈生態與產業壁壘，仍令馬斯克所期冀的產能規模近乎難以企及。(半導體產業縱橫)

歐盟委員會已批准向德國提供6.23億歐元（約合51億人民幣）的國家援助，用於支援德國的兩個新的半導體製造項目，這標誌著歐洲在推進晶片自主權方面又邁出了切實的一步。具體而言，這筆資金將用於支援GlobalFoundries在德累斯頓和X-FAB在埃爾福特營運的兩座全新的、獨一無二的晶圓廠。對於eeNews Europe 的讀者而言，這項決定意義重大，因為它直接影響歐洲未來獲取先進製造業產能的機會，尤其是在汽車、工業、航空航天和人工智慧應用領域。它也揭示了《歐洲晶片法案》下公共資金的流向，以及政策制定者認為那些技術具有戰略關鍵性。援助資金中最大的一筆，即4.95億歐元，將用於支援GlobalFoundries在德累斯頓的“SPRINT”項目。這家總部位於美國的純晶圓代工廠計畫擴建並改造其現有工廠，以新增300毫米晶圓製造產能。這些技術最初是在微電子和通訊技術綜合計畫 (IPCEI) 下開發的，但現在將進行改造，以適應包括航空航天、國防和關鍵基礎設施在內的軍民兩用市場。這意味著要增加特定的安全性和可靠性功能，並確保整個製造過程都在歐洲完成。歐盟委員會表示，歐洲將首次大規模生產這些技術。X-FAB 將獲得 1.28 億歐元的資金，用於其“Fab4Micro”項目。該項目將在其位於埃爾福特的工廠建設一座全新的開放式晶圓代工廠。這座晶圓廠將結合 X-FAB 的 MEMS 技術以及先進的封裝和整合工藝，目標應用領域為汽車、人工智慧和醫療電子。對於歐洲的微電子生態系統而言，更重要的是，該工廠將為無晶圓廠企業（包括目前主要依賴非歐洲晶圓廠的初創企業和中小企業）提供開放式晶圓代工服務。預計將於 2029 年開始商業營運。兩家公司都同意接受與援助相關的多項條件。這些條件包括繼續開展創新工作、支援下一代技術、在供應危機時優先滿足歐盟訂單，以及投資技能和培訓以擴大本地人才儲備。GlobalFoundries 和 X-FAB 也承諾根據《歐洲晶片法》申請成為歐盟開放晶圓代工廠，這一身份雖然會帶來額外的義務，但也鞏固了它們在歐洲供應鏈中的戰略地位。負責清潔、公正和競爭轉型事務的執行副總裁特蕾莎·裡貝拉表示：“開放式晶圓代工廠對於促進歐洲半導體行業的競爭和創新至關重要。這兩項措施將促成兩座歐洲目前尚無的新工廠的建設，有助於減少我們對歐盟以外晶圓代工廠的依賴，並增強歐洲整個行業的韌性。”歐盟委員會根據《歐盟運作條約》第107條第3款(c)項批准了這些措施，並認定該援助是必要、適度且僅限於彌補已證實的資金缺口。這兩項決定是根據《晶片法》框架批准的第十項和第十一項援助，使歐盟迄今為止獲批的半導體製造援助總額達到約132億歐元。最後，2024 年底啟動的全國性招標將兩個德國項目列入首批選擇名單，這表明《晶片法》正在迅速轉化為歐洲各地的具體晶圓廠投資。 (半導體行業觀察)

輝達斥資超過7兆韓元（約合48.6億美元）收購英特爾股份，再次撼動了全球晶圓代工格局。此舉被解讀為輝達正在實現供應鏈多元化的訊號，此前該公司幾乎完全依賴台積電生產人工智慧晶片。隨著台積電正式宣佈2奈米製程工藝量產，三星電子和英特爾也加入競爭，圍繞大型科技公司的晶圓代工競爭正迎來一個重要的轉折點。根據近期行業報告，輝達以每股23.28美元的價格購入了214,776,632股英特爾股票，總投資額達50億美元，約合7.2兆韓元。此次收購使輝達成為英特爾的主要股東，持有約4%的股份。業內人士認為，這筆投資並非簡單的財務決策，而是一項戰略舉措。分析表明，此舉旨在將英特爾的CPU設計技術與輝達的AI能力相結合，同時為未來在晶片生產領域的合作留下空間。目前兩家公司之間尚未簽署任何代工合同。然而，鑑於雙方通過股權投資建立的緊密聯絡，評估認為輝達未來將部分人工智慧晶片生產委託給英特爾的可能性有所增加。尤其值得注意的是，這項投資與美國政府正在進行的“英特爾代工重建”戰略相契合。英特爾已從美國政府獲得57億美元的補貼，並正基於這筆資金準備大規模生產其18A工藝。輝達的這一舉措也符合旨在降低對台積電依賴的供應鏈重組趨勢。隨著人工智慧半導體需求的激增，台積電的先進工藝產能正迅速被大型科技公司的訂單填滿。此外，台灣地區的地緣政治風險以及地震可能造成的生產中斷也加劇了供應鏈多元化的必要性。與此同時，台積電通過量產其2奈米工藝，再次鞏固了其技術領先地位。去年年底，台積電正式宣佈，位於高雄南部南子科技園的Fab 22工廠已開始量產2奈米N2工藝產品。據報導，位於北部新竹科技園寶山Fab 20工廠的量產時間更早。台積電2奈米工藝的核心在於採用比現有工藝更小、更高效的電晶體結構。據評估，該工藝旨在提升性能的同時降低功耗。電源結構也得到了改進，以增強人工智慧計算所需的穩定性和效率。預計產量將從目前的每月5萬片逐步提升。蘋果、AMD和英特爾被認為是首批客戶，輝達隨後採用的可能性也正在增加。這些變化預計將為三星電子帶來機遇和挑戰。這是因為隨著台積電先進製程產能接近極限，三星必須與英特爾競爭日益增長的大型科技公司訂單，市場格局正在形成。今年，三星電子與特斯拉簽署了一份價值23兆韓元的AI晶片供應合同，並成功獲得蘋果iPhone圖像感測器的訂單，這增強了人們對其先進製程的信心。基於2奈米工藝的Exynos 2600移動晶片也有望搭載於明年的Galaxy S26手機中。業內人士評估三星電子2奈米工藝的良率約為50%。一些分析表明，就技術成熟度而言，它領先於仍處於早期階段的英特爾18A工藝。專家指出，“量產能力”是關鍵因素。分析認為，如果三星電子能夠確保良率穩定，而不僅僅是發佈技術公告，它就有可能成為包括輝達在內的大型科技公司客戶的可行替代方案。祥明大學系統半導體工程教授李鐘煥表示：“英特爾的18A工藝在數值上是1.8奈米，但實際上它本質上是2奈米等級的。”他補充道：“關鍵在於量產能力和良率，而不是技術本身。”他評估道：“由於英特爾涉足代工業務的時間並不長，因此很難在實際量產階段確保競爭力。”他還表示：“如果沒有良率保障，就很難承接大型科技公司的訂單。”關於三星電子，他表達了有條件的預期。李教授表示：“三星的2奈米製程目前還不能算是足夠成熟。”但他補充道：“如果三星的2奈米製程能夠實現與台積電持平或更優的量產能力，那麼整個行業格局可能會發生改變。”他指出：“由於2奈米製程目前是最高等級的製程，其良率的穩定必然會吸引輝達等大型科技公司的關注。”他還補充道：“如果Exynos晶片能夠在2奈米製程領域站穩腳跟，將會對代工廠的可靠性和商業可行性都產生積極影響。”他繼續分析道：“這可能是縮小與台積電差距的一個重要轉折點。” (半導體行業觀察)