#PowerVIA
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英特爾先進晶片供電技術：PowerVIA背面供電、HV-IVR整合穩壓器、Coax MIL磁性電感、SuperMIM電容與Foveros三維整合！

🔷從傳統PDN到PowerVIA背面供電，解析高性能處理器供電架構演進 🔷聚焦HV-IVR、磁性電感、高密度電容與Foveros三維整合關鍵技術 系統分析了高性能微處理器面臨的供電挑戰，並介紹了英特爾圍繞片上整合電壓調節器（IVR）、完全片上整合電壓調節器（FIVR）、高壓IVR、PowerVIA背面供電、SuperMIM高密度電容、Coax MIL同軸磁性電感以及Foveros三維封裝開展的技術創新。 隨著摩爾定律進入後Dennard縮放時代，處理器性能提升越來越受到供電網路阻抗、瞬態壓降、互連損耗和功率密度的限制。未來高性能處理器的供電架構，需要從傳統主機板級集中式電壓轉換，逐步向高效率、高功率密度、靠近計算負載的分佈式整合供電演進，並通過先進封裝與三維異構整合進一步最佳化供電路徑。
英特爾先進晶片供電技術：PowerVIA背面供電、HV-IVR整合穩壓器、Coax MIL磁性電感、SuperMIM電容與Foveros三維整合！
科技#英特爾#晶片供電#PowerVIA
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中芯國際突破關鍵技術！

隨著製程節點不斷微縮，繼續依靠傳統的尺寸縮減來維持性能提升變得越來越困難。因此，晶圓代工廠開始轉向結構創新，以緩解製程微縮帶來的瓶頸。 對於那些無法獲得 EUV（極紫外光刻）裝置的中國晶片製造商而言，在進一步實現製程微縮、提升電晶體密度和性能方面面臨更多限制，因此，像背面供電（BSPD）這樣的技術路線正變得越來越重要。 在這一背景下，業內消息人士稱，中國領先的半導體裝置廠商正在加大對中芯國際（SMIC）BSPDN技術研發的支援，目標是將其應用於N7和N5製程。 背面供電是將傳統位於電晶體層上方的供電網路轉移至晶圓背面，通過垂直通孔（如奈米矽通孔）直接為電晶體供電，此舉可顯著提升晶片性能、降低功耗並增加電晶體密度，但也面臨晶圓減薄、散熱管理、工藝複雜性與成本升高等挑戰。
中芯國際突破關鍵技術！
科技#半導體#中芯國際#EUV