剛過去的 4 月末這批新機不得不說，還是挺圓滿的~超高性價比的、Ultra 的、小螢幕的，該有的都有...要說果子印象裡比較深的，可能就數紅米 Turbo 4 Pro 了！要質感有質感、要性能有性能、要續航有續航、要外圍有外圍！關鍵是中國國補後僅需 1699 起的價格，可以說香到爆炸了。而且你們老在後台問果子這機子值得不值得買，跟別家那款機型對比那個更好，搞得果子我實在有點難以回答。畢竟最近發佈的這些新機都不錯~大家只要照著自己的需求，結合預算，就很容易買到適合自己的那款機型了。而且果子這邊還要強調下！這個月，各家同樣有很多新機將要發佈，中、低、高各定位都有。要是追著新機買的小夥伴，可就得做好準備了...要是無所謂最近發佈的新機，那可選的可就多了。像果子，就留意到最近有些機型的價格開始出現鬆動~比如 “ 前熱門選手 ” —— 紅米 K80 ！現在第三方平台結合中國國補只要 1783 就能到手：富餘時間多蹲會，1750 更是分分鐘的事~驍龍 8 Gen3 、6550mAh 電池 90W 閃充、IP68 防護、光影獵人 800 影像等面對現在一眾新機依然有不小的競爭力...這個價位能給到 2K 屏、超聲波指紋、金屬中框玻璃機身更是獨一檔。果子只能說，不愧是 “ 守門員 ” ！就算跟最新的 Turbo 4 Pro 去比，除了電池續航外，在性能、螢幕、影像、外圍上還是要更勝一籌...小 100 的差價，不過分追求續航的話，好像 K80 更香啊~之前跟紅米 K80 打的鼻青臉腫的 iQOO Neo10 現在也降到了差不多的價格...結合中國國補只要 1779 就能買到跟 K80 同樣的驍龍 8 Gen3 晶片，但多一顆自研電競晶片 Q2 ！在遊戲的畫質、流暢度上表現要更好一點~雖說是定位遊戲機型，但 Neo10 其它配置可不弱...維信諾 F1 基材 1.5K 144Hz 8T LTPO 直屏、6100mAh 電池 120W 閃充、後置旗艦同款 5000 萬 IMX921 主攝 + 800 萬超廣角。還有超聲波指紋、X 軸線性馬達、NFC 、立體聲雙揚等外圍。因為在防護跟塑料中框這塊差點意思，所以這款 Neo10 價格相對的也會能再下探一點...多蹲會，是可以做到 1650 拿下的！同期還有火了好一陣子的一加 Ace 5 ，結合中國國補現在 1666 元價格，已經算是跌到冰點了~京東方 X2 基材的 1.5K 120Hz 8T LTPO 直屏、驍龍 8 Gen3 晶片、6400mAh 電池 80W 閃充、IP65 防護...然後後置 5000 萬 IMX906 主攝 + 800 萬超廣 + 200 萬微距。你問果子 Ace 5 為什麼能賣得這麼好吧？上市 100 天累計啟動量破 160 萬台！可能就是剛發佈時降價快、金屬中框玻璃機身外加同期機型算是好看的設計吧。在果子看來，一加 Ace 5 就是一台穩紮穩打、中規中矩的機型~還不如看下上一代的一加 Ace 3 Pro ！同樣是驍龍 8 Gen3 ，但有體驗更好的超薄光學指紋、0916T 大體積線性馬達，而且這代機型在質感這塊也要稍好於 Ace 5 ...6100mAh 電池 100W 閃充也差的不多~現在 16+512GB 疊加中國國補後 1892 元，香吧？果子還看了下 24GB+1TB 的價格，去年賣 4599 元尊貴的陶瓷版...疊加中國國補現在 2400 左右就能拿下，這你們受得了嗎？如果想要大電池的小夥伴，真我 realme 的 Neo7 現在價格也已經降得差不多了...中國國補後 1581 元到手，對於一款搭載比驍龍 8 Gen3 還強的天璣 9300+ 晶片機型來說，性價比已經相當爆炸了！況且還有 7000mAh 超大電池 80W 閃充跟 IP69/IP68 防護...其它配置也不差~像是 1.5K 的 120Hz 8T LTPO 護眼大直屏，支援最高 1600nit 的全域亮度跟全亮度類 DC + 2160Hz PWM 調光。後置 5000 萬 IMX882 OIS 主攝跟 800 萬超廣角，再給到紅外、NFC 、立體聲雙揚、X 軸線性馬達等齊全外圍！除了塑料機身，比 Turbo 4 Pro 還要更便宜的價格，這還不夠香嗎？總的來說吧，有購機意向的小夥伴這個時間點去看看年前或去年年末發佈的機型，在價格上還是能找到一些驚喜的~ (科技狐)

在日前英特爾推出了A14工藝之後，兩大晶圓廠巨頭正式入局這個巔峰之爭。從目前的資料看來，總體而言，他們在架構、EUV光刻和電晶體設計上展開了激烈競爭。首先看台積電，據該公司執行副總裁兼聯席首席營運官Yuh-Jier Mii （米玉傑）博士介紹，當前的發展方向是從FinFET到Nanosheet。除了這些技術之外，垂直堆疊的NFET和PFET器件（稱為CFET）也可能是實現器件微縮的候選方案。除了CFET之外，溝道材料方面也取得了突破，可以進一步實現尺寸微縮和降低功耗。上圖總結了這些進展。米博士報告稱，台積電一直在積極建構矽基CFET器件，以實現更高水平的微縮。台積電在2023年IEDM上展示了其首款柵極間距為48奈米的CFET電晶體。今年在IEDM上，台積電展示了最小的CFET反相器。下圖展示了該器件在高達1.2V電壓下均衡的性能特徵。他解釋說，此次演示在 CFET 技術發展中取得了重要的里程碑，將有助於推動未來的技術擴展。Mii博士報告稱，二維溝道材料電晶體的研究也取得了重大進展。台積電首次展示了類似N2技術的堆疊奈米片架構中單層溝道的電性能。此外，他們還開發了一種採用匹配良好的N溝道和P溝道器件、工作電壓為1V的反相器。下圖總結了這項工作。展望未來，台積電還計畫繼續開發新的互連技術，以提高互連性能。對於銅互連，我們計畫採用新的通孔方案來降低通孔電阻和耦合電容。此外，我們還在開發一種新的銅阻擋層，以降低銅線電阻。除了銅之外，目前正在研究具有氣隙的新型金屬材料，以進一步降低電阻和耦合電容。插層石墨烯是另一種前景廣闊的新型金屬材料，未來有望顯著降低互連延遲。下圖總結了這項工作。英特爾的Turbo Cell英特爾將推出的 14A 工藝節點（計畫於 2027 年進行風險生產）的性能指標，宣稱其功耗將降低高達 35%。英特爾還展示了其全新的 Turbo Cell 技術，這是一種可定製的設計方法，旨在提供最高的 CPU 頻率並提升 GPU 中關鍵速度路徑的性能。14A 和 14A-E 節點是繼 18A 節點之後的新一代節點。英特爾表示，14A 節點的性能功耗比將比 18A 節點提升 15% 至 20%，這可以通過更高的時鐘速度或在相同性能下降低 25% 至 35% 的功耗來實現，具體取決於晶片自身的調校。這一改進很大程度上歸功於英特爾全新的直接接觸式背面供電網路，該公司將其命名為 PowerDirect。英特爾還加入了其他新功能來改進節點，例如更寬的閾值電壓（Vt）範圍，從而實現更廣泛的電壓/頻率曲線。14A 節點的電晶體密度也比 18A 節點提高了 1.3 倍。英特爾還針對 14A 改進了其RibbonFET 電晶體，現在稱為“RibbonFET 2”。英特爾尚未透露新一代 RibbonFET 的細節，但其總體設計通過利用完全被柵極包圍的四層堆疊奈米片（上圖為 nmos 和 pmos 電晶體的橫截面圖），提高了電晶體密度並實現了更快的電晶體切換速度。英特爾全新的 Turbo Cells 功能非常出色，但也略顯複雜。Turbo Cells 用途廣泛，但英特爾特別強調，它們將用於 CPU 和 GPU 的關鍵路徑，通常被稱為“加速路徑”。這是有原因的。處理器內的時序路徑是指訊號在正常運行期間通過導線和邏輯閘傳輸的路徑。然而，這些訊號的延遲可能會中斷處理器的時鐘時序。關鍵路徑是指總延遲最長的路徑。由於處理器基於時鐘訊號運行，因此最慢的關鍵路徑決定了整個晶片的最高頻率極限，從而成為整體性能的瓶頸（不同時鐘域之間存在差異，但總體原則相同）。晶片設計人員通常會在晶片的這些區域使用更高速的電晶體，但這會降低電晶體密度並增加功耗，因為速度更快的電晶體洩漏更大，從而消耗更多功率。全新的 Turbo Cells 為晶片架構師提供了更精細的工具來緩解關鍵路徑問題。英特爾全新的 Turbo Cells 功能非常出色，但也略顯複雜。Turbo Cells 用途廣泛，但英特爾特別強調，它們將用於 CPU 和 GPU 的關鍵路徑，通常被稱為“加速路徑”。這是有原因的。處理器內的時序路徑是指訊號在正常運行期間通過導線和邏輯閘傳輸的路徑。然而，這些訊號的延遲可能會中斷處理器的時鐘時序。關鍵路徑是指總延遲最長的路徑。由於處理器基於時鐘訊號運行，因此最慢的關鍵路徑決定了整個晶片的最高頻率極限，從而成為整體性能的瓶頸（不同時鐘域之間存在差異，但總體原則相同）。晶片設計人員通常會在晶片的這些區域使用更高速的電晶體，但這會降低電晶體密度並增加功耗，因為速度更快的電晶體洩漏更大，從而消耗更多功率。全新的 Turbo Cells 為晶片架構師提供了更精細的工具來緩解關鍵路徑問題。Turbo Cells 旨在通過增加短庫的電晶體驅動電流來提高性能，當它們用於建立雙高庫（兩個標準行的高度）時，同時保持高密度排列以實現最佳面積效率。上圖展示了四種不同的 nmos 和 pmos 奈米帶/奈米片（粉色和綠色）排列方式，它們具有不同的寬度和組態，可針對不同場景最佳化驅動電流。奈米帶的寬度可以調整，也可以單獨合併，形成非常寬的奈米帶，以實現最大的驅動電流輸出。各種選項為設計人員提供了強大的工具包，可用於定製實現。英特爾表示，Turbo Cells 最終可用於將速度更快、功耗更低的單元與同一設計模組內的節能單元混合，從而為任何給定的用例建立功率、性能和面積 (PPA) 的適當平衡。關鍵路徑是最終的瓶頸；可以將其視為鏈條中最薄弱的環節。英特爾的全新 Turbo Cells 旨在通過加速這些路徑來提升處理器的整體性能，但又不會像解決關鍵路徑問題那樣做出妥協。我們得等到 2027 年才能看到其最終效果。High NA EUV，如何抉擇？作為下一代製造競爭的核心，何時使用High NA EUV光刻機也是一個關注點。在半導體新元素的採用方面，台積電多年來一直是先驅，並經常引領潮流。但現在，該公司似乎將放棄在其 A14 工藝中使用高數值孔徑 EUV 光刻裝置，而是採用更傳統的 0.33 數值孔徑 EUV 技術。這一消息是在數值孔徑技術研討會上透露的，台積電高級副總裁Kevin Zhangh在會上宣佈了這一進展。由此可以肯定地說，英特爾代工廠和幾家 DRAM 製造商現在在“技術”上比台積電更具優勢。“台積電將不會使High NA EUV光刻技術來對A14晶片進行圖案化，該晶片的生產計畫於2028年開始。從2奈米到A14，我們不必使用高NA，但我們可以在處理步驟方面繼續保持類似的複雜性。每一代技術，我們都儘量減少掩模數量的增加。這對於提供經濟高效的解決方案至關重要。”台積電的 Kevin Zhang表示。據相關報導，台積電認為高數值孔徑 (NA) 對 A14 工藝無關緊要的主要原因是，使用相關的光刻工具，這家台灣巨頭的成本可能會比傳統的 EUV 方法高出 2.5 倍，這最終將使 A14 節點的生產成本大大提高，這意味著其在消費產品中的應用將變得困難。這家台灣巨頭依賴於晶片設計和產能，但這並不意味著該公司不會在未來的工藝中採用高數值孔徑 EUV，因為它計畫將其用於 A14P 節點。High NA推高成本的另一個原因是，台積電的A14晶片單層設計需要多個光罩，而使用最新的光刻工具只會抬高成本，卻得不到太多好處。相反，通過專注於0.33 NA EUV，台積電可以使用多重曝光技術來保持相同的設計複雜度，而無需High NA EUV的極高精度，最終降低生產成本。但台積電在後來的回應中指出：“台積電會仔細評估諸如新型電晶體結構和新工具等技術創新，並在將其投入量產之前考量其成熟度、成本以及對客戶的效益。台積電計畫首先引入高數值孔徑EUV光刻機用於研發，以開發客戶所需的相關基礎設施和圖案化解決方案，從而推動創新。”英特爾在本周的英特爾 Foundry Direct 2025大會上解釋了其High NA EUV 戰略背後的原理。儘管成本效益方面一直存在質疑，但英特爾仍堅持在其即將推出的 14A 工藝中使用新的高 NA EUV 晶片製造裝置。不過，英特爾尚未完全承諾在生產中使用這款新裝置，但它在 14A 節點上有一個使用標準Low NA EUV 的替代生產流程作為備用方案。英特爾已在其俄勒岡州工廠安裝了第二台高數值孔徑 EUV 光刻機，該公司表示該技術進展順利。然而，由於仍在持續開發中，這台價值約 4 億美元的 ASML Twinscan NXE:5000 高數值孔徑 EUV 光刻機尚未投入生產環境，因此英特爾不會承擔任何風險。英特爾代工技術與製造執行副總裁、首席營運官兼總經理 Naga Chandrasekaran 博士表示：“首先，英特爾仍然可以選擇在我們的 14A 技術上採用Low NA 或High NA 解決方案，並且其設計規則相容，不會對客戶產生任何影響，具體取決於我們選擇的路徑。其次，High NA EUV 的性能符合預期，我們會在合適的時機推出它。”“我們已經掌握了18A和14A的資料，這些資料顯示了我們基於低淨空比的解決方案和基於高淨空比的解決方案之間的收益率平價。因此，我們將繼續在技術方面取得進展，並確保我們擁有合適的選擇，以確保我們交付給客戶的解決方案在我們做出的決策中具有最低的風險和最佳的回報，”Naga解釋道。英特爾將僅在 14A 節點的少數幾個層上使用High NA EUV（具體數量尚不清楚），而其他不同解析度的機器將用於其他層。這意味著兩台機器之間的選擇只會影響製造流程的某些部分，但英特爾表示，使用低 NA EUV（詳見下文）機器進行三重圖案化，而不是使用High NA EUV 機器，可以產生相同的結果。由於這兩種技術都相容設計規則，因此無論英特爾對最終製造流程做出何種決定（無論是否採用HighNA EUV），英特爾的客戶都不必改變他們的設計，這有助於消除客戶對英特爾採用尚未證實的生產技術的擔憂。此外，英特爾聲稱兩種生產流程的良率相同，這意味著即使高數值孔徑 EUV 開發遇到障礙，或者英特爾出於經濟原因選擇不部署該技術，也不會對產品上市時間造成嚴重影響。採用多重曝光通常會降低良率，但英特爾聲稱的良率持平，體現了現代多重曝光技術的進步，尤其是在套刻技術領域。關於高數值孔徑 EUV 的公眾討論大多集中在成本上。業內人士普遍認為，高數值孔徑 EUV 的成本效益不如低數值孔徑 EUV 的多重圖案化技術，但將機器投入生產仍面臨諸多技術障礙。大多數挑戰都集中在實現高數值孔徑 EUV 所需的一系列互補技術上，例如光刻膠、光掩模和計算光刻技術等，這些技術必須針對新機器進行最佳化。然而，英特爾率先採用了 ASML 的機器，以在競爭中佔據優勢，並且在開發階段已使用高數值孔徑光刻技術生產了 3 萬片晶圓。正如一位代表在活動後期解釋的那樣，由於減少了大約 40 個工藝步驟，英特爾仍然實現了顯著的成本節約。最後，我想談談高數值孔徑 EUV。我們為什麼要這麼做？原因很簡單，成本更低。中間這張圖顯示的是用單次高數值孔徑 EUV 生成的圖案，其間距與我們 14A 所需的間距相當。右側顯示的是用傳統方法生成的非常相似的圖案，我們使用了三次 EUV 曝光（三重圖案化），總共經過了大約 40 個工藝步驟來生成該圖案。“所以，總的來說，我們看到了更短、更簡單的流程，這是我們在 14A 中使用高數值孔徑 (High-NA) 的應用類型，與多溝道 0.33 NA EUV（低數值孔徑）相比，這降低了成本。此外，這提供了減少金屬層數量並獲得額外性能增強的選項。”英特爾並未說明其比較是否基於全光罩尺寸的印刷。高數值孔徑 (High-NA) 機器一次只能印刷半個光罩，需要兩次印刷才能製作出一個光罩大小的處理器，並依靠拼接將兩次印刷合二為一，形成一個完整的單元。相比之下，等於或小於半個光罩尺寸的晶片，使用高數值孔徑 EUV 機器只需印刷一次即可。相比之下，低數值孔徑 EUV 機器只需一次印刷即可處理一個全光罩大小的晶片。英特爾在 10nm 節點上遭遇了諸多失敗，最終導致其失去了對台積電的晶片製造領先優勢，而英特爾將 10nm 問題歸咎於同時在新的製造技術和工藝上投入了太多資金。決定開發替代的Low NA生產流程是為了防止重複過去的錯誤，而且英特爾過去也通過開發替代解決方案來降低其他類型進步的風險。例如，該公司在18A節點開發了全新的背面供電系統，這在業界尚屬首創；同時，該公司還開發了環柵電晶體（GAA），這在英特爾歷史上尚屬首創。為了確保有備用方案，該公司對其18A工藝採取了更為穩健的去風險策略，其中包括開發一個內部試驗的、不帶背面供電的工藝節點。然而，由於GAA和背面供電的開發進展順利，英特爾最終推進了18A節點的完整版本。英特爾的競爭對手台積電已確認，不會在其競爭的A14節點上使用高NA技術，並且尚未透露何時將新的高NA EUV裝置投入量產。英特爾最初計畫在其18A工藝中使用高NA技術，該工藝在14A節點之前推出。英特爾後來改變了這些計畫，稱該工藝節點的開發速度出乎意料地快，這意味著裝置無法及時準備就緒。 (半導體材料與工藝裝置)

【導讀】騰訊推出新一代快思考模型混元 Turbo S，將在騰訊元寶逐步灰度上線 大模型領域競爭日趨激烈，騰訊又放出大招！ 2月27日，騰訊混元Turbo S模型在騰訊雲官網上架，開發者和企業使用者可以通過API呼叫，即日起一周內免費試用，同時將逐步在騰訊元寶灰度上線，供使用者使用和體驗。 據介紹，此次升級，最大的亮點是為了讓使用者擁有更好的大模型問答體驗：吐字（回答）速度提升一倍，首字時延降低44%。這相當於“你剛說完問題，它已經準備好開頭了”。

2024年結束了，25年第一天，按照慣例來一波雷科技月度新機前瞻曝光彙總。 雖然往年臨近春節的時間節點，各家手機品牌都會暫時休戰，準備春節後的第一波旗艦超大杯戰爭。不過，受到今年旗艦手機發佈時間提前的影響，不少手機品牌都將後續的產品發佈計畫提前到了今年1月份。 與往年不同的是，今年1月份上市的這批新機中不乏一些暢銷型號的迭代產品，比如REDMI Turbo4、真我14 Pro+等，屬實讓人有點意外。從目前的情況來看，各個品牌似乎打算在年初就先來一場亂鬥，為接下來的超大杯對決做準備。 當然，在臨近春節的時間段發佈新機，肯定也有瞄準春節市場的意思，如果剛拿到年終獎的朋友想給父母小孩買點“年貨”，也是多了不少選擇。接下來，就讓我們先簡單盤一下都有那些手機在今年1月份發佈吧。

隨著比特幣突破十萬美元大關，加密貨幣市場迎來全面爆發，而迷因幣板塊表現尤為亮眼。青蛙主題迷因幣本週異軍突起，整體市值一舉攀升至147億美元，僅24小時內便增加了7億美元。這一熱潮背後，特斯拉CEO馬斯克在社交平台X（Twitter）上發布與「Pepe青蛙」相關推文起到了推波助瀾作用。 隨著市場情緒高漲，Turbo（TURBO）、Pepe Unchained（PEPU）以及剛剛進入預售的Wall Street Pepe（WEPE）成為本輪迷因幣熱潮中主角，吸引了大量投資者目光。 Turbo創歷史新高：AI迷因幣板塊領頭羊 Turbo雖與Pepe幣外觀有所不同，但作為全球首個由AI生成的青蛙迷因幣，它已成功在AI迷因幣板塊中奪得領先地位。Turbo於2023年推出，由GPT-4生成並首次以0.0003172美元價格進入市場。

iQOO Z9 Turbo+新機已經入網，認證資訊顯示該機將配備80W/90W充電頭，手機本體支援80W快充。 其實該機的規格已經非常明了，整體就是此前iQOO Z9 Turbo的換芯版，但這個換芯非常令人期待。 iQOO Z9 Turbo搭載的是第三代驍龍8s處理器，雖然都是第三代，也都是驍龍8，但定位其實並不算高端旗艦。 而iQOO Z9 Turbo+這次卻換上了聯發科天璣9300+，這是目前Android領域的性能天花板。

WienerAI ($WAI)，這款新的AI迷因幣熱潮，在預售中突破了550萬美元大關，引起了加密社群的極大關注。 在籌集了350萬美元後不到兩週內又增加了200萬美元，該項目預計將在預售中大獲成功。 WienerAI結合了人工智慧（AI）和區塊鏈技術的力量，提供了一個獨特的交易平臺，承諾為所有用戶帶來增強的交易體驗。增加其吸引力的是其迷人的臘腸狗吉祥物，為整個項目增添了一絲趣味。 目前，其基於乙太坊的本地代幣$WAI價格為$0.000717，在預售的下一個階段將增加至$0.000718。早期投資者以當前價格購買$WAI，可以期待在其登上全球交易所後獲得巨額收益。問題是，$WAI能否像Turbo (TURBO)那樣大幅上漲？

利用引起加密社區關注的人工智慧的興奮情緒，一款新的AI主題迷因幣WienerAI（$WAI）已經在其預售中籌集了350萬美元。 WienerAI是一款結合了長身短腿狗的可愛魅力與人工智慧和加密貨幣交易領域的交易機器人。 $WAI的價格為$0.000712，但隨著不到兩天的時間即將進入預售的下一階段，這個價格將很快上漲。買家的下一個價格是$0.000713。 然而，目前剩餘的248,000美元即可達到當前階段的374萬8690美元目標，資金流入的速度可能會超過倒計時，所以對於潛在買家來說沒有時間可失。