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台積電中國區負責人表態:先進製程開放有前提,合規是紅線
2025年國際電腦輔助設計大會(ICCAD)上,台積電中國區負責人、南京工廠廠長羅鎮球的一番發言引發廣泛關注。他明確指出:“中國大陸企業可以使用台積電全球最先進的製程技術,但前提是——必須符合當前的出口管制與監管要求。”這看似一句平常的商業聲明,實則揭示了當下全球半導體格局中最敏感的邏輯:技術開放的背後,是地緣政治劃下的不可踰越的邊界線。一. 誰能用?誰不能用?羅鎮球沒有點名,但所有人都知道,這句話的潛台詞清晰指向兩個名字:小米與華為。前者,正在用台積電3nm工藝打造新一代自研晶片“玄戒O1”;後者,自2020年起,便再未獲得任何先進節點的代工服務。區別在那?答案是:是否被列入美國商務部工業與安全域(BIS)的“實體清單”。小米雖曾在2021年被美國國防部列入“與中國軍方相關企業”名單,觸發投資禁令,但這僅限制美國資本持股,並不影響其作為普通客戶採購全球商品和技術。只要不涉及軍事用途、未使用受控EDA工具、不落入外國直接產品規則(FDPR)範疇,小米的設計訂單就仍處於“可製造”區間。而華為不同。自2019年首次被列入實體清單以來,美國對其實施層層加碼的技術圍堵。2020年,FDPR規則被專門修訂,明確要求:任何企業若在生產中使用了美國技術或裝置,為華為製造特定積體電路前,必須取得美方許可。由於台積電的5nm、3nm乃至未來2nm產線,從光刻機到蝕刻裝置,再到設計軟體,無不深度依賴美國企業——ASML背後的美方技術授權、應用材料(Applied Materials)、泛林(Lam Research)、科磊(KLA)等關鍵供應商均受美國管轄——因此,它無法繞開這一規則。於是,麒麟9000成為最後一顆由台積電代工的高端SoC。據科技博主極客灣披露,這款晶片原本還有另一個更強版本:搭載ARM Cortex-X1超大核的高性能方案。但由於X1核心良率低於A77叢集,疊加當時美國封鎖已至,華為為確保產能穩定,最終選擇了更成熟的四核A77架構。那一次選擇,不僅是工程權衡,更是時代縮影——當外部環境不再允許試錯,穩健成了唯一的生存策略。二. 客戶中立?還是規則服從?台積電一直標榜“客戶中立”,聲稱不會因國籍、背景拒絕合作。但現實早已證明:這種中立是有條件的,它的前提是——你不觸碰美國劃定的紅線。換句話說,台積電的技術分配權,表面上掌握在張忠謀與劉德音手中,實際上,卻繫於華盛頓的一紙許可證。其先進製程之所以能向小米開放,是因為小米不在制裁名單;之所以對華為關閉大門,是因為它動用了美國的技術生態。這不是台積電願不願意的問題,而是能不能的問題。正如一位業內分析師所言:“台積電不是不想接華為的單,而是接了就會失去整個西方市場。兩害相權,只能捨棄一邊。”這也解釋了為何即便大陸晶圓廠崛起,台積電仍堅持營運南京工廠——它既是一個生產基地,更是一枚戰略棋子。三. 南京工廠的命運轉折台積電在中國大陸擁有兩座工廠:上海松江的8英吋老廠,以及南京的12英吋主力產線。其中,南京廠自2016年投產以來,主要承接28nm、16nm及部分12nm成熟製程訂單,月產能達6萬片晶圓(含2萬片16/12nm + 4萬片28/22nm),約佔台積電全球總產能的3%。在過去幾年,南京廠曾享有特殊待遇——美國授予其VEU(Validated End-User,終端使用者認證)資格。這意味著,只要客戶不在黑名單上,台積電即可自主供貨,無需逐案申請出口許可,極大提升了交付效率。這一政策,在中芯國際、華虹、積塔等本土廠商尚未完全釋放成熟產能時,起到了關鍵作用。許多大陸設計公司依賴南京廠完成流片,客觀上也延緩了國產替代的節奏。但這一切,在2025年走向終結。美國商務部於當年9月宣佈:撤銷台積電南京工廠的VEU資格,新規自12月31日起生效。此後,所有涉及美國技術的產品出貨,均需提交個案審批。此舉訊號強烈:連成熟製程也不再“寬容”。分析認為,美國此舉並非針對台積電本身,而是反映其對華半導體戰略的整體升級——從前聚焦“卡尖端”,如今轉向“壓整體”。即便你只做28nm,只要可能用於通訊基站、資料中心、自動駕駛等潛在“敏感領域”,都可能面臨審查。四. 緩衝帶失效,國產替代提速過去,南京工廠被視為中美之間的“緩衝帶”:一方面遵守美國法規,切斷對敏感企業的支援;另一方面繼續服務合規客戶,緩解大陸供應鏈壓力,避免激化矛盾。但現在,這個緩衝功能正在弱化。原因有三:1. 中國大陸成熟製程產能已基本成型中芯國際在北京、深圳、天津等地擴產順利,華虹無錫12英吋廠滿載運行,積塔、華潤微等專注特色工藝的企業也在快速填補空白。大陸企業在28nm及以上節點的自給率已超過70%,對外依存度顯著下降。2. VEU的實際價值縮水隨著審查趨嚴,即便有VEU,許多訂單仍需額外說明用途。所謂“綠色通道”,早已名存實亡。3. 美國意圖重塑全球分工通過削弱台積電在大陸的存在感,推動產業鏈進一步向日本、印度、美國本土轉移,壓縮中國獲取先進技術的空間。台灣地區經濟部門評估稱,取消VEU對台積電整體競爭力影響有限,畢竟其核心利潤來自5nm以下先進節點,而這些產線全部位於台灣。但對於中國大陸而言,這是一記提醒:不要幻想依靠外資工廠解決根本問題。真正的安全,只能來自自主可控。五. 後台積電時代:中國晶片的覺醒回望過去五年,華為被斷供曾被視為一場災難;但今天看來,它反而成為中國半導體覺醒的起點。正是在那之後,國家啟動“大基金二期”,地方政府加速佈局,民間資本湧入裝置與材料領域。北方華創、中微公司、拓荊科技、華海清科等一批企業迅速成長,在刻蝕、薄膜沉積、清洗、CMP等環節實現突破。而在製造端,中芯國際在梁孟松帶領下,以非EUV路線實現14nm及N+1/N+2工藝量產,支撐起大批國產高端晶片落地;華虹則憑藉差異化戰略,在功率器件、嵌入式儲存等領域建立優勢。更重要的是,一種新的共識正在形成:我們不需要完全複製台積電,而是要建構適合自己的產業生態。比如張汝京推動的CIDM模式(協同式積體電路製造),就是一條融合IDM與代工優點的新路徑;又如比亞迪、蔚來等車企自建晶片團隊,實現“整車—晶片”垂直整合,打破傳統分工壁壘。開放從來不是理所當然羅鎮球的發言很溫和,但背後的邏輯冰冷而現實:你能走多遠,取決於你有沒有被貼上標籤。台積電願意提供先進製程,但前提是——你要“合規”。問題是,誰來定義“合規”?是市場規則,還是政治意志?歷史已經給出答案。今天的中國晶片產業,不再天真地期待“公平交易”,也不再被動等待“技術施捨”。它正在做的,是把每一次封鎖,轉化為自主創新的動力。因為我們都明白:真正的技術主權,從來不靠別人恩賜,而是靠自己打出來。當有一天,無論有沒有VEU、無論是否被制裁,我們都能穩定產出滿足需求的晶片——那時,才真正掌握了選擇的權利。 (晶片研究室)
美國 “VEU 授權”即將到期,台積電/三星/海力士在中國的路怎麼走?
隨著台積電南京晶圓廠的VEU身份(經驗證終端使用者,是美國在出口管制下的預先授權機制,取消後企業採購美國裝置需逐單申請許可證)將於2025年12月31日到期,該公司已明確了其立場。據MyDrivers和愛極微報導,台積電中國總裁羅永平(Roger Luo)表示,供應鏈仍然是安全的,只要符合監管要求,中國客戶可以通過台積電的全球網路使用先進的工藝,而不僅僅是南京工廠的16nm或28nm生產線,以小米的3nm XRING O1晶片為例,證明中國企業可以在全球範圍內獲得台積電的先進節點產能。同時,羅補充說,台積電正在與供應商協調,以確保材料和裝置的審批。雖然合規變得更加嚴格,但流程仍然可控,南京晶圓廠的營運和供應鏈繼續正常運行。台灣經濟部通過《商業時報》指出,南京工廠約佔該公司全球代工產能的3%。此前的《經濟日報》報導稱,該晶圓廠每月生產約2萬片16/12nm晶圓,每月生產4萬片28/22nm晶圓,主要服務於汽車晶片等專業需求。另外,今年8月,美國商務部突然撤銷了對三星和SK海力士中國工廠的全面VEU授權。當120天的寬限期在12月31日結束時,兩家公司必須從1月1日開始獲得美國的裝置出貨許可。據環球經濟報導,在台積電對南京晶圓廠的穩定性表現出信心的同時,韓國晶片製造商正在中國從擴張轉向生存。報告援引的一位市場專家指出,他們現在優先考慮傳統工藝的產量和利用率上,而不是晶圓廠的升級。三星西安廠生產128/236 層NAND,現在升級V9 (286 層)和投資 50 億美元的西安新廠項目都存在不確定性;海力士無錫DRAM廠投資周期延長至 2025-2030 年;對華年度投資從 6.8 兆韓元縮減至 2.8 兆韓元。 (銳芯聞)
台積電南京工廠被美國政府取消VEU資格 中國國產裝置的機會和挑戰
這是川子沒收到邀請,在持續發脾氣嘛~昨日美國政府已作出決定,將在今年年底前撤銷台積電向其中國南京浦口的16號晶圓廠(Fab 16)出口先進晶片製造裝置的特殊許可。這一決定會致使其美國供應商今後發貨前須單獨獲取政府許可,若未能及時獲批,該廠的營運或受波及。在此之前,台積電曾得益於一項通用審批機制——這得益於其在美國政府那裡的“已驗證終端使用者”(VEU)身份——使得應用材料、KLA、LAM Research等美國企業生產的裝置得以定期發貨而無延誤。一旦新規生效,所有運往該廠的受監管裝置、備件或化學品,均需經過美國單獨的出口審查,且審查將遵循拒絕推定原則。台積電方面稱已接到美國政府通知,自2025年12月31日起,針對台積電南京工廠的VEU授權將被撤銷。該公司表示,目前正評估相關情況並採取相應措施,包括與美國政府溝通,同時將全力保障南京工廠的正常運轉。台積電目前在華營運兩座晶圓廠:一處是上海的200毫米10號廠,另一處為南京浦口的300毫米16號廠。上海的200毫米晶圓廠採用傳統工藝(如150奈米及以下製程)生產晶片,故而未受美國政府監管;與之不同的是,南京的300毫米半導體生產設施採用台積電12奈米FinFET、16奈米FinFET及28奈米級製程,生產汽車晶片、5G射頻元件、消費級SoC等各類晶片。儘管16奈米及以下的邏輯技術約在十年前便已出現,卻仍受美國政府限制。目前南京廠在用的都是非中國國產裝置,ASML的光刻機是工藝基礎,應用材料和LAM Research把控蝕刻、沉積等關鍵環節,KLA的檢測裝置保障良率。台積電南京廠的16奈米工藝依賴ASML的深紫外(DUV)光刻機,例如NXE:3400B等型號。這類裝置通過多重曝光技術實現16奈米線寬的圖形化,是當前成熟製程的主流選擇。儘管中國計畫在2025年Q3試產自研EUV光刻機,但短期內無法替代ASML的DUV裝置。蝕刻裝置採用應用材料和LAM Research,台積電16奈米工藝的高精度蝕刻(如FinFET結構的鰭片刻蝕)依賴其電漿體蝕刻系統,例如應用材料的Centura®和LAM Research的Flex®系列。薄膜沉積:應用材料的PVD(物理氣相沉積)和CVD(化學氣相沉積)裝置用於沉積金屬和介電層,而LAM Research的原子層沉積(ALD)技術則用於高縱橫比結構的薄膜生長。全流程檢測:KLA的裝置覆蓋晶圓缺陷檢測、薄膜厚度量測、關鍵尺寸(CD)量測等環節。例如,Surfscan®系列用於無圖案晶圓的表面缺陷檢測,而Archer®系統則用於光刻後掩膜版的缺陷分析。離子注入:美國Axcelis的裝置用於向矽片注入雜質離子,形成電晶體的源漏極。化學機械拋光(CMP):應用材料的Reflexion®系列裝置用於平坦化晶圓表面,確保多層金屬互連的精度。清洗裝置:日本迪恩士半導體(DNS)和荏原製作所(Ebara)提供濕法清洗裝置,去除晶圓表面顆粒和化學殘留。2024年,台積電淨營收達900.8億美元,其中來自中國客戶的業務佔比11%,約合99.1億美元,這一數額頗為可觀。若缺乏美國裝置,台積電維持南京16號晶圓廠運轉的辦法之一,便是用中國產同類裝置替換部分美國進口裝置。台積電的16奈米製程依賴於美歐企業生產的高精度蝕刻、沉積、光刻、計量及離子注入裝置。儘管中國的中微半導體、芯源微半導體、北方華創、拓荊科技等企業在清洗、沉積、蝕刻裝置領域已有顯著進展,但目前如果提供能滿足台積電商業級16奈米生產所需良率與精度的完整裝置組合還是需要一些磨合。這對中國國產裝置來說是一次機會更是一次挑戰。短期來看最利多的當然是中芯國際! (IT前哨站)