2019年，涉案高達430億的昆明泛亞有色金屬交易所核心資產拍賣。

一位神秘的中國買家，將大量稀散金屬收入囊中。

這場交易在當時並未引起太多關注，直到多年後，全世界開始瘋搶鎵、鍺，其幕後老闆才浮出水面。

德國公司Freiberger最近很上火，隨著中國收緊鎵、鍺的出口管制，它的客戶開始催單，瘋狂囤貨。

作為半導體重要材料砷化鎵的主要玩家，Freiberger是全球最大的金屬鎵買主，而這些鎵幾乎完全依賴從中國進口。

就在西方焦慮的同時，重慶萬州，一座年產150噸、全球單體最大的金屬鎵生產基地，拔地而起。

它的主人，是千里之外，廣東先導科技集團的創始人朱世會。

萬州項目，只是朱世會的大手筆之一。

五年前，泛亞案拍賣上，廣東先導科技公司一鳴驚人，將大量稀散金屬收入囊中，成為最大的買家之一。

鎵、鍺、銦、硒、碲等稀散金屬，雖然沒有稀土名氣大，但它們卻是電子工業不可或缺的關鍵材料，被很多大國列為戰略資源。

從半導體、太陽能、顯示到醫療裝置、航空航天……今天，幾乎所有高科技行業，背後都離不開這些金屬及其化合物。

比如，手機、高鐵和5G基站的氮化鎵功率器件，太陽能、螢幕上的氧化銦錫（ITO）透明導電塗層，紅外、光纖、人造衛星上的鍺等等。

沒有它們，手機不能快充，螢幕無法顯示，就連美軍戰機上的雷達，都得趴窩。

而中國，在這些關鍵金屬上，擁有比稀土更強大的統治力。美國地質調查局的資料：中國生產了全球90%以上的鎵和60%的鍺。

不是老外不想幹，實在是很難辦。

稀散金屬之所以稀缺，是因為它們分佈太散，幾乎都是伴生品，比如鎵是氧化鋁伴生，鍺是鉛鋅、煤炭伴生。

單獨提煉它們，成本高昂，除非它們只是金屬冶煉的副產品。

比如，朱世會能幹成萬州項目，是因為旁邊就守著一個鋁業巨頭九龍萬博，其冶煉過程產生的廢料正好可用來提純鎵。

過去30年，依託中國龐大的金屬冶煉、煤炭加工產業，朱世會領銜的先導科技集團一躍成為中國稀散金屬之王。

根據《羊城晚報》等媒體披露，其硒、碲、銦、鉍產量全球第一，鎵、鍺產量位居前列。

但朱世會的目標並不止於擁有資源。

最近十年，他不斷向中游、下游挺進，先後在薄膜太陽能領域的碲化鎘、顯示領域的ITO靶材上，做到全球第一。

同時，還在廣東清遠，建成全球最大的砷化鎵工廠，擁有近千台晶體生長爐。

這在過去，都是美、日、歐等西方企業的傳統地盤。

朱世會甚至將觸手伸向金屬回收、半導體裝置等領域，打造了一個世界級的稀散金屬產業版圖，其業務遍佈十幾個國家，年產值超過150億元。

這產值與許多行業巨頭相比，不足掛齒。

但它在全球關鍵金屬市場上的統治力，卻令外媒和業內人士驚嘆。

倫敦關鍵礦產國際聯盟負責人表示：“在關鍵礦產行業的各個角落，像先導這樣的公司長期被忽視了。”

彭博社則驚呼：鮮為人知的中國金屬巨頭，統治全球市場！

朱世會出生於安徽蚌埠，他闖入稀散金屬行業，是一場因緣際會。

1993年，從廣州外國語學院英語系畢業的他，被分到廣東省對外經濟發展公司，擔任業務員，在工作中接觸到稀散金屬，並行現：

由於西方壟斷了高純度稀散金屬及其化合物的核心技術，中國只能低價出口原材料，在國外提煉加工後，再高價買回來。

這讓他看到了機會，並決心改變這一格局。

為此，這個英語系畢業、純屬外行的年輕人，放棄了安穩的體制內工作，加入日本住友商事。

日本住友，在全球特種金屬行業，地位舉足輕重。

朱世會在那裡幹了7年，拚命學習產業鏈知識，從礦石開採到金屬提純，再到產品銷售……

同時，還在廣州籌備先導稀材，開始自己的創業生涯。

彼時，中國稀散金屬市場還未打開，產業鏈也不成熟，先導只能從利潤很低的中低端產品做起，條件艱苦。

為了控製成本，2003年朱世會將工廠從廣州搬到了清遠，專注於硒、碲、鉍、鎘等稀散金屬的生產提純業務。

10畝地、1間房、4台氧化硒爐子、20餘名員工……這是當時先導稀材的全部家當。

此後，他一邊向各大冶煉企業“眾籌”原料，比如向銅生產商尋求碲和硒，向鋁生產商尋求鎵，向鋅生產商尋求銦，一邊努力打破中國只能出口初級原材料的現狀，向深加工的高附加值產品挺進。

這些產品的核心技術，過去長期把持在歐美日等西方大企業手中。

朱世會於是一手找資金，一手抓人才，邀請中國外一流專家持續科研攻關。

這種投入，讓先導在創業初期，面臨巨大的資金壓力。但多年闖蕩稀散金屬行業的經歷，讓朱世會相信這個行業巨大的潛力。

這種遠見，經過時間的打磨，最終變成了現實。

2009年，隨著太陽能產業的崛起，先導稀材迎來第一個爆發點。

在中國太陽能首富們，城頭變幻大王旗的熱鬧中，朱世會隱身其後，為太陽能電池提供吸光材料碲化鎘，並成為世界第一。

嘗到甜頭的朱世會，此後又大步向半導體等產業挺進。

他組建先導科技集團，旗下先導電科，則重點向濺射靶材領域拓展。

靶材是太陽能、顯示、半導體等產業不可或缺的材料，而且大多是稀散金屬的化合物，比如砷化鎵、氧化銦錫（ITO）等。

朱世會一方面依託中國，研究並生產高端濺射靶材，成立了行業唯一的國家稀散金屬工程技術研究中心，並在徐州打造中國唯一的磁儲存靶材工廠，在廣東清遠建成全球最大的砷化鎵工廠。

另一方面，他還通過跨國併購，拿下比利時優美科、韓國三星康寧靶材事業部，打破國外在高端ITO靶材上的壟斷地位。

截至2023年，中國材料領域70余項卡脖子技術難題，13項已被先導科技集團攻克並實現產業化。

這也讓先導不只是稀散金屬材料巨頭，也是材料科技巨頭。

57歲的朱世會，極少出現在媒體鏡頭前。

但在其認準的賽道內，他卻是個絕對的狠角色。

過去十幾年，他累計發動了不下十起併購案，從中國到海外，覆蓋產業鏈上游、中游和下游。

僅在德國，他就併購了生產半導體真空鍍膜機的FHR公司，以及負責材料加工回收的PPM公司。

對比利時優美科，以及韓國三星康寧靶材業務的收購，則一舉奠定了先導在ITO靶材全球第一的地位。

進入2024年，朱世會更是動作頻頻。

他先是一個蛇吞象的操作，將先導電科的資產，注入自家上市公司光智科技，使其股價暴漲近7倍。

緊接著，又豪擲25億元，入主半導體裝置公司萬業企業。

併購是企業做大做強和產業走向成熟的必由之路。

中國稀土產業，過去因為集中度太低，曾上演手握壟斷權，卻慘遭賤賣的命運。

2021年，國家組建中國稀土集團，就是為了提高產業集中度，牢牢掌控全球稀土產業的定價權。

與稀土相比，稀散金屬領域沒那麼寬，這使得朱世會有機會通過自主發展和併購，打通全產業鏈，掌握主動權。

對歐美同行來講，朱世會最令他們忌憚的，還不是併購。

2019年，昆明泛亞交易所涉案破產。

整個行業都在擔心，大量拍賣的稀散金屬，將淹沒全球市場，引發價格雪崩。

就在人們猶豫、觀望之際，朱世會投入巨資，將大量稀散金屬收入囊中，成為這場拍賣最大的買家之一。

稀散金屬在歷史上，價格波動很大，許多公司曾在這種劇烈的動盪中損失慘重，因而投鼠忌器。

這位中國企業家，一直願意在高度波動的市場中，承擔巨大的風險。這使得歐洲和美國的競爭對手很難效仿。

但朱世會並不認為，自己是在賭博。

30年來，他始終相信稀散金屬業務的光明前景，並不斷從資源和技術上建立自己的優勢，進而有了今天既有偶然也有必然的關鍵地位。

中國一樣能卡美國晶片的脖子，只是還沒有真正動手

最近幾年，全球晶片行業的競爭愈演愈烈，尤其是中國和美國之間的科技博弈，已經從幕後走到了台前。

美國對中國的晶片封鎖動作頻頻，禁運AI晶片、限制半導體裝置出口，甚至連晶片設計所需的EDA工具都被列入黑名單，試圖通過一系列組合拳遏制中國的科技發展。

然而，很多人可能忽略了一個事實：中國同樣擁有可以掐住美國晶片產業咽喉的“殺手鐧”——關鍵資源。

如果中國選擇反制，美國的晶片產業鏈也會面臨巨大的衝擊。

其實，所謂的“晶片封鎖”並不是單方面的。

美國之所以敢於對中國晶片產業進行打壓，背後有其自信的技術和資源優勢。

比如，全球晶片市場的核心技術，包括EDA設計工具、半導體裝置和材料等，幾乎都被美國及其盟友壟斷。

然而，中國並非毫無還手之力。

在晶片製造的上游產業鏈中，中國掌握著全球絕大部分的稀有資源，這些資源對於晶片的生產至關重要。

換句話說，中國有能力卡住美國的“晶片脖子”，只不過目前還沒有真正出手。

鎵，或許並不為普通人所熟知，但它在晶片產業中的作用至關重要。

鎵是生產GaN（氮化鎵）和GaAs（砷化鎵）晶片的關鍵材料，這類晶片在高頻、高性能領域表現出色，廣泛應用於5G基站、衛星通訊、國防等高科技領域。

中國佔全球鎵產量的98%，而美國幾乎不生產鎵，完全依賴進口。

一旦中國對鎵的出口進行限制，美國的高端晶片生產將面臨巨大危機。

鎵不僅僅是晶片的關鍵材料，它在很多尖端科技領域都有廣泛應用，比如激光雷達、衛星和國防工業的電子裝置等。

可以說，鎵是美國國防工業的命脈之一。

如果中國選擇卡住鎵的出口，美國在國防和科技領域的很多項目都將受到影響。

因此，鎵無疑是中國反制美國的一個“利器”。

與鎵類似，鍺也是晶片產業的關鍵材料之一。

它主要用於製造高速電晶體、紅外探測器、通訊系統和雷達系統等高端裝置。

全球鍺產量的60%由中國提供，而美國的鍺消費中有80%依賴進口，其中大部分來自中國。

令人頭疼的是，鍺幾乎沒有可以替代的材料，一旦缺乏鍺，很多高端裝置的性能將大幅下降。

鍺的提煉技術複雜，成本高昂，全球範圍內能夠高效提煉鍺的國家屈指可數。

美國如果失去中國的鍺供應，短時間內根本無法找到替代資源。

對於美國來說，鍺不僅僅是晶片生產中的重要材料，更是很多軍事裝置中不可或缺的一部分。

因此，鍺的戰略意義不亞於鎵，一旦中國對鍺實施出口管制，美國的高端科技裝置將立刻面臨“斷供”的風險。

鈀與硅：半導體產業的“生命線”

除了鎵和鍺，鈀和硅也是晶片生產中的核心材料。

鈀被廣泛用於晶片和電路板之間的連接，鈀鍍層能夠大幅提升晶片的使用壽命和可靠性。

而在鈀的生產上，美國自產鈀的比例僅佔全球的5%，84%的鈀都依賴進口。

而中國則是美國鈀的重要供應國。

如果中國限制鈀的出口，美國的晶片生產將面臨巨大的供應鏈危機。

硅是所有矽基晶片的原料，幾乎所有的電子裝置晶片都是基於硅材料製造的。

中國佔全球原硅產量的79%，而半導體所需的高純度多晶硅，中國也貢獻了75%的產量。

硅的供應鏈一旦被中國卡住，不僅僅是美國，全球的晶片產業都會受到衝擊。

晶片製造是一個高度依賴供應鏈的行業，任何一個環節出現問題，都會導致整個生產鏈的停滯。

除了鎵、鍺、鈀、硅這些材料，稀土也是中國手中的一張王牌。

稀土被稱為“工業維生素”，廣泛應用於各種高科技領域，包括新能源、智慧型手機、導彈、雷射器等產品。

全球70%的稀土產量來自中國，而中國的稀土儲量也佔全球的絕大部分。

美國雖然也有稀土資源，但因為開採成本高、環保要求嚴格，無法滿足自身需求，長期依賴從中國進口。

稀土的出口限制話題，早在多年之前就被提及過。

雖然目前中國並沒有對稀土的出口進行全面限制，但一旦中國對稀土出口說“不”，美國的高科技產業將面臨巨大的供應鏈挑戰。

無論是新能源汽車，還是智能裝置，都離不開稀土的支援。

可以說，稀土是中國在科技領域的戰略資源，也是中國在全球科技競爭中的一項重要“底牌”。

結語：中美“晶片戰”還沒到最後時刻

從鎵、鍺、鈀、硅到稀土，中國掌握著全球晶片產業鏈的上游資源。

雖然美國憑藉其技術優勢，試圖通過限制高端晶片和裝置的出口來打壓中國，但中國同樣可以通過控制這些關鍵資源，反制美國的晶片產業。

中美之間的科技博弈，遠未到最後時刻。

雙方其實都在為未來的談判保留餘地，沒有誰真正走到“魚死網破”的地步。

中國有能力卡住美國的“晶片脖子”，但目前還沒有真正動手。

未來的科技競爭，將不僅僅是技術的比拚，更是資源的博弈。

中美誰能在這場博弈中佔據主動，還要看雙方如何出牌。    (職著而已)

根據《科創板日報》10月24日消息，晶片大廠三安光電宣布，旗下子公司湖南三安8吋碳化矽基板已完成開發，產品進入小批量生產及送樣階段。

消息一公佈很快就得到市場的回饋，10月25日三安光電股票馬上跳漲1.94%。之所以大漲在於涉及一個關鍵因素──碳化矽！

熟悉半導體產業的，知道碳化矽被稱為“第三代半導體材料”，也是最近幾年半導體產業異常火熱的小風口。今天就跟大家一起詳細探討碳化矽。

一、為什麼碳化矽是第三代半導體材料

碳化矽（SiC）是由矽（Si）和碳（C）組成的化合物半導體材料。其結合力非常強，在熱、化學、機械方面都非常穩定。SiC存在各種多型體（多晶型體），它們的物理特性值各有不同。4H-SiC最適用於功率元件。

碳化矽作為第三代半導體材料的典型代表，也是目前晶體生產技術和裝置製造水準最成熟，應用最廣泛的寬禁帶半導體材料之一，目前已經形成了全球的材料、裝置和應用產業鏈。

二、第一代到第三代半導體材料

根據半導體材料的能隙寬度，可分為三代：

第一代半導體：以矽（Si）為代表，能隙寬度約為1.1電子伏特（eV），適用於低壓低頻的場合，如微處理器、記憶體等。

第二代半導體：以砷化鎵（GaAs）為代表，能隙寬度約1.4 eV，適用於中壓中頻的場合，如雷射、太陽能電池等。

第三代半導體：以碳化矽（SiC）為代表，能隙寬度大於2eV，適用於高壓高頻的場合，如功率元件、射頻元件等。

第三代半導體碳化矽相比於前兩代，主要有以下優點：

1.高能隙：能隙寬度為3.26eV，是矽的3倍，可以承受高達10kV的電壓，適合高壓場合；從而提高了半導體的耐壓性和穩定性。

2.高熱導率：熱導率為4.9 W/cm·K，是矽的3倍，可以有效地將熱量從晶片內部傳導到外部，適合高溫場合；有效降低了散熱系統的成本和複雜度。

3.高電子飽和漂移速率：電子飽和漂移速率為2.7×10^7cm/s，是矽的2倍，可實現高頻開關和低導通損耗，適合高頻場合；因而提高了半導體的效率和頻寬。

隨著半導體製程要求越來越高，穩定性、降低散熱成本、提高效率，這正是目前第一、二代半導體矽和砷化鎵亟待優化解決的問題。因此，碳化矽作為第三代半導體實至名歸。

碳化矽由於其優異的物理特性，被廣泛應用於高溫、高功率、高壓、高頻等領域，如：

電動車：碳化矽可用於電動車的電力轉換器、充電器、逆變器等零件，提高了能量轉換效率和續航里程，降低了體積和重量。

通訊：碳化矽可用於通訊基地台的射頻功率放大器、濾波器等零件，提高了訊號品質和覆蓋範圍，降低了乾擾和功耗。

能源：碳化矽可用於風力發電、太陽能發電、智慧電網等領域的功率變換器、開關等零件，提高了再生能源的利用率和穩定性，降低了成本和污染。

工業：碳化矽可用於工業驅動、焊接、雷射切割等領域的功率模組、整流橋等零件，提高了設備的性能和可靠性，降低了維護和故障率。

五：中國碳化矽產業應用與發展

隨著新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等下游市場的快速爆發，中國的碳化矽（SiC）功率元件市場規模正在迅速擴大。

從產業鏈來看，碳化矽（SiC）產業鏈條較長，涉及基板、外延、裝置設計、裝置製造和封測等一系列環節，其中，碳化矽基板和外延片的價值佔超過一半，基板成本最大，佔比達47%；其次是外延成本佔比為23%，成為決定碳化矽元件品質的關鍵。

根據TrendForce集邦諮詢統計，以2022年應用結構來看，光伏儲能為中國碳化矽（SiC）市場最大應用場景，佔比約38.9%，接續為汽車、工業以及充電樁等。當然，汽車市場作為未來發展主軸，即將超越光伏儲能應用，其市佔率至2026年可望攀升至60.1%。

2023年，中國化合物半導體產業實現歷史性突破。先前中國碳化矽材料僅佔全球約5%的產能，然而業界樂觀預計，2024年中國碳化矽晶圓在全球的佔比可望達到50%。

天嶽先進、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化矽晶圓/基板產能，目前這些中國企業每月的總產能約為6萬片。隨著各公司產能釋放，預計2024年月產能將達12萬片，年產能150萬片。

根據產業消息和市調機構的統計，此前天嶽先進、天科合達合計佔據全球5%的市場份額，而全球四大碳化矽領先廠商的份額要大得多，其中Wolfspeed佔比60% ， Coherent佔15%，羅姆電子佔13%，SK Siltron佔5%。

業界稱，先前不少海外研究機構對中國企業的製造能力表示懷疑，然而近期博世、意法半導體、英飛凌等都與中國企業簽訂碳化矽合約，足以證明中國在供應鏈中的地位快速提升。

今年5月，天嶽先進、天科合達兩大廠商均在其官微宣布，與國際半導體大廠英飛凌簽訂了供貨協議。根據協議，天科合達和天嶽先進將為英飛凌供應用於生產SiC半導體的6英寸（150mm）碳化矽晶圓和晶錠，兩家企業的供應量均將占到英飛凌未來長期預測需求的兩位數份額。未來也將提供200mm直徑碳化矽材料，協助英飛凌向200mm直徑晶圓的過渡。

今年6月，義法半導體在官網宣布，將同三安光電在中國重慶建立一個新的8吋碳化矽元件合資製造廠。新的SiC製造廠計劃於2025年第四季開始生產，預計2028年全面落成，屆時將更能支持中國的汽車電氣化、工業電力和能源等應用日益增長的需求。同時，三安光電將利用自有SiC襯底工藝，單獨建造和運營一個新的8英寸SiC襯底製造廠，以滿足該合資廠的襯底需求。

分析師表示，目前全球市場主要使用150mm碳化矽晶圓，預計2024年隨著製造商的擴產，產品價格將明顯下滑，這將給競爭力較弱的製造商帶來挑戰。

根據TrendForce諮詢先前研究，從產業結構來看，中國的SiC功率半導體產值以功率元件業(包含Fabless、IDM以及Foundry)佔比最高，達42.4%，接續為襯底片製造業及外延片製造業。

對於碳化矽（SiC）基板及外延材料環節，中國廠商已逐漸贏得海外領先業者的認可，尤其體現在外延片環節。須留意的是，在碳化矽（SiC）晶體厚度與一致性指標上，本土廠商仍需付出諸多努力，以期實現在汽車電驅系統等更多高端場景中的應用。目前中國正展開大規模的SiC材料擴產行動，預估2023年中國N-Type SiC襯底產能(折合6吋)可達1020Kpcs，其中以天科合達份額續居首位。

如今，無論是上游材料、晶圓代工廠、裝置、封裝，國內在碳化矽（SiC）的各個細分供應鏈環節都已有玩家在積極參與。但目前海外廠商在碳化矽領域仍佔先發優勢，國內企業仍在起步階段，技術不斷追趕同時產能尚在爬坡。雖然市場產銷兩旺，但中國碳化矽功率元件仍處於早期階段，如何降低成本、穩定品質、提升良率，是國產碳化矽功率半導體大規模應用的關鍵。

因此，2023年中國襯底材料產業競爭格局將會是多面向共同發展，競爭將更加激烈且更加複雜。研發能力強、生產設備尖端，優質企業實力逐漸提升等將是未來競爭的關鍵因素。（飆叔科技洞察）

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