市場反彈之際，全球儲存晶片股成為先鋒。隔夜，美股儲存巨頭閃迪暴漲近12%，股價創下了歷史新高；今天，韓國SK海力士暴漲逾7%，首次站上110萬韓元關口。這股熱潮也順利傳導A股，儲存晶片類股出現多股漲停，有個股盤中創歷史新高。其中，半導體裝置ETF易方達(159558)今日上漲3.27%，近5日漲幅11.9%。01. 業績驗證持續火熱的儲存晶片漲價潮，在業績期得到了驗證。根據相關上市企業披露的資料，儲存分銷龍頭香農芯創預計2026年Q1歸母淨利潤11.4億至14.8億元，同比增長6714%至8747%，一個季度的盈利就達到2025年全年的兩倍還多，創下A股一季報預增紀錄新高；德明利預計Q1歸母淨利潤31.5億至36.5億元，由上年同期虧損6908.77萬元轉為巨額盈利，營收同比增長483%至523%；海外方面，三星電子Q1營業利潤同比大增755%至約57.2兆韓元，銷售額同比增68.1%，雙雙創歷史新高。SK海力士在投資者會議上表示，記憶體市場已轉向賣方市場，公司庫存僅約4周，難以滿足全部客戶需求。而且，這場漲價潮並沒有消退的跡象。據TrendForce集邦諮詢資料，進入Q2，儲存價格仍在上行，預計DRAM環比漲58%至63%，NAND Flash環比漲70%至75%。三星電子Q1將DRAM合約價上調100%後，Q2再度上漲30%，兩季度合計漲幅高達130%。同時，另外一條關於儲存晶片行業的重要新聞也刷屏了。閃迪已開始與材料、元件和裝置合作夥伴接洽，以建構HBF（高頻寬快閃記憶體）原型生產線的生態系統，計畫於2026年下半年推出原型產品，目標在2027年實現商業化量產，試點生產線預計下半年建成並在年底前後投入營運。作為AI算力的核心儲存（HBM），閃迪HBF的產線建設也是AI需求持續高位的證據。更重要的是，這場起於儲存領域的漲價潮，正在蔓延至全產業鏈。從上游儲存晶片、模擬晶片、功率器件，到中游晶圓代工、封測，再到下游雲端運算、資料中心和消費電子產品，數十家廠商密集發佈漲價通知，部分品類漲幅超過100%。儲存封測端也出現產能滿載跡象，力成、華東、南茂等儲存封測廠訂單湧進，產能利用率直逼滿載，近期陸續調升封測價格，漲幅上看三成。雲端運算方面，阿里雲、百度智能雲將於4月18日起同步上調AI算力及儲存產品價格，最高漲幅達34%。02. 傳導路徑儲存晶片持續漲價，對整個半導體類股的傳導路徑非常清晰：漲價潮→企業盈利改善→擴產意願增強→資本開支增加→裝置、原材料、零部件、配套等訂單增加其中，對於裝置類股的傳導邏輯，主要集中在資本開支增加和裝置訂單加速這個環節。外資報告也指出，中國儲存廠商正積極推動產能擴張，以DRAM為例，上海有新建HBM產線，合肥三期擴建工程也同期推進，武漢三期晶圓廠也計畫在2026年擴建，2026年儲存擴產總量預計超過12萬片。有研究機構更直白地指出，本輪行業上行的核心驅動力來自DRAM與HBM投資超預期及中國市場的持續擴產，AI基礎設施的裝置需求正在從高端邏輯晶片向儲存、先進封裝等環節持續傳導。就以閃迪HBF原型產線建設為例，HBM生產涉及TSV矽通孔和堆疊封裝，需要混合鍵合裝置、電鍍裝置、晶圓減薄裝置等先進封裝裝置的支撐，這些裝置成為延續晶片性能提升的關鍵。而SEMICON China 2026中，集中發佈的混合鍵合、TSV、Chiplet、HBM相關裝置與材料，成為支撐AI算力晶片先進封裝需求，幫助國內先進封裝產業與國際接軌的重要事件。目前，儲存正從傳統周期品演化為AI基礎設施中的核心戰略資源，HBM新產線的建設，正帶動相關半導體裝置的訂單增長。另外，不能忽略的一個重要邏輯，在於國產化。統計資料（口徑或有差異）顯示，中國大陸使用本土半導體製造裝置的佔比，已從2024年的25%提升至2025年的35%，這種趨勢正深刻影響國產半導體裝置企業的訂單增長。以DRAM裝置為，其在地化比率提升，將成為2026年中國本土裝置商的重要訂單動能來源，先進邏輯製程裝置市佔率有望於2027至2028年進一步提升。日系外資報告則全面上修中國半導體裝置市場需求，將2025至2027年中國SPE市場規模上修5%至14%，預估達540億至600億美元，主因是儲存與先進邏輯製程擴產需求強勁。二級市場上，半導體裝置ETF易方達(159558)近60日資金淨流入28.63億元，最新規模49.92億元，年初至今日均成交額2.8億元，場內交投活躍、流動性高。半導體裝置ETF易方達(159558)跟蹤中證半導體材料裝置主題指數，裝置權重佔比高達64.3%，材料佔比約22.5%，兩者合計86.8%，覆蓋光刻機、蝕刻機、薄膜沉積等關鍵裝置及矽片、光刻膠等核心材料，剔除低毛利環節，相比全產業鏈，彈性大。從過往表現看，半導體裝置ETF易方達(159558)標的指數近一年漲幅72.83%，跑贏滬深300指數及多數行業指數。半導體裝置ETF易方達聯接基金(A/C:021893/021894)為場外佈局半導體的投資者提供了便捷工具。03. 底層驅動2026年開年以來，半導體裝置類股持續走強，成為資本市場最受關注的賽道之一。這背後，是全球半導體裝置銷售額連續三年創新高，更是AI算力需求爆發、國產替代加速，以及半導體裝置在產業鏈中的獨特屬性驅動。先說需求。當前全球半導體裝置市場的景氣上行，根本驅動力只有一個—AI。現階段，AI算力需求正從模型訓練向推理應用遷移，推理場景對低延遲、高頻寬的要求更高，直接推高了高性能計算晶片和HBM儲存的需求。2026年HBM市場規模預計同比增長58%至546億美元，三星、SK海力士、美光三大原廠已將約70%新增產能傾斜至HBM，帶動刻蝕、薄膜沉積等前道裝置需求同步擴張。台積電2026年資本支出大幅上調至520億至560億美元，明確釋放了全球先進製程擴產的強烈訊號。AI產業的增長空間廣闊、周期長，是裝置需求最重要也最長期的壓艙石。再說，回到國內，疊加多了一層國產化需求。統計資料顯示，2025年國內半導體裝置企業整體訂單金額同比增長80%，部分頭部廠商的訂單排期已經延伸至2027年。其中，北方華創裝置訂單超150億元，排期至2027年；中微公司刻蝕裝置訂單超45億元，5nm裝置排期至2027年一季度；拓荊科技薄膜沉積裝置訂單超50億元，排期至2027年二季度。政策層面的支援力度也在持續。大基金三期正加速流向半導體裝置、材料等上游核心環節，註冊資本高達3440億元，規模遠超一期和二期總和。工信部發佈《半導體裝置產業發展指引》，對國產裝置進入晶圓廠產線的企業給予最高15%的採購補貼。如果說全球AI需求是β，那麼國產替代就是A股半導體裝置類股強α。最後說到，半導體裝置有著“賣鏟人”的獨特屬性。無論下游的晶片設計格局如何變化，無論那家晶圓廠的製程技術領先，要製造晶片，就必須採購刻蝕機、薄膜沉積裝置、清洗裝置、測試裝置，這是繞不開的剛需。更重要的是，隨著晶片製程微縮逼近物理極限，先進封裝成了延續晶片性能提升的關鍵。HBM需要TSV矽通孔和堆疊封裝，AI晶片需要2.5D/3D封裝，這進一步擴大了“賣鏟人”的市場空間。04. 結語儲存晶片業績爆發、全產業鏈漲價、HBM需求激增等訊號，驗證了半導體市場的景氣度，AI需求則為半導體市場注入了長期增長的邏輯。國產化率突破35%且仍在提升，頭部裝置廠商訂單排期延伸至2027年，則推動了半導體裝置行業的發展。投資者應持續跟蹤SEMI裝置銷售額、國產化率季度變化、晶圓廠資本開支公告以及頭部裝置企業訂單交付節奏等關鍵變數，並在當中尋找到合適的機會。 (格隆)
