儲存漲瘋了！2026年5月6日，韓國儲存雙雄SK海力士、三星電子續創歷史新高；港股$兆易創新 (03986.HK)$、$瀾起科技 (06809.HK)$也強勢發力，上市以來一路猛衝；隔夜美股市場，$美光科技 (MU.US)$、$閃迪 (SNDK.US)$、$威騰電子(WDC.US)$等同樣刷新歷史高點。
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交銀國際研究認爲，當前全球儲存芯片行業正經歷本世紀以來最強勁的上行周期，周期強度高於此前幾輪上行周期，上行周期至少將持續至2027年第一季度。行業經過長期整合後，供給端高度集中，疊加AI帶來的結構性需求增量，使得本輪周期的持續性和強度均顯著超越以往。
新高之後，儲存還能不能繼續關注？本文將詳細拆解儲存瘋漲背後的邏輯：
一、史詩級供需錯配，引發超級漲價周期
需求端：AI引爆結構性需求，Token消耗量揭示恐怖增量
本輪超級周期的根本驅動力，源於AI大模型技術的超預期迭代與商業化落地，這催生了指數級的數據儲存、處理和檢索需求。儲存芯片，特別是HBM（高帶寬內存）、高性能DRAM和企業級SSD，已從傳統的數據倉庫角色，轉變爲決定AI算力效率的關鍵「瓶頸」組件。單台AI服務器對DRAM和NAND的需求量可達傳統服務器的數倍，直接開啓了儲存需求的超級周期。另外Token消耗的爆炸式增長，直接且實時地轉化爲對算力及背後儲存資源的巨量消耗，彰顯出底層需求的真實性與旺盛程度。
供給端：產能「三重擠壓」與擴產「有心無力」，短期剛性凸顯
與洶涌的需求形成鮮明對比的，是供給端在多方面制約下表現出的驚人「剛性」，短期產能釋放面臨多重阻礙。
經歷了上一輪周期因過度擴產導致的嚴重虧損後，主要廠商在本輪上行周期中表現得極爲剋制。在有限的總產能下，原廠正將資源向高利潤的HBM和DDR5產品線全力傾斜，這不可避免地對消費級及通用型儲存芯片的產能造成了嚴重擠壓。導致供需缺口從AI領域迅速蔓延至整個儲存市場，引發全品類漲價。
多家市場機構預測，2026年儲存價格整體將延續上漲趨勢。此輪漲價已從最初的HBM、企業級SSD等高端產品，擴散至消費級DRAM和NAND Flash。據TrendForce等機構預估，第二季度DRAM合約價環比漲幅可能超過50%，NAND Flash漲幅更爲顯著。花旗報告更是指出，儲存市場的緊張狀況可能使漲價周期延續至2027年。
二、科技巨頭燒錢如火如荼，龍頭股「真金白銀」盈利
全球科技巨頭正在掀起一場前所未有的AI資本開支競賽。Meta、谷歌、微軟等全球科技巨頭近期披露的業績紛紛繼續上調AI資本開支預期。美銀證券預計2026年全球超大規模雲計算商資本開支將超過8000億美元。這些巨頭爲了爭奪基礎算力資源，紛紛與儲存供應商簽訂長期合約，進一步鎖定了有限的產能資源。
美股儲存巨頭$閃迪 (SNDK.US)$已簽訂長協鎖定至2027財年超33%的產能，獲得超110億美元財務擔保與420億美元最低合同收入，其數據中心業務環比暴增233%。
三星電子一季度營業利潤同比增長474.3%，單季銷售額首次突破130兆韓元大關，同比增長68%；營業利潤約57.2兆韓元，同比暴增755%。
SK海力士同期單季淨利潤同比增長398%，達到40.33兆韓元，大超分析師預期的29.39兆韓元。第一季度DRAM平均銷售價格較去年第四季度大幅上漲約60%；一季度NAND平均銷售價格較去年第四季度大幅上漲約70%。
三、儲存股利潤爆發，估值卻「原地踏步」
儘管業績呈現爆發式增長，儲存股的估值卻相對較低，形成了顯著的估值剪刀差。截至2026年4月，三星電子與SK海力士的12個月預期市盈率仍僅爲6.0倍與5.2倍，在全球AI相關標的中盈利性價比突出。美國儲存芯片製造商$美光科技 (MU.US)$以及$鎧俠 (285A.JP)$的遠期市盈率也均低於10倍。相比之下，台積電約爲20倍，輝達約爲22倍。
這一顯著落差正在華爾街引發激烈辯論，多頭認爲，AI對儲存的需求已從高帶寬內存蔓延至DRAM、閃存等通用產品，供應短缺與價格飆升並存，儲存行業正在進入結構性新範式。空頭則堅持認爲，儲存盈利歷來隨經濟周期大幅波動，低估值是對這一歷史規律的合理定價，市場需要更多證據纔會給予更高溢價。
從「超級周期」看全產業鏈投資圖譜
正如此前文章《定價權大反轉！儲存迎「一輩子僅一次」超級周期，誰在狂攬AI紅利？》分析，這波儲存浪潮並非只惠及少數幾家原廠，從底層的晶圓製造、中游的封裝測試與設備，到下游的模組、主控芯片及系統解決方案，每一個環節都在本輪周期中扮演着不可或缺的角色，並孕育着獨特的投資機會。
1. 上游晶圓製造：漲價最直接的「受益人」
這是本輪超級周期中彈性最大、最核心的環節。儲存晶圓（DRAM、HBM、NAND）的量價齊升，直接轉化爲原廠的豐厚利潤。$南方兩倍做多海力士 (07709.HK)$、$南方兩倍做多三星電子 (07747.HK)$、$美光科技 (MU.US)$、$閃迪 (SNDK.US)$、$希捷科技 (STX.US)$ 、$威騰電子(WDC.US)$
2. 中游封測與設備：擴產背後的「隱形贏家」
雖然晶圓廠擴產謹慎，但HBM等高階產品的良率爬坡和結構升級，帶動了封測和設備環節的顯著增量。$泛林集團 (LRCX.US)$、$應用材料 (AMAT.US)$
3. 下游設計與系統：連接芯片與應用的「橋樑」
儲存芯片最終要轉化爲可用的產品和系統，這一環節的公司通過掌握核心IP或控制器技術，在產業鏈中佔據關鍵生態位。$Rambus (RMBS.US)$、$慧榮科技 (SIMO.US)$、$邁威爾科技 (MRVL.US)$
4. 系統解決方案：儲存價值的「最終兌現者」
在數據爆炸的時代，單純的儲存硬件已無法滿足需求，企業級儲存系統和軟件定義儲存成爲新的增長點。$美國網存 (NTAP.US)$、$PURE BIOSCIENCE (PURE.US)$
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儲存股「武器庫」：除了正股，那些ETF有望受惠？
在AI驅動的儲存芯片「超級周期」中，直接投資三星、SK海力士、美光等龍頭個股固然能獲得最大彈性，但也伴隨着較高的個股風險和研究門檻。對於希望把握行業貝塔收益、同時分散風險的投資者而言，ETF提供了高效且多元化的“投資武器庫”。
$Roundhill Memory ETF (DRAM.US)$：全球首隻「純儲存」ETF，嚴格篩選主營業務收入50%以上來自HBM、DRAM或NAND的公司，截至2026年5月初，其前三大重倉股爲SK海力士、美光科技和三星電子，三者合計權重接近70%。自上市以來，該ETF規模迅速增長，截至5月初已超過30億美元，年內至今升幅超80%。
$韓國ETF-iShares MSCI (EWY.US)$：通過韓國大盤間接重倉儲存雙雄，三星電子和SK海力士在MSCI韓國25/50指數中佔據絕對主導地位，兩者在EWY中的合計權重常年在40%以上。除了儲存雙雄，其前十大持倉還包括現代汽車、SK Square、韓華航空航天等，享受韓國其他支柱產業的增長。
$3倍做多南韓ETF-Direxion (KORU.US)$：3倍槓桿押注「韓國=儲存」，在韓國市場（主要由三星、海力士驅動）出現明確、強勁的短期上漲趨勢時，KORU能帶來極爲可觀的回報，年初至今升幅超362%。但需關注波動率損耗，在震盪市中會快速侵蝕本金。
$半導體指數ETF-VanEck (SMH.US)$：一站式投資全球半導體生態，不單獨押注儲存，而是全面覆蓋半導體設計、製造、設備全產業鏈的全球龍頭公司，捕捉半導體行業整體的成長紅利。
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我們正在經歷儲存芯片的超級周期，史詩級供需錯配、龍頭股"真金白銀"盈利、估值剪刀差這三大硬核邏輯共同支撐着本輪周期的強度和持續性。
然而，投資者也需要保持清醒的認識：
1）儲存行業固有的周期性特徵並未完全消失，高昂的資本支出可能在未來引發產能過剩的風險。
2）當前AI拉動儲存需求持續提升，若大模型技術進展不及預期，不排除AI Capex下修的風險，從而影響需求。
3）由於儲存價格暴漲，流通渠道存在部分炒作囤貨現象，若投機炒作過度影響下游需求，存在價格下跌的風險。
4）儲存企業需要持續進行產品升級和創新，若戰略選擇失誤，或造成研發失敗風險。
總體而言，儲存芯片超級周期仍在進行中，但投資者在享受高增長紅利的同時，也需要密切關注行業動態，做好風險管理。 (牛牛課堂)