【內容目錄】
1.“落後”製程記憶體器反而“領先”
2.大陸VS台灣廠商的博弈
3.結語
記憶體器的超級周期與廠商博弈
【本文涉及的相關企業】
SK海力士、長江記憶體、美光、三星、江波龍、鎧俠、華邦電、旺宏、兆易創新、普冉、恆爍、南亞科。
“落後”製程記憶體器反而“領先”
首先明確一點，在討論利基型記憶體（Niche Memory）的格局之前，有必要重新審視其技術定位：NOR Flash、SLC/MLC、2D NAND以及利基型DRAM等在過去十年間都是市場主流，產能集中於幾十nm的成熟製程，業界的行銷和宣發目光都集中於7nm、3nm的先進製程，成熟製程一直都被稱為“落後製程”，然而2026年這種定義一直在失效。隨著三星、海力士、美光將90%以上的資本支出砸向HBM3e/4以及300層以上的3D NAND，那些停留在2D架構或成熟節點上的利基型產品，反而構築了一道獨特的“製程壁壘”。
由於AI產業端的需求HBM、DDR5和大容量高速率的NAND都緊缺，各家大廠也調整產能給到更高利潤和更新技術的HBM端，中低端產能的“大撤退”，給了大陸和台灣一種廠商的新的市場結構。我們可以把全球的記憶體原廠分為兩個陣營：一邊是把命押注在AI上的“三大巨頭”，另一邊是在成熟製程中迎來新的生機的“陸台聯盟”。
YOLO記憶體器行業預測(圖源：YOLO)
拿SLC NAND產品舉例，目前單片的容量已經跟不上時代，市場需要大容量和高頻寬產品，而海外原廠鎧俠和美光等製程節點也演進到14-16nm，可以說是代際領先，時間帶來2026年的當下，HBM需求迫使廠商要將更多產能迅速切換到HBM產業，這種業界領先也被資本回報和需求擠到了邊上。晶圓市場端SK海力士將SLC業務剝離給SkyHigh，隨後普冉股份收購了SkyHigh，表面看是大陸廠商技術補強，實際上SkyHigh產能卻大不如前，從之前的9kpcs降到如今的2.2kpcs，產能大幅縮減了近70%。反觀而大陸和台灣的廠商本來就是主流製程為12-24nm，像是華邦電、兆易創新等代工原廠都在中芯國際、華虹宏力等廠商，HBM這波“暴利”雖然吃不到，但是空缺出來的產能缺口卻是確保了產能的持續性和可控性。也就是說，在產能為王的當下，14nm的無米之炊，遠不如24nm的穩定產出。
利基型NAND記憶體的廣闊市場就是需要穩定可控的供應鏈，原先海外原廠如三星、海力士的退出已經明確不是減產能，而是裝置端的物理更新切換到HBM賽道。三星就宣稱在2026年6月完成2D MLC NAND全部EOL(end of life)，近200kpcs的月產能減少，市場形成了巨大的缺口，並且三星的老舊裝置需要清退，有消息稱絕大多數將作為二手裝置流入大陸市場。本來三星獨佔MLC市場45%的產能和55%的營收，幾乎叫得上名的大Fabless廠商產能都來自於三星，這一波EOL不僅是三十億美元市場直接真空，大中小的模組廠商直接斷了Wafer來源，短期內切換供應商對任何一家電子廠來說都是不曉得難題，台灣方面目前旺宏有IDM的能力，而武漢新芯的晶圓幾乎不外售，模組廠商陷入“一芯難求”的境地，華虹、中芯國際、力積電等晶圓廠商都在加速匯入MLC，但MLC對噪聲和電荷流失的管控要求遠高於SLC，從試產到良率爬坡沒有一年半載根本跑不通。
SLC NAND廠商產品對比(圖源：民生證券)
同樣在NOR Flash領域，市場技術分層也是十分割裂，華邦電和兆易創新在256Mb以上大容量市場，目前業務重心主要是端側AI、AI伺服器控制和汽車ADAS領域；64-128Mb的中小記憶體領域則在普冉、恆爍等廠商手中。NOR Flash產品由於ETOX架構與SONOS/浮柵架構在不同容量下的成本邊界不同，各家主攻的技術路徑也有所差異，而大容量NOR Flash需要複雜的電路設計來確保讀取速率，先進製程雖然可以暫時解決晶片面積不夠問題，但是成本也會大幅上漲，終端客戶接受與否是個不小的問題。當然不可否認的是，目前大容量產能吃緊的結構性漲價，是全行業的一次普漲，看起來“落後”的製程反而吃到了一波市場，領先於行業其他廠商。
大陸VS台灣廠商的博弈
中國大陸和台灣地區在利基型記憶體上的打法，現在也呈現出明顯的分化趨勢：台系廠商入行較早，早期IDM模式至今沿用，製程的細微提升和良率不斷改善確實賺到第一桶金，而且台積電靠著晶圓代工不斷提升製程能力現如今已經是業界霸主，大陸廠商入局較晚，更擅長通過資本運作收購和併購來提升技術實力，同時政府和產業資金的鼎力相助更是造就了如京東方、長鑫記憶體等行業巨頭。
下沉到細分市場端，EEPROM本屬於極小的領域，目前大陸廠商的聚辰半導已經是全球前三，意法半導體、安森美等行業巨頭市佔率不斷被蠶食，反觀台系廠商目前已經出局。因為EEPROM對製程要求極低但產品線極度繁雜，需要大量人力跟進客戶需求，不斷調整產品與產線來滿足終端需求，這正是大陸廠商的強項。
回到上述的利基型NAND和DRAM市場來看，NAND市場目前巨頭三星、海力士、鎧俠等已經下定決心清除“落後”產能主攻HBM，裝置和產線陸陸續續全部拆除，市場空出來巨大的真空空間。那家現階段拿住了，搶到了第一波就有機會站穩腳跟。而DRAM端，目前業界巨頭給出的是人力削減，原有產能下降以確保DDR5、LPDDR5等產品供應，其餘產能還是砍掉了近50%，這就給了長鑫科技、兆易創新、北京君正（收購ISSI）等廠商不小的機會，消費級和車規級DDR3/4等成熟產品因產能削減，終端產品售價價格大漲，伴隨著長鑫IPO的成功，著重發力消費電子和車規級市場，相信能夠再壓台系廠商一頭。
結語
歸根結底，這輪所謂的“利基型記憶體超級周期”，本質上是AI對半導體資源的虹吸效應造成的近幾年時間供需緊張。大陸和台灣廠商接住的，不僅是市場份額，更是那些原廠認為“落後”的產能與市場。但等到供需緩和後，市場價格平穩，國內廠商擴產的新產能能否接住汽車和工業級的高門檻需求，才是決定這一輪格局重塑重中之重。(半導體產業研究)