8月5日，午後半導體材料類股漲勢擴大，有研矽20%漲停，此前中巨芯、正帆科技、雅克科技、有研新材、和遠氣體等十余股漲停，興福電子、歐萊新材、神工股份、西安奕材等多股漲超10%。
半導體產業鏈當日領漲，記憶體晶片、光刻機、先進封裝、半導體裝置等類股上漲。半導體裝置類股中，中微公司、拓荊科技、長川科技、北方華創等龍頭股上漲，其中，中微公司漲超13%。
與此同時，港股記憶體概念漲幅擴大，南方兩倍做多海力士漲超 10%，南方兩倍做多三星電子漲超 6%。
當日，韓國股市反彈一度漲到熔斷。SK海力士盤中漲超7%，三星漲超6%。
隔夜美股半導體、記憶體、光通訊概念股普遍上漲，費城半導體指數漲超6%，應用光電漲超19%，COHERENT漲超12%，LUMENTUM漲近9%，ARM漲超17%，邁威爾科技漲超12%，英特爾、閃迪漲超10%，SK海力士美國存托憑證（ADR）漲超8%。
消息面上，根據TrendForce集邦諮詢最新記憶體器產業研究，由於DRAM供不應求格局將延續至2027年，而且原廠HBM4e的驗證進度存在變數，自2026年第三季起，NVIDIA（輝達）對Rubin Ultra的HBM配置已從HBM4e 12hi，改為平行評估HBM4e 8hi、HBM412hi、HBM48hi等設計，目前尚未定案。除了NVIDIA外，部分雲端服務供應商（CSP）也正考慮調降下一代自研ASIC的HBM容量設計。
此外，近日，中微公司發佈業績預告稱，預計2026年半年度營業收入約66.91億元，同比增長約34.89%；歸屬於母公司所有者的淨利潤為27億元—29億元，同比增長282.48%—310.81%。公告稱，公司已開發出54種高端半導體裝置，包括26種高能和低能電漿體刻蝕機裝置，24種各類薄膜裝置、化學機械拋光裝置和量檢測裝置。
愛建證券表示，AI資本開支正沿“資料中心—晶片—晶圓廠—裝置”路徑持續傳導。在先進邏輯、記憶體、晶圓廠擴產和技術升級的多重驅動下，單位資料中心資本開支對應的半導體製造裝置需求持續提升，裝置投資強度較此前進一步增強、行業訂單可見性持續提升。
天風證券表示，在需求結構升級與供給約束仍存的背景下，記憶體價格和產業鏈盈利能力有望保持較好韌性，行業景氣度或延續修復趨勢。(財聞)