中國半導體崛起對韓國的威脅已不僅限於壓力，部分領域甚至已經走在韓國前面。
這是因為中國通過大力投資，即便成功機率不高，也在推動新技術的誕生。
最具代表性的就是NAND快閃記憶體。
業內甚至已經出現一種判斷，中韓在NAND快閃記憶體技術上的差距已不復存在。
中國代表性NAND快閃記憶體製造商長江記憶體已躍升至全球第三。
Counterpoint Research表示，長江記憶體今年第二季度在全球NAND快閃記憶體市場的出貨量份額達到14%，超過日本鎧俠，位居三星電子25%、SK海力士22%之後，排名第三。
2021年,長江記憶體的市場份額還只有4.8%，短短5年間已增長近3倍。
今年第一季度，按營收計算的份額也達到13%。
隨著長江記憶體份額擴大，三星電子和SK海力士的份額有所下降。
更重要的是，長江記憶體正激進擴大產量。
目前月產能約為20萬片晶圓，明年將擴大至每月30萬片。
問題不僅在於量產能力，技術層面也開始出現長江記憶體領先三星電子和SK海力士的領域，即被稱為Xstacking的三維半導體技術。
三星電子、SK海力士等傳統廠商是在晶圓上自下而上堆疊NAND記憶體單元，而長江記憶體將兩片承擔不同功能的晶圓上下貼合。
長江記憶體得以避開傳統廠商的專利，開發出獨有技術。
韓國企業認為Xstacking技術存在侷限，但隨著堆疊更高層數的NAND越來越困難，業界也不得不承認這種晶圓貼合方式的優勢。
在這一過程中，長江記憶體申請了國際專利，2025年起,三星電子在採用Xstacking方式時也需要向長江記憶體支付技術費用。
通過採用新技術，長江記憶體不僅追上了原本領先的企業，還同時獲得了成本和生產效率優勢。
這與中國電池企業通過磷酸鐵鋰電池，追趕在三元鋰電池領域佔優的韓國電池企業的情況類似。
更令人擔憂的是，混合鍵合是未來半導體應用中的核心技術。
長江記憶體被看好將從NAND快閃記憶體擴展到DRAM市場，甚至進軍高頻寬記憶體器(HBM)領域,。
“技術領先時，客戶會回來，但一旦在技術上被追上，失去客戶只是時間問題。”(芯話社)