隨著人工智慧（AI）基礎設施建設投資加速，記憶體晶片的短缺仍在加劇。據韓國媒體BusinessKorea報導，截至2026年第三季度，三星電子與SK海力士的記憶體半導體庫存已降至不足10天供應量，疊加未來大部分產能已被大客戶通過長協議鎖定，市場擔憂明年可能出現“可供銷售產品耗盡”——即無貨可賣的極端局面。
報導援引韓國券商KB Securities在9月7日發佈的研究報告指出，全球超大規模雲端業者（hyperscalers）2027年對AI基礎設施的投資預估已上修至1.3兆美元，年增率高達60%。
記憶體晶片在AI基礎設施支出中的佔比正在急劇攀升。據KB Securities估算，2027年記憶體晶片將佔AI基礎建設總投資的57%，遠高於2025年的14%；而TrendForce的預估更為激進，認為這一佔比可能高達68%。
KB Securities指出，AI晶片所需的高頻寬記憶體（HBM）向最新一代的HBM4的全面過渡，是導致供應短缺的關鍵壓力源。HBM4生產所需的晶圓產能約為傳統DRAM的三倍，在晶圓產能總體有限的前提下，HBM4全面擴產勢必大幅擠壓傳統DRAM的可用產能。據此預計，2027年DRAM與NAND Flash的位元需求增長率，將雙雙超過供給成長率逾10個百分點。
KB Securities研究部主管Kim Dong-won直言：“這已不只是需求復甦的問題，市場可能面臨可銷售庫存耗盡的窘境。”他還警告，AI伺服器不僅大量消耗HBM，還將同步拉動伺服器DDR5及企業級SSD的需求，記憶體市場可能迎來"歷史性短缺"（historic shortage）。
其中一個直觀的資料是，截至今年第三季度，三星電子與SK海力士的記憶體晶片庫存天數已雙雙跌破10天大關。這一庫存水位已遠低於正常營運的安全線。
此外，三星和SK海力士未來數年的產能已經大部分被大客戶通過長期供應協議（LTA）鎖定。
三星記憶體業務負責人金在俊（Jaejune Kim）在今年第二季財報電話會上表示：“幾乎所有客戶都在尋求LTA，我們在可用產能範圍內難以滿足所有供應請求。”他進一步透露，為維持充足的供應靈活性，公司計畫將總產能的約60%-70%分配給LTA，合同期限以5年為基本單位，並採用“滾動”方式每年協商續約，同時加入預付款條款以增強合同約束力。三星已經與全球前五巨量資料中心客戶完成了合同簽署，並正與另外5家主要客戶進行最終階段談判。
SK海力士此前也宣佈，已與約10家核心客戶完成長期供應合約協商，並在部分合約中完全移除價格上限，將合約價與現貨市場掛鉤。
市場研究機構TrendForce資料顯示，2026年前三個月全球合約DRAM價格環比上漲93%-98%，且三大HBM供應商2026年產能均已全部售罄。這一事實本身印證了產能被LTA大量鎖定的程度。
韓國媒體Invest Chosun報導指出，2026年下半年起，伺服器用DDR5出貨量中LTA佔比預計將超過30%；若計入HBM，明年（2027年）市場整體DRAM產能可能有近一半被合約鎖定。
考慮到三星與SK海力士在全球DRAM和NAND市場合計佔據超過70%的份額，兩大巨頭的庫存告急意味著從AI伺服器廠商到PC、智慧型手機品牌的整個下游產業鏈，都將面臨關鍵零元件的供應不確定性。
面對持續的短缺壓力，三星電子、SK海力士、美光等記憶體晶片大廠都在積極擴產，但是有意義的供給增長預計要到2028年才會開始顯現。這意味著，即使擴產計畫全速推進，2027年的供給缺口仍難以有效彌補。
在現貨市場上，短缺訊號已經轉化為價格訊號。據市場研究機構MegaGrid Supply的資料，HBM3E 36GB產品的現貨售價已達2100美元，約合長期合約價格的四到五倍。16層堆疊的HBM4現貨價格更高達3500美元。
摩根大通在其8月發佈的模型中預測，2027年混合HBM平均價格將同比上漲42%，即便考慮到規格調整因素，2028年混合均價仍有望再漲22%。(芯智訊)