記憶體晶片,新變局!

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AI速讀
全球儲存產業正經歷從「週期復甦」轉向「結構重組」的劇變。美國透過巨額補貼與政策吸引美光、SK 海力士等巨頭將製造能力移回本土,試圖打破東亞壟斷。台系廠商則在分工中尋找新機會,南亞科擴產成熟 DRAM 填補 AI 導致的產能缺口,華邦電子則收購英飛凌業務重啟 Spansion 品牌。日本採取「三腿走路」策略,在維持 NAND 陣地之餘,與 Intel 合作開發 ZAM 次世代儲存技術。同時,中國長鑫與長江儲存市佔率持續攀升,成為全球供應鏈的最大變數。未來儲存版圖將由地緣政治、AI 需求與資本重組共同定義。

儲存製造,重新回到美國?

美國曾經在儲存領域擁有絕對的主導權。如果把時間拉回二三十年前,美國其實是全球儲存產業最重要的發源地之一。

英特爾、美光、AMD、閃迪,以及後來從AMD和富士通快閃記憶體業務中發展起來的Spansion(飛索半導體),都曾是全球儲存產業的重要力量。

但在之後漫長的產業整合中,美國儲存產業發生了明顯分化。

英特爾逐漸退出儲存,先退出DRAM,後來又將NAND和SSD業務出售給SK海力士;Spansion被飛索/賽普拉斯及英飛凌等體系吸收變革;閃迪也經歷了被西部資料收購、再重新拆分獨立的過程。

美國真正留在全球DRAM第一梯隊的,只剩下了美光。

與此同時,大規模先進儲存製造越來越集中到東亞。

韓國有三星和SK海力士,日本保留了鎧俠以及美光的廣島基地,台灣如今則成為美光最重要的DRAM和HBM製造基地之一。

而最新消息和新變化是,SK海力士和Solidig可能赴美製造。

據路透社報導,SK海力士正在與英特爾進行探索性討論,希望首次在美國生產儲存晶片,其中一個方案就是利用英特爾正在建設的Ohio One工廠;Solidigm則正在研究建設美國NAND工廠的可能性,以降低對現有亞洲製造基地的依賴。不過,兩項計畫目前都尚未最終確定。

如果這些計畫最終落地,意義並不只是增加幾座工廠,而是意味著韓國儲存巨頭第一次真正考慮把核心晶圓製造能力大規模搬到美國本土。

事實上,這條路美光已經先走了一步。2026年7月,美光宣佈將其到2035年的美國投資計畫進一步提高至超過2500億美元,並提出一個相當明確的長期目標:未來約40%的DRAM在美國製造。

目前美光已經在紐約州Clay推進大型晶圓廠,在Idaho建設兩座先進DRAM工廠,其中第一座Idaho工廠計畫於2027年中開始晶圓產出。2026年,美光位於Virginia的工廠也已經開始生產1α DDR4。

這意味著,美國儲存製造的變化其實比想像中更加明顯。

過去幾年,美國半導體製造回流的主角首先是邏輯晶片。台積電Arizona第一座工廠已經於2024年底進入4nm量產;Samsung Taylor工廠正在推進,計畫2027年進入大規模量產;英特爾則仍在建設Ohio One,雖然目前計畫已經推遲到2030年前後。

儲存晶片過去高度集中在亞洲,是全球半導體專業化分工的結果。現在,這種效率優先的分工方式正在加入越來越多“安全”和“區域供應”的權重。

儘管在美國建設晶圓廠的人工、建設和供應鏈成本普遍高於亞洲,但隨著AI帶來巨大的儲存需求,客戶越來越重視供應鏈多元化,再疊加美國本土製造激勵以及日趨複雜的地緣政治環境,過去看起來並不經濟的“美國製造”,也開始成為儲存廠商必須重新計算的一筆賬。

台系玩家的接棒與重塑

在東亞供應鏈體系內部,分工演變同樣劇烈。

其中動作最大的是南亞科。

2026年8月,南亞科董事會通過5A新廠擴產計畫,2026年至2029年資本支出最高達到3466億新台幣。按照規劃,5A工廠最終月產能約4.5萬片晶圓,將陸續匯入1B、1C、1D、1E等10nm級DRAM製程以及EUV裝置,2027年下半年開始投片,2028年月產能達到3萬片,2029年進一步提升至3.59萬片。南亞科預計整座5A廠最終總資本支出約160億美元。

南亞科此次的擴產背後有一個明顯的產業窗口。在DRAM儲存領域,三星、SK海力士和Micron處於第一梯隊,南亞科屬於第二梯隊。按照TrendForce資料顯示,2026年第二季度,三星、SK海力士和Micron三家公司在全球DRAM市場的營收份額分別達到39.4%、24.9%和23.3%,三家公司合計仍然控制約87.6%的市場。

但AI伺服器和HBM正在大量吸走頭部廠商的先進產能。三星、SK海力士和Micron越來越多地把資本、研發和晶圓產能投向HBM、伺服器DRAM以及先進製程,反而給DDR4、DDR3等成熟產品留下了一部分市場空間。

TrendForce資料顯示,2026年第二季度南亞科營收環比增長68.3%。AI不只是讓HBM廠商賺錢,也在重新分配整個儲存產業的產能結構。

而華邦電子最近的一筆收購,則把這種“重新洗牌”的意味推得更遠。9月16日,華邦電子宣佈將以11.2億美元現金收購英飛凌NOR Flash和F-RAM業務。英飛凌仍保留SRAM、HYPERRAM、nvSRAM和抗輻射SONOS Memory等特色產品。按照雙方規劃,這筆交易預計於2027年下半年完成。收購後的業務將獨立營運,總部設在美國San Jose。

前文我們簡單提了一下Spansion(飛索半導體),最終被英飛凌收購了。而此次華邦電子收購了英飛凌相關業務交易完成後,表示將重新啟用Spansion這一品牌。

圖源:維基百科

Spansion曾經是全球最重要的NOR Flash廠商之一,1993年,AMD和富士通兩家公司整合各自的快閃記憶體業務,成立合資公司FASL(Fujitsu AMD Semiconductor Limited),雙方最初各持股50%。2003年,AMD將持股比例提高至60%;此後相關業務逐漸以Spansion品牌獨立發展,並於2005年登陸納斯達克。

此後的Spansion不斷通過併購擴充產品版圖。2007年,公司收購以色列快閃記憶體技術廠商Saifun Semiconductor;2013年,又收購富士通的微控製器和模擬業務,業務範圍逐漸從單一快閃記憶體向嵌入式系統晶片擴展。

真正改變其命運的是2014年底。Cypress與Spansion宣佈合併,雙方以全股票方式進行交易,合併後的企業價值約40億美元,並繼續沿用Cypress Semiconductor這一名稱。交易於2015年完成。2020年,Cypress又被Infineon收購,於是原本屬於Spansion的NOR Flash業務最終進入英飛凌體系。

英飛凌將NOR Flash和F-RAM相關資產出售給華邦電子,這其實推動了專有儲存市場的權力交接與整合。

那麼,日本,還會再出現一個“爾必達”嗎?

說到Spansion就讓筆者想起了爾必達。

日本曾經是全球儲存產業絕對的中心。NEC、東芝、日立、三菱、爾必達……上世紀八九十年代,日本企業一度佔據全球DRAM市場的主導位置。但經過數十年的價格戰、產業整合和資本競爭之後,日本本土大型DRAM企業最終只剩下爾必達。

2012年爾必達申請破產重組,2013年被Micron完全收購。如今,Micron在日本最重要的生產基地——廣島工廠,正是昔日爾必達最核心的DRAM製造資產之一。

而Micron還在繼續給這座工廠加碼。2026年7月,Micron正式啟動廣島新潔淨室建設,一期面積約2.8萬平方米,計畫於2028年下半年開始搬入製造裝置,用於擴大面向AI的先進儲存生產能力。日本經濟產業省此前已經宣佈,為Micron廣島先進儲存研發和製造提供最高5360億日元支援。

不過在NAND領域,日本還在持續發力。

2026年8月,Kioxia與SanDisk宣佈,計畫到2032年在日本合計投資超過310億美元,繼續擴大NAND Flash研發和生產能力,其中包括進一步擴張北上工廠。

日本在儲存領域還有一個值得觀察的點,那就是SAIMEMORY。

2024年底,SoftBank成立全資子公司SAIMEMORY,希望開發下一代儲存技術。2026年2月,SAIMEMORY與Intel正式宣佈合作,推進一種名為ZAM(Z-Angle Memory)的下一代儲存技術。SAIMEMORY為日本儲存的轉型注入了變數。日本是否能夠依託材料和裝置端的傳統優勢,借力外圍巨頭的合作在下一代儲存或新興算力儲存架構中重新找回話語權,成為接下來的核心看點。

它並不是傳統意義上重新做一家DRAM廠,而是希望利用Intel此前在下一代DRAM鍵合項目中積累的技術,通過新的3D堆疊和製造架構,提高儲存容量、頻寬和能效,目標是在2027財年完成原型,並於2029財年實現商業化。項目隨後還獲得了日本NEDO支援。

因此,縱觀當前的日本儲存產業,呈現出清晰的“三條腿走路”格局:1)本土堅守:依託鎧俠鞏固其在NAND快閃記憶體製造領域的傳統陣地;2)借力製造:借由美光廣島工廠,持續保留全球最前沿的DRAM先進製造能力;3)押注未來:通過SAIMEMORY等新興企業,聯手國際巨頭直接錨定下一代儲存架構。

所以,日本未必會再出現一個“爾必達”。但這並不意味著日本放棄了重新進入先進儲存核心競爭圈。

中國廠商:不可忽視的“X因素”

而全球儲存產業裡最大的變數,可能還是中國。

在DRAM和NAND兩條最重要的儲存賽道上,中國都已經形成了具有規模的本土廠商:長鑫存儲專注於DRAM,長江儲存則長期深耕NAND Flash。兩家公司分別沿著各自的技術路線持續推進產品迭代和產能建設,並依託中國龐大的手機、PC、伺服器和資料中心市場不斷擴大出貨規模。

9月20日,長鑫存儲宣佈第五代DRAM平台正式進入量產,並推出兩款24Gb LPDDR5X產品。新一代平台採用四重圖形化技術,將儲存單元特徵間距進一步縮小至11.95nm,與上一代相比,單片晶圓可生產的晶片裸片數量提升至少50%。

根據TrendForce資料,2026年第二季度,長鑫存儲在全球DRAM市場的份額已經達到約9.5%,排名第四。

在NAND領域,TrendForce預計,隨著新裝置陸續匯入、產能繼續釋放,2027年中國供應商佔全球NAND Flash位元產出的比例可能接近19%。

中國正在形成一套自己的儲存製造能力。短期看,它未必會立即改變全球高端儲存市場的競爭格局;但拉長到五年甚至十年,中國廠商的技術升級、產能擴張以及本土市場規模,都可能改變全球儲存產業原有的供需關係。

這也是這一輪產業洗牌裡,最難預測的變數之一。

結語

綜合來看,全球儲存產業正在經歷一場從“周期復甦”向“結構重組”的深層次劇變。過往單純依賴市場供需周期循環的時代已經過去,地緣政治、AI算力變革與資本重組共同推開了儲存行業“大洗牌”的大門。未來的全球儲存版圖,將不再是單一區域的獨角戲,而是一場涉及產業鏈重組、多極化分佈的全新博弈。 (半導體行業觀察)