SK海力士公開了其包含下一代NAND儲存——“HBF（高頻寬快閃記憶體）”在內的人工智慧（AI）產品戰略。所謂HBF，是借鑑HBM（高頻寬記憶體）的概念，通過對NAND快閃記憶體進行垂直堆疊，從而最大化性能的一種下一代產品。SK海力士27日表示，公司於當地時間10月13日至16日參加了在美國加利福尼亞州聖何塞舉行的“2025 OCP（開放計算項目）全球峰會”，並在會上發佈了最新的NAND儲存產品戰略。公司表示：“隨著AI推理市場的迅速增長，能夠快速、高效處理海量資料的NAND儲存產品需求正在急劇擴大。對此，我們建構了‘AIN（AI-NAND）Family’產品陣容，旨在以面向AI時代的最優解決方案滿足客戶需求。”在大會第二天的高管專場中，SK海力士eSSD產品開發負責人金千成（Kim Cheonseong）副社長作為演講嘉賓，介紹了AIN產品系列。AIN系列從性能（Performance）、頻寬（Bandwidth）、容量（Density）三個維度進行最佳化，旨在同時提升資料處理速度和儲存容量。AIN P（Performance） 是一款可在大規模AI推理環境中高效處理海量資料讀寫的解決方案。通過最小化AI計算與儲存之間的瓶頸，大幅提升處理速度和能效。公司目前正在以全新架構設計NAND與控製器，計畫於2026年底推出樣品。AIN D（Density） 是一款以低功耗、低成本儲存大容量資料為目標的高密度解決方案，適用於AI資料儲存。該產品旨在將基於QLC的TB級SSD容量提升至PB級，同時兼具SSD的速度與HDD的經濟性，定位為中間層級儲存。NAND快閃記憶體根據單個儲存單元（Cell）可儲存的位元數量不同，分為SLC（1bit）、MLC（2bit）、TLC（3bit）、QLC（4bit）、PLC（5bit）等多種規格。AIN B（Bandwidth） 是通過垂直堆疊NAND來擴大頻寬的解決方案，這正是公司採用“HBF”技術的產品名稱。SK海力士啟動AIN B研究的初衷是為瞭解決記憶體容量不足問題，其核心在於將高容量、低成本的NAND與HBM堆疊結構相結合。公司正在研究將AIN B與HBM協同部署，以補充容量不足等多種應用場景。為推動AIN B生態系統發展，SK海力士與美國SanDisk於8月簽署了HBF標準化諒解備忘錄（MOU），並於14日晚在OCP峰會會場附近的科技互動中心（The Tech Interactive）舉辦了“HBF之夜”活動，邀請了多家全球大型科技公司的代表出席。當天活動由海內外教授組成的專家團以圓桌討論形式進行，吸引了數十位業內主要架構師與技術專家參與。會上，SK海力士提議業界攜手加速NAND儲存產品創新。SK海力士開發總括安賢（Ahn Hyun）社長表示：“通過本次OCP全球峰會和HBF之夜，我們展示了SK海力士作為‘全球AI記憶體解決方案提供商’在AI為中心的快速變革市場中的現狀與未來。未來，我們將在下一代NAND儲存領域繼續與客戶及各類合作夥伴攜手，努力成為AI記憶體市場的核心玩家。”SK海力士，率先量產HBM4？據業內消息，SK海力士已向其位於清州、正建設中的高頻寬記憶體（HBM）等DRAM生產基地——M15X工廠運入首批裝置。據業界27日消息，SK海力士當天開放了正在清州建設的M15X工廠的首個潔淨室，並開始裝置搬入工作。M15X是SK海力士在現有M15工廠基礎上追加投資超過20兆韓元建設的擴建生產基地。此前，自去年年底起，SK海力士已將部分在京畿道利川園區工作的DRAM員工調往清州園區，啟動了包括基礎設施建設在內的前期準備工作。隨著當天裝置搬入的開始，公司也在加快推進原計畫於年內完工的目標。SK海力士在第二季度財報電話會議上表示：“M15X計畫以應對客戶需求為出發點，重點量產下一代HBM產品。我們將根據明年客戶對所需產量的可見性情況，逐步擴大產能（capacity）。”公司還補充道：“雖然目前不便透露M15X的具體運作細節，但可以肯定的是，到明年年底不會因為廠房空間限制而出現HBM供應不足的情況。”業內認為，隨著M15X裝置搬入的啟動，SK海力士將進一步加快HBM量產步伐。據悉，SK海力士今年的HBM產能已全部售罄，並且在三星、美光三大儲存廠中率先完成第六代HBM（HBM4）的量產準備，目前正與輝達就供應量進行談判。 (半導體芯聞)
