AI技術熱潮翻湧,對尖端晶片的需求旺盛,但全球晶片供應仍受限於幾家公司的技術和產能。
美國《福布斯》雙周刊網站在近期報導中指出,隨著新興技術不斷崛起,全球尖端晶片製造方式有望在2030年迎來巨變。EUV光刻雖是當下主流,卻並非將微小電晶體“畫”在矽片上的唯一路徑。
一批著眼於未來的光刻新技術,正蓄勢待發。它們有望替代EUV光刻,重塑尖端晶片的製造方式。原子光刻拋開“光”改用原子束在矽片上蝕刻極微小的圖案。一旦成功,它能將特徵尺寸在EUV光刻的基礎上再縮小一至兩個數量級。
另一值得關注的前沿方案是X射線光刻。它依舊沿用“光”的範式,卻將其推向極致:X射線在電磁波譜中比極紫外光更靠外,波長更短(可低於1奈米),能量更強,理論上能刻畫更微小的電晶體。迄今無人證明X射線光刻機能以足夠低的成本和足夠高的產量實現商業化。