三星在一份聲明中表示，這一名為zHBM的新系統將高帶寬內存垂直堆疊在AI加速器之上，其性能約為下一代HBM5的八倍。作為成為AI時代端到端基礎設施提供商努力的一部分，三星還推出了其他新技術，包括zNAND-O和V10 BV-NAND架構。 三星電子正大力宣傳其最先進內存硬體在性能和能效方面的提升，以期在競爭中超越SK海力士和美光科技。 當地時間8月4日，三星電子在FMS年度記憶體行業峰會上，正式宣佈了zHBM和zNAND-O兩款概念產品，以及業界首款採用晶圓鍵合技術、堆疊層數超過400層的V10 BV-NAND。 其中，zHBM將高帶寬內存直接垂直堆疊於AI加速器晶片之上，性能預計約為下一代HBM5的8倍。