一、中國DRAM產能擴張提速，2030年產能較當前翻倍有餘
報告傳達出清晰標識, 合肥、上海、北京這三大基地的擴產規劃會在二零二八年之前全部達成產量目標, 二零二八年之後還有超大規模的全新工廠緊接著獻出增加的部分。更為要害的是, 新的生產能力正在大幅度地引入國產半導體裝置, 除去光刻等極個別的高端機台之外, 本土的裝置商正在這場擴產的盛宴當中獲取到具有實際意義的訂單。生產能力成倍增長外加國產化比率提高, 中國的SPE正在迎接業績與估值的雙重推動。
二、產品端持續追趕，HBM與3D DRAM成下一階段突破口
中國DRAM 領域的龍頭, 其製程的升級正在促使產品不斷迭代, 雖在速率方面依舊比不上國際那些大廠, 然而兩者之間的差距正在持續變小。2026 年, HBM3 以及 HBM3E 的量產目標清晰明確。而 EUV 光刻機受到限制, 這迫使產業去尋找別的途徑——3D DRAM 有希望在 2027 年實現實質性的突破。這屬於“裝置受限從而倒逼技術創新作用下產出”中非常吻合規範要求的情形, 要是能夠順利避開對 EUV 的依賴, 那麼中國的記憶體產業將會開創出一條具有差異化特點的技術路徑。 1. 核心結論：中國半導體裝置市場逆勢增長
摩根士丹利所出這份報告的核心觀點為, 在全球半導體裝置市場呈現強勁復甦這一背景下, 中國市場顯得格外引人注目, 報告預估2026年中國WFE（晶圓廠裝置）市場會實現增長15%, 進而達到480億美元, 2027年還會增長18%。這主要是受益於兩大驅動力, 其一為國記憶體儲晶片廠（長江儲存、長鑫儲存）的大肆瘋狂擴產, 其二是華為所提出的“τ定律”帶來的技術路線變革。
2. 長江儲存和長鑫儲存之間展開了如同軍事裝備競賽般的競爭態勢
相關報告對中國兩大儲存巨頭的產能預測進行了大幅上調, 長鑫儲存（CXMT）正在籌備科創板上市, 其資金較為充沛, 預計它在2028年的產能會從之前所預測的50kwpm（千片/月）急劇猛增至100kwpm, 長江儲存（YMTC）同樣開啟了IPO輔導, 其Fab 3工廠會在2026年啟動量產, 預計到2028年產能也會達到100kwpm。這種超出預期的擴產行為, 直接帶動了對於刻蝕裝置的需求拉動, 且帶動了沉積裝置的需求拉動, 還帶動了清洗等核心裝置的需求拉動。 
