記憶體晶片漲價的壓力還在持續，而小米手機由於入門級及中端產品佔比較高，在本輪記憶體上漲周期中受到的衝擊比同行更大。 這種“手機業務量價博弈、利潤被記憶體成本侵蝕，汽車業務連續季度虧損，網際網路業務獨木難支”的壓力已經在小米上一季度財報中露出端倪。在2026年Q2財報節點上，小米的“渡劫”顯然還沒走到盡頭。 8月18日晚，小米集團發佈2026年Q2業績。該季小米營收1089.22億元，同比下滑6.1%；經調整淨利潤62.191億，同比下滑42.6%。 儘管與前一季度相比，其單季營收增速下滑的幅度有所縮小，但整體仍處承壓通道。對此，財報解釋稱，“2026年第二季度，地緣不確定性仍存，記憶體等核心器件成本大幅上漲，疊加行業競爭激烈，給我們的業務帶來壓力。”

據Gartner發佈的最新報告，受DRAM供應嚴重短缺影響，500美元以下入門級PC市場將在2028年前徹底消失，2026年PC出貨量預計暴跌10.4%，跌幅超過智慧型手機市場。Gartner高級分析師Ranjit Atwal指出，記憶體成本在PCBOM物料成本中的佔比急劇攀升，製造商已無法像過去那樣自行消化成本上漲。對於傳統入門級產品，廠商通常選擇內部吸收BOM增長以維持價格競爭力，但當前記憶體價格漲幅已超出承受極限，"廠商別無選擇，只能將成本壓力轉嫁給消費者"。Ranjit Atwal明確表示：“低於500美元的入門級PC市場將於2028年消失”。這一轉變對500-1000美元主流價位段衝擊最為嚴重，Gartner預計，消費者將大幅延長換機周期，PC使用壽命在今年底前將增長20%。為了確保盈利，廠商寧願接受銷量下滑，也會優先保證高端高利潤機型的供應，這意味著低價位段的現貨將越來越少。隨著現有DRAM庫存快速耗盡，記憶體價格通膨將在二季度進一步加劇，對於預算有限的玩家而言，唯一可行的應對策略是推遲購買計畫，但這一過程可能耗時一年以上。DDR5記憶體價格居高不下，儲存也同樣的趨勢，迫使很多玩家回到了更老的DDR4平台，帶動它們的價格也漲了。DIY和整機市場的另一個趨勢，就是可能會走向中低端為主，很多低端主機板近日的銷量就相當看好，比如H510。H510主機板已經發佈5年多了，規格非常普通，僅支援雙通道DDR4記憶體、六條PCIe 3.0擴展通道、四個USB 3.0 5Gbps介面等。H510晶片組已經停產了，在售主機板價格一般在二三百元，原本很快就要退市了。不過，近日受到元器件材料供貨缺貨的影響，未來1-2個月可能會陸續漲價，對低端主機板的成本影響壓力會相當大。H510停產之後，雖然還能採購到一些，但數量無法太多，加上元件成本上漲、貨源緊缺、需求增長等一系列影響，H510主機板的採購成本和銷售價格會越拉越高。預計3月開始，H510主機板的價格會明顯上漲，大機率會直接崩向400元以上。(硬體世界)

記憶體市場史上最大短缺將至！2026年DRAM/NAND供不應求空前嚴重，HBM持續吃緊。高盛在最新發佈的報告中，對記憶體行業前景給出了極其樂觀的判斷。核心結論如下：1.史上最緊周期預計 2026年 DRAM和NAND將遭遇過去15年來最嚴重的供應短缺。DRAM缺口從之前預測的-3.3%擴大至 -4.9% ；NAND缺口從-2.5%擴大至 -4.2%。2.強勁驅動切換伺服器相關需求（尤其是AI伺服器、HBM、企業級SSD）已成為記憶體增長的絕對主力，而PC/智慧型手機需求增長顯著放緩。3.價格與利潤飆升在供需極度緊張下，記憶體公司定價能力大幅提升，預計三星/海力士的DRAM營業利潤率在2026年將飆升至70%-80%的歷史高位。4.HBM市場擴容上調2026/2027年HBM市場規模預測至540億/754億美元，預計供應短缺將從之前預測的-0.7%/-1.6%擴大至 -5.1%/-4.0%。5.成本傳導無憂報告通過BOM分析指出，儘管記憶體成本飆升將擠壓PC/手機廠商利潤，但即便在最悲觀的需求假設下，2026年DRAM行業供需依然保持緊缺。一、 傳統記憶體（DRAM/NAND）：2026年將遭遇“史上最大短缺”1. DRAM：三股力量共同推高緊缺度需求端：伺服器獨挑大樑，PC/手機增長乏力全球DRAM需求增長，伺服器為主要動力.伺服器是核心驅動。預計2026年伺服器DRAM（不含HBM）需求將同比增長39%，佔全球DRAM需求的44%。若包含HBM，則伺服器相關需求佔比將高達53%。.PC和手機需求增長顯著放緩。因記憶體價格上漲抑制了單機搭載容量增長，預計2026年移動DRAM和PC DRAM需求增速分別僅為7%和5%，遠低於過去幾年的兩位數增長。供給端：產能擴張受限，庫存維持低位.主要廠商（三星、海力士）受限於潔淨室空間，傳統DRAM晶圓產能增長有限。新建工廠（如三星P5、海力士龍仁廠）在2027年下半年之前難以上量。.全行業庫存水位健康，某些客戶已開始為2028年的需求爭取供應配額，突顯當前供應鏈緊張程度。結論與預測：在伺服器強需求與供給強約束下，高盛將2026/2027年DRAM行業供應缺口預測分別上調至 -4.9% 和 -2.5%。2026年缺口將是過去15年之最。預計2026年傳統DRAM價格將同比上漲約180%，推動三星/海力士的營業利潤率達到71%和79%的驚人水平。2. NAND：企業級SSD與AI新架構引爆需求新需求引擎：NVIDIA的ICMSP與KV快取.ICMSP是NVIDIA為最佳化AI推理上下文儲存而推出的新平台，實質上在本地儲存和網路儲存之間增加了一個“G3.5層級”，由BlueField DPU驅動。.這主要為瞭解決KV快取（保存AI對話歷史）規模激增帶來的性能瓶頸。當HBM和DRAM放不下時，資料需要下移到NAND。.增量需求巨大僅NVIDIA的Rubin平台，預計在2026/2027年就能分別帶來29EB/79EB的額外NAND需求，相當於高盛對這兩年全球NAND總需求預測的3%/6%。閃迪也預計ICMSP將在2027年帶來75-100EB的額外需求。供需預測：在強勁的企業級SSD（預計2026年增長58%）和新增AI架構需求驅動下，高盛將2026/2027年NAND行業供應缺口預測分別上調至 -4.2% 和 -2.1%。供給端同樣受限於資本開支優先投向DRAM以及技術遷移（而非擴產）的戰略。價格與利潤：預計2026年NAND價格將同比上漲100%-120%，三星/海力士的NAND業務營業利潤率將分別達到40%和44%。二、 HBM：市場規模上調，競爭格局生變，供應依然緊張1. 市場更大、增長更快高盛將2026/2027年HBM總市場規模（TAM）預測分別上調8%/9%至540億/754億美元。需求上修主要歸因於ASIC需求超預期（如GoogleTPU、AWS Trainium等）。預計2026年ASIC將佔HBM需求的33%（原為28%）。2. 競爭加劇，三星奮力追趕海力士憑藉在NVIDIA供應鏈中的優勢地位，預計2026年HBM市場佔有率將保持在52% 左右，維持領導地位。三星正積極追趕，已開始向ASIC客戶（特別是Google）大規模供應HBM3E，並在HBM4（包括11.7Gbps版本）認證上取得進展，預計本月開始大規模交付。預計其2026年HBM收入將同比大增157%，市佔率回升至27%。3. 供需持續吃緊儘管三星和SK海力士都在加快提升HBM產能，但由於需求上調幅度更大，預計2026/2027年HBM行業供應缺口將從之前預測的-0.7%/-1.6%擴大至 -5.1%/-4.0%。三、 BOM成本分析：記憶體成本佔比飆升，但難改緊缺大勢記憶體價格暴漲已引發下游PC和智慧型手機廠商的強烈擔憂，戴爾、惠普、聯想、蘋果、三星等均已表示將提價或調整產品配置以應對成本壓力。高盛通過分析iPhone、三星Galaxy S系列、戴爾XPS系列的BOM成本發現：智慧型手機到2026年第三季度，記憶體成本佔iPhone BOM的比例可能從2025年同期的10%飆升至23%；三星手機可能從13%升至29%。PC記憶體成本佔戴爾XPS BOM的比例可能從7%升至17%。iPhone BOM trend & Memory/BOM (%) Estimates（圖示：iPhone的BOM成本中記憶體佔比趨勢預測）然而，關鍵結論是：即便在最悲觀的場景下，DRAM供需依然緊張。高盛模擬了“極度悲觀”情景：智慧型手機/PC出貨量和單機記憶體容量增長均弱於基準預測。結果顯示，2026年DRAM需求年增長率仍能達到21%（基準為25%），行業仍將面臨 -1.7% 的供應缺口（基準為-4.9%）。這意味著，記憶體成本的上升可能會抑制消費者端的需求，但無法扭轉由伺服器/AI驅動的、強勁且緊迫的需求基本面。四、 投資建議：重申看好記憶體產業鏈龍頭基於對記憶體行業持續、深度緊缺的判斷，高盛重申了對以下公司的“買入”評級：記憶體製造商三星電子、SK海力士、閃迪裝置與材料商東京電子、愛發科、迪思科報告認為，這些公司將主要受益於他們預期的記憶體行業供需趨緊。 (數之湧現)