"我現在不是在跪求貨源，就是在跪求貨源的路上。"
這句來自某記憶體晶片分銷商的感慨，成了2026年上半年記憶體晶片行業最真實的寫照。一場由AI算力需求引發的記憶體晶片"超級周期"正以前所未有的烈度席捲全球。
這不是一次普通的周期波動。TrendForce集邦諮詢資料顯示，2025年三季度起，DRAM與NAND快閃記憶體現貨價格累計上漲超過300%。蘋果MacBook、iPad全球提價約20%，微軟Xbox被迫漲價......"晶片通膨"正從產業鏈上游向每一個普通消費者傳導。
這場風暴的核心驅動力，是AI引發的結構性供需失衡。
需求端，AI伺服器堪稱"記憶體巨獸"。單台AI伺服器DRAM用量是傳統伺服器的8至10倍，HBM更是高端算力裝置的剛需，2025年全球HBM需求暴漲300%。與此同時，AI手機、AI PC、自動駕駛、機器人等端側應用同步擴容，旗艦手機運行記憶體翻倍升級，車規記憶體容量持續攀升，利基型DRAM和NOR Flash也進入供不應求狀態。
供給端，三星、SK海力士、美光三大巨頭佔據全球70%以上市場份額，紛紛開啟"棄低追高"策略，將80%以上先進產能轉向高毛利的HBM和企業級記憶體，直接壓縮DDR4、消費級NAND供給。2025年DRAM行業平均庫存周期降至10周，原廠庫存僅2至4周，處於極度緊張狀態。半導體工廠建設周期長達兩到三年，供需失衡短期難以緩解。有機構測算，2027年全球PC廠商可能面臨15%的記憶體晶片缺口，智慧型手機廠商缺口比例也將達到12%。
花旗預測，2026年DRAM與快閃記憶體產品平均售價或將分別上漲88%和74%。群智諮詢判斷，這是一輪持續2至3年的"超級周期"，記憶體產能供應要到2027年下半年才可能有所緩解。
超級周期的另一面，是中國記憶體力量的強勢崛起。
2026年6月，德國漢堡ISC2026大會上，搭載首顆國產HBM的"靈晟"超算以2.19EFlops實測性能登頂全球TOP500榜首，標誌著國產高頻寬記憶體正式從實驗室走向規模化應用。長鑫記憶體HBM3已對國內AI晶片企業小批次供貨，預計2026年下半年正式量產，12層堆疊HBM3E規劃2027年量產，與海外巨頭的代際差距正以超預期速度縮小至3年以內。
當記憶體晶片從"幕後配角"變為"AI時代最稀缺的戰略資源"，當漲價浪潮從產業端向消費端全面傳導，當國產替代從政策驅動邁向"技術+訂單+產能"三重共振。
這也是芯師爺"第八屆硬核芯"評選的價值所在。作為國內半導體產業極具影響力的評選活動之一，硬核芯評選連續多年堅持"技術實力+量產落地+市場價值"評審體系，本屆累計匯聚超630家半導體原廠、860餘款標竿產品，獲得50萬+專業讀者線上投票支援，首度建構"展·論·評·宣"四位一體的全新範式。
以下將盤點2026"第八屆硬核芯"記憶體賽道明星產品：
普冉半導體（上海）股份有限公司
普冉半導體(上海)股份有限公司是行業內領先的非易失性記憶體器及MCU供應商，高新技術企業。公司成立於2016年，總部位於上海張江高科技園區，在成都、香港設有子公司，在深圳、韓國、無錫設有銷售和現場應用服務與支援中心，同時在蘇州設有研發中心；此外在北京、英國、德國、印度等多地擁有代表處。作為一家創新型IC設計公司，產品廣泛應用於物聯網、智慧型手機及周邊、可穿戴、工業控制、汽車電子、安防等領域。
PY25Q129HA
PY25Q129HA 是一款 128Mbit 國產自主可控 SPI NOR Flash，支援最高 200MHz 時鐘，讀寫擦性能優異。目前已應用於消費電子、安防、物聯網及通訊系統，最佳化後可拓展至車載等高端場景。
東芯半導體股份有限公司
東芯半導體股份有限公司成立於2014年，秉持“提供可靠高效的記憶體產品及設計方案”的使命，並以“成為中國領先的記憶體晶片設計企業”為願景，致力於通過自主研發的智慧財產權、穩定的供應鏈體系以及高可靠性產品，聚焦於中小容量NAND/NOR/DRAM晶片的研發、設計和銷售，是目前國內少數可以同時提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產品方案的記憶體晶片研發設計公司，同時，公司以記憶體為核心，同時在“存、算、聯”一體化領域進行技術創新，拓展行業應用範圍,最佳化業務佈局，旨在為客戶提供多樣化的晶片解決方案。
512Mb 1.8V SPI NOR Flash (DS25M4CB-16A1B8)
可提供通用SPI介面、大容量512Mb，低電壓1.8V，支援Single/Dual/Quad SPI和QPI四種指令模式、DTR傳輸模式，同時不斷提高產品可靠性，溫度從-40℃-125℃ ，將更適用於要求更為嚴苛的車規級應用環境，更有多項核心技術為最佳化產品性能保駕護航。
4Gb 1.8V SPI NAND Flash（DS35M4GB-A1B)
單晶片設計的序列通訊方案，引腳少、封裝尺寸小，且在同一顆粒上整合了記憶體陣列和控製器，並帶有內部ECC模組，使其在滿足資料傳輸效率的同時，既節約了空間，又提升了穩定性,同時不斷提高產品可靠性，溫度從-40℃-125℃ ，將更適用於要求更為嚴苛的車規級應用環境，更有多項核心技術為最佳化產品性能保駕護航。
深圳佰維記憶體科技股份有限公司
深圳佰維記憶體科技股份有限公司成立於2010年，是一家專業獨立半導體記憶體解決方案提供商，公司專注於半導體記憶體器的研發設計、封測、生產和銷售，主要產品為半導體記憶體器，主要服務為先進封測服務，其中半導體記憶體器按照應用領域分為嵌入式記憶體、PC記憶體、工車規記憶體、企業級記憶體和移動記憶體等。
佰維Mini SSD在僅15mm×17mm×1.4mm（比一枚歐元硬幣還小一半）的尺寸中實現了高達3700MB/s讀取、3400MB/s寫入速度，4K隨機讀取達550K IOPS、4K隨機寫入達650K IOPS，容量最高支援2TB。產品採用先進LGA封裝技術，將主控與NAND快閃記憶體高度整合於單層平面，顯著提升空間利用率與散熱效果。支援IP68級防塵防水能力以及3米防跌落衝擊，適用於複雜移動與戶外環境。智能韌體系統整合動態SLC快取、磨損均衡、TRIM指令與垃圾回收機制，MTBF達150萬小時，確保長期使用下的穩定性能與壽命。
佰維SP50Y/51Y系列企業級PCIe SSD搭載國產主控與國產3D NAND快閃記憶體顆粒，全面遵循NVMe 2.0及NVMe-MI 1.2協議規範，充分釋放PCIe Gen5介面性能潛力。產品採用2.5英吋U.2形態，容量覆蓋3.2TB至15.36TB共六檔容量，提供1DWPD讀密集型與3DWPD混合型雙重耐久度規格。順序讀寫分別高達14200MB/s和10600MB/s，4K隨機讀寫達3200K IOPS和1000K IOPS。產品內建PLP異常掉電保護與Data-path E2E端到端資料保護，MTBF達250萬小時，支援Multiple Namespaces、Internal RAID、Atomic Write等豐富企業級特性。全鏈國產可控，為AI訓練加速、雲端運算、核心資料庫等關鍵業務構築堅實記憶體底座
得瑞領新（重慶）科技有限責任公司
得瑞領新(重慶)科技有限責任公司2015年成立，總部位於重慶，在北京、上海、武漢、深圳、杭州設有研發及技術支援中心。DERA現階段主要產品包括遵循NVMe標準協議的企業級SSD控製器及企業級SSD產品，可為企業資料中心、雲端運算平台、高性能計算及人工智慧訓練推理等領域提供高性能、高可靠、高穩定、低成本、低功耗的記憶體產品，致力於以智能化記憶體架構支撐數字經濟升級，以綠色低耗技術助力全球碳中和，成為引領記憶體產業可持續發展的核心力量。
D7436/D7456 NVMe SSD
D7436/D7456是專為企業級應用設計的高性能記憶體解決方案。基於得瑞自研的EMEI控製器和韌體技術，配備高速快閃記憶體記憶體晶片，同時採用先進的讀寫演算法和資料管理技術，使其在性能方面表現出色。同時，通過先進的能源管理技術和自適應快閃記憶體糾錯技術LDPC，該產品在保證出色性能的同時，最大程度地降低了功耗。
芯展速科技（北京）有限公司
芯展速憑藉團隊20餘年深厚的IT行業積澱、實力雄厚的本地研發團隊，致力於提供國內領先、國際一流的企業級、工業級及車規級固態硬碟（SSD），面向PCIe Gen5/6的 Retimer/Redriver IC 產品，以及極具創新的AI訓推一體方案，旨在為中國及全球的資訊化處理程序注入強勁動力。
PT205 企業級PCIe Gen5 SSD
PT205是芯展速新一代國產高性能企業級PCIe Gen5記憶體解決方案，採用新一代更高層數3D TLC NAND，以超越行業標準的可靠性和性能，提供高性價比的企業級記憶體產品。產品支援U.2、E3.S、E1.S三種形態規格，提供單連接埠x4和雙連接埠2x2配置，滿足多樣化部署需求。
順序讀取性能高達14,800 MB/s，順序寫入達11,000 MB/s，隨機讀取達3,300K IOPS，隨機寫入達1,050K IOPS，MTBF達250萬小時，平均無故障時間行業領先。智能功耗管理實現Idle功耗低於5W，Active功耗低於25W，在保證高性能的同時有效降低TCO。
產品支援完整企業級功能，包括端到端資料路徑保護、硬體AES-XTS 256位加密、斷電保護、熱節流、TCG Opal 2.0等，提供5年質保，廣泛適用於資料中心、雲端運算、AI訓練與推理、巨量資料分析等核心場景。 (芯師爺)