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美光NAND Flash技術教學：從基礎原理、3D NAND架構到Charge Trap、QLC/PLC、CuA與WoW

🔷從F-N隧穿、Vt控制到3D NAND高層堆疊，拆解Flash記憶體底層技術 🔷聚焦可靠性、QLC/PLC、CuA與WoW，展望下一代NAND Scaling路線 在AI大模型、資料中心和高性能計算持續推高記憶體需求的今天，NAND Flash正在迎來一場從器件結構到製造工藝的深層變革。從早期的2D NAND、Floating Gate，到如今的3D NAND、Charge Trap、TLC/QLC以及數百層垂直堆疊，NAND提升記憶體密度的方式已經從“橫向微縮”全面轉向“縱向堆疊”。但層數越堆越高，新的問題也隨之出現 高深寬比刻蝕、Vt漂移、Program/Read Disturb、資料保持、橫向電荷遷移以及寫入性能，都在成為下一階段Scaling的關鍵瓶頸。 今天，小編就結合這份美光技術資料，從NAND最底層的F-N隧穿與Program/Erase原理講起，一路拆解3D NAND結構、Charge Trap、可靠性、高層堆疊、QLC/PLC、CuA、WoW等關鍵技術，並進一步看看一個更值得關注的方向——當Flash不再只是“存資料”，而開始參與AI存內計算，NAND的下一場技術變革究竟會走向那裡。
美光NAND Flash技術教學：從基礎原理、3D NAND架構到Charge Trap、QLC/PLC、CuA與WoW
科技#美光#NAND Flash#3D NAND
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傳SK海力士旗下Solidigm評估赴美建廠

9月21日消息，在美國川普政府動用關稅等一系列手段力推半導體製造回流美國的背景下，路透社援引知情人士爆料稱，韓國儲存晶片巨頭SK 海力士（SK Hynix）旗下Solidigm正評估赴美國建NAND Flash晶圓廠，目前考慮以紐約州北部為主要潛力基地。 報導指出，Solidigm 這項計畫與SK海力士洽談利用英特爾俄亥俄廠生產儲存晶片的計畫分開進行，目前尚未拍板。若美國新廠最終成案，可降低Solidigm對中國大連唯一NAND Flash生產基地的依賴，也有助分散美中關稅障礙、美國限制晶片裝置輸往中國等風險。 不過，美國製造成本明顯高於韓國，也讓SK海力士面臨兩難抉擇。美國商務部長盧特尼克（Howard Lutnick）再三警告，韓國晶片業者若不擴張美國產能，不排除加征100%關稅；韓國總統李在明則表示，政府尊重企業自主的決策，但期望以國家利益為優先，並坦言韓國晶片業赴美設廠“仍具爭議”。 報導指出，相較HBM與DRAM，NAND的戰略敏感度較低，因此Solidigm赴美設廠面臨的政治阻力可能較小。 SK海力士對此回應，目前一切都還在評估中，尚無任何具體決定。
傳SK海力士旗下Solidigm評估赴美建廠
國際#SK海力士#Solidigm#NAND Flash晶圓廠
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NAND漲到768億美元這個季度，全行業在幹一件反常識的事

NAND漲到768億美元這個季度，全行業在幹一件反常識的事 這事現在為什麼重要：2026年第二季度，全球NAND Flash市場規模衝到約768億美元，環比暴漲73.1%，單季度憑空多出來324億美元的收入。但真正值得警惕的不是漲幅本身，是這輪漲價裡，價格漲的速度明顯超過了出貨量漲的速度。 翻譯成人話：這不是"賣得更多了"，是"同樣的東西，賣得更貴了"。記憶體行業正在從"拼產能"切換到"拼定價權"，這個切換一旦完成，回頭路很難走。 一、先把數字擺清楚
科技#NAND Flash#AI 基礎設施#資本開支
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長江記憶體加速擴產！

長江記憶體（YMTC）已開始在武漢第三座晶圓廠（Fab 3）進行生產裝置的全面接入。隨著晶圓廠進入投產前的最後準備階段，其年內啟動初期營運已漸行漸近。 據報導，“武漢長江記憶體FAB3二次配管A區B包工藝裝置配管總承包項目”中的“氣體段3”已啟動，而二次配管（Secondary Piping）是指將已經鋪設到晶圓廠內部的氣體、水等公用工程供應網路，進一步連接到具體生產裝置。氣體管路則負責向刻蝕、沉積等半導體製造工序所使用的裝置輸送特種氣體。 業內將這一工程視為YMTC正在進一步推進已安裝生產裝置的啟用工作。 Fab 3預計年底開始初期營運
長江記憶體加速擴產！
A股#長江儲存#YMTC#NAND Flash
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高容量NOR仍將暴漲！

TrendForce近日指出，NOR Flash市場正在經歷近十年來最大規模的供需結構性變化。隨著AI需求佔據越來越多的半導體產能，高端應用持續升級，但NOR Flash位元產出增長有限，2026年下半年市場供需仍將維持緊張，合約價格處於高位，部分高容量產品價格甚至可能接近翻倍。 台灣及中國大陸廠商雖然都在擴產，但新增產能需要經歷製程微縮、良率提升、客戶驗證以及Design-in（設計匯入）等環節，因此短期內仍難以填補中高容量NOR Flash的供應缺口。 在主要廠商方面，旺宏（Winbond）作為市場份額領先者，將全面提升45nm產能，並逐步轉向25/20nm製程，預計Bit產出增幅最大。 兆易創新（GigaDevice）持續升級各容量產品線，重點覆蓋32Mb及以上產品，上半年受到海外晶圓代工整合影響，產出受到壓制，預計下半年逐步恢復。
高容量NOR仍將暴漲！
科技#NOR Flash#旺宏#兆易創新
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DeepSeek V4.1 Flash內測版發佈，Agent 能力更強，價格更便宜

官方消息放出後，已有很多開發者難掩激動，這次升級幾乎就是為Agent應用場景量身定做的。 官方介紹這個新的版本用了一套全新的架構體系，能夠從原生層面支援多模態的能力。這意味著它不僅能處理文字內容，還能夠直接地對圖片進行理解，並且在響應的速度方面也得到了進一步的提升，不過進行呼叫的成本卻比之前的情況還要更低。這無疑將緩解不少依賴API介面的團隊的壓力，畢竟在AI應用的開發過程當中，成本以及效率這兩個方面始終都是屬於難以同時解決的問題。 更加值得去進行關注的地方在於，這一次的升級重點明顯地朝著Agent服務這個方向產生了偏移。在任務計畫、程式碼大綱、思考切入角度等方面，V4.1 Flash模型都開展了具有針對性的最佳化工作。換成比較通俗的說法，即它更擅長拆解複雜任務、規劃執行路徑，並且還能夠更加自然地配合Agent來完成自動化的流程。有不少參與到內部測試當中的開發者給出了反饋，用這個模型來跑自動化的任務會感覺到非常地順手，無論是面對批次的推理以及對圖片的理解，還是進行Agent方面的測試，在表現上都是相當穩定的。 簡言之，DeepSeek V4.1 Flash的這一次升級，核心目標就是讓模型在自動化場景中更能幹。 (輕蜂學堂)
DeepSeek V4.1 Flash內測版發佈，Agent 能力更強，價格更便宜
科技#DeepSeek#V4.1 Flash
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長江記憶體衝刺上市：一文看懂 NAND 與 DRAM 的區別，中國記憶體“雙引擎”時代開啟？

長江記憶體上市處理程序推進，國產記憶體進入新階段 2026年，國產記憶體產業迎來重要節點。 公開資訊顯示，長江記憶體控股股份有限公司IPO申請已獲上交所受理，擬募集資金用於產線技術升級和研發投入。 與此同時，國內另一家記憶體企業長鑫科技也聚焦DRAM領域，兩家公司分別佈局記憶體晶片兩條核心技術路線：
長江記憶體衝刺上市：一文看懂 NAND 與 DRAM 的區別，中國記憶體“雙引擎”時代開啟？
A股#長江記憶體#IPO上市#NAND Flash
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Google又發新模型，Meta AI負責人“挑釁”：Gemini是誰啊？

Google的Pro模型遲遲未來，但是Flash模型又更新了，這已經是Google在六周內發佈的第三個Flash模型。 當地時間9月2日，Google宣佈推出Gemini 3.8 Flash，定位是“最智能的主力模型”，在軟體工程、智能體任務以及特定領域的關鍵多步驟推理方面，相比3.7 Flash有了提升。與此同時，Google還同步推出了一個安全模型Gemini 3.8 Flash Cyber，在漏洞檢測和自動修補方面具有前沿性能。 一位創業者感慨，Flash從3.7更新到3.8隻用了14天，“模型升級周期現在比你的評估周期還短。這才是對任何建構智能體的人來說的真正故事。” GoogleDeepMind核心成員姚順宇也下場推薦新模型，他表示，對模型而言，這只是邁出了一小步；但對於RSI（遞迴自我改進）來說，是一次巨大的飛躍。RSI通常指的是讓AI自己參與設計、訓練和改進下一代AI‌‌，但在部落格中Google並未展開講這一點。
Google又發新模型，Meta AI負責人“挑釁”：Gemini是誰啊？
美股#Google#Gemini 3.8 Flash