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長鑫科技：擬斥資349億元投建兩項目

擬241億元、108億元分別投建技術研發項目、記憶體器晶圓後道測試基地二期項目。 9月28日晚，長鑫科技發佈《關於使用部分超募資金投資建設新項目的公告》稱，擬使用超募資金人民幣130.00億元投資新建技術研發項目，同時，公司擬通過增資和借款方式向全資子公司長鑫記憶體產品（合肥）有限公司提供超募資金人民幣50.00億元，由其投資新建“長鑫記憶體產品（合肥）有限公司記憶體器晶圓後道測試基地二期項目”。 據瞭解，長鑫科技首次公開發行人民幣普通股（A股）7,691,301,608股（含超額配售選擇權全額行使），募集資金總額為人民幣6,660,667.19萬元，扣除發行費用（不含增值稅，含印花稅）人民幣29,627.82萬元，募集資金淨額為人民幣6,631,039.38萬元。公司對募集資金採取了專戶記憶體制度，設立了相關募集資金專項帳戶。募集資金到帳後，已全部存放於經公司董事會批准開設的募集資金專項帳戶內，公司與保薦機構、存放募集資金的商業銀行簽署了募集資金監管協議。 加速迭代，滿足下游需求與技術範式轉變
長鑫科技：擬斥資349億元投建兩項目
A股#長鑫科技#記憶體#DRAM
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合肥的晶片公司有那些

國內半導體產業版圖裡，合肥是極具代表性的黑馬城市。沒有傳統電子產業積澱，依靠精準產業佈局與持續資本投入，硬生生搭建起完整積體電路產業鏈。 如今的合肥，已經形成從晶片設計、晶圓製造、封裝測試，到裝置、材料、零部件配套的閉環生態，產業總投資突破千億元，聚集超六十家核心鏈上企業。 很多人對合肥晶片產業的認知，僅停留在長鑫記憶體、晶合整合兩家龍頭。實際本地賽道佈局更廣，覆蓋記憶體、顯示驅動、AI算力、功率半導體、感測器、量子晶片等多個細分領域。 長鑫記憶體設計團隊紮根合肥，聚焦DRAM動態隨機存取記憶體器研發設計。
合肥的晶片公司有那些
A股#合肥半導體#半導體產業鏈#晶圓製造
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《研報》長鑫記憶體、長江儲存、兆易創新、瀾起科技、江波龍深度商業解讀：從DRAM、NAND到主控與SSD，讀懂中國儲存產業鏈價值分工

研究對象：長鑫儲存（DRAM IDM）、長江儲存（3D NAND IDM）、兆易創新（NOR+SPI NAND Fabless）、瀾起科技（記憶體介面晶片Fabless）、江波龍（儲存模組/SSD系統整合） 核心命題：五家企業並非同業競爭，而是儲存產業鏈上五個完全不同的價值節點。長鑫與長江是底層晶圓顆粒製造（IDM）；兆易是小容量非易失儲存晶片設計；瀾起是伺服器記憶體互連配套晶片；江波龍是把顆粒、主控、PCB組裝成記憶體條、SSD、嵌入式儲存模組的系統整合商。 底層邏輯：儲存產業鏈的價值分配，遵循「裝置材料>晶圓製造IDM>專用晶片設計>模組整合」。儲存週期波動傳導順序：上游裝置材料→儲存原廠顆粒→模組廠商。國產儲存的突圍不是單點突破，而是顆粒、配套晶片、主控、模組、韌體、測試全鏈條協同。 第一卷 緒論：大眾最容易混淆的概念——DRAM、NAND、NOR、記憶體介面晶片、SSD模組
A股#長鑫儲存#長江儲存#兆易創新
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記憶體晶片，新變局！

儲存製造，重新回到美國？ 美國曾經在儲存領域擁有絕對的主導權。如果把時間拉回二三十年前，美國其實是全球儲存產業最重要的發源地之一。 英特爾、美光、AMD、閃迪，以及後來從AMD和富士通快閃記憶體業務中發展起來的Spansion（飛索半導體），都曾是全球儲存產業的重要力量。 但在之後漫長的產業整合中，美國儲存產業發生了明顯分化。
記憶體晶片，新變局！
科技#儲存晶片#美光#三星
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長鑫記憶體、長江記憶體、兆易創新、瀾起科技、江波龍到底有什麼區別？從DRAM、NAND到主控和SSD，看懂中國記憶體產業鏈真正的價值分工

上一篇文章我們聊HBM時提到：未來記憶體行業競爭，不會只是“誰能製造DRAM”。 而會變成：記憶體製造能力、先進封裝能力、高速介面能力以及系統解決方案能力的綜合競爭。 這也帶來一個問題：中國記憶體產業裡面，到底誰真正受益？ 很多時候，市場會把：長鑫記憶體、長江記憶體、兆易創新、瀾起科技、江波龍、佰維記憶體放在一起討論。
科技#半導體#長鑫儲存#長江儲存
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長鑫記憶體下一代DRAM新突破：垂直無結電晶體+MoN金屬柵，Vth提升35%！

🔷DRAM電晶體開始“豎起來”，金屬柵也從TiN走向MoN 🔷Vth提升35%、漏電降低約40%，下一代1T1C技術路線浮出水面 在整理這份DRAM技術資料時，小編最大的感受是 當傳統DRAM不斷逼近微縮極限，電晶體“豎起來”只是第一步，如何進一步解決漏電、閾值電壓與可靠性問題，正在成為下一代DRAM的關鍵。這篇論文中，長鑫儲存（CXMT）將垂直無結柱狀電晶體（VJLPT）與高功函數MoN金屬柵結合，在保持約7.6 μA/cell導通電流的同時，將閾值電壓從0.20 V提升至0.35 V。 今天，小編就藉著這篇論文，帶大家看看下一代1T1C DRAM如何從平面電晶體走向垂直電晶體，以及MoN金屬柵、Wrapped Gate和VJLPT，如何成為DRAM繼續向更高密度、更低漏電方向演進的新技術路線。
長鑫記憶體下一代DRAM新突破：垂直無結電晶體+MoN金屬柵，Vth提升35%！
科技#DRAM#長鑫儲存#MoN
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長鑫存儲 G5 平台量產，中國DRAM 逼近頂尖節點

近日長鑫存儲（CXMT）在合肥舉行的 2026 世界製造業大會上宣佈，其第五代 DRAM 技術平台（G5 平台）實現量產。公司稱這標誌著工藝微縮取得新突破，並同步展出兩款基於該平台的 LPDDR5X 產品。 G5 平台的關鍵工藝指標 據長鑫存儲披露，G5 平台採用創新的四重曝光（SAQP）技術，把記憶體陣列有源區半間距微縮到 11.95 納米，接近全球最先進的量產記憶體平台。同時，儲存電容深寬比達到 45:1，核心功能區高度縮小到 6762 納米，並採用適配 DRAM 的高介電常數金屬柵（HKMG）工藝。 按行業慣例，有源區半間距是衡量 DRAM 密度的通用標尺。三星、SK 海力士最先進的 1x 納米級 DRAM 大致處於同一區間，美光的 1γ 節點也在相近水平。
長鑫存儲 G5 平台量產，中國DRAM 逼近頂尖節點
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長鑫正在從“國產替代”，走向全球DRAM第四極

最近長鑫有三個動作，我覺得應該放在一起看。 9月7日，LPDDR6在旗艦手機實現量產商用；9月20日，第五代DRAM技術平台G5宣佈量產；再往前，媒體披露長鑫已經開始小批次生產HBM3E，平頭哥、寒武紀等國內AI晶片廠商正在測試。 這三件事指向的是同一個變化： 長鑫正在從“有沒有國產DRAM”，進入“能不能做高端DRAM”的階段。
A股#長鑫存儲#DRAM