過去我們討論DRAM，更多關注的是製程縮小、容量提升和成本下降，但到了AI時代，小編越來越明顯地感受到，DRAM真正的競爭已經不再只是“單顆晶片能做多大”，而是整個Memory System能不能跟上GPU算力增長的速度。 當算力持續飆升，Memory Bandwidth、Latency、Power、Capacity以及Reliability正在同時成為系統瓶頸，傳統依靠1T1C Cell持續微縮的Scaling路線，也開始面臨越來越大的壓力。 這篇文章，小編就結合Rambus與三星的這份系統級教學，帶大家看看未來DRAM將如何從單純的Device Scaling，走向3D DRAM、HBM4/4E、MRDIMM、CAMM/SOCAMM、CXL Memory以及PIM/PNM多路線平行演進，以及AI時代的記憶體競爭，為什麼正在從“DRAM晶片升級”全面邁向“Memory System重構”。 一、這份材料真正想說明什麼？

三星在一份聲明中表示，這一名為zHBM的新系統將高帶寬內存垂直堆疊在AI加速器之上，其性能約為下一代HBM5的八倍。作為成為AI時代端到端基礎設施提供商努力的一部分，三星還推出了其他新技術，包括zNAND-O和V10 BV-NAND架構。 三星電子正大力宣傳其最先進內存硬體在性能和能效方面的提升，以期在競爭中超越SK海力士和美光科技。 當地時間8月4日，三星電子在FMS年度記憶體行業峰會上，正式宣佈了zHBM和zNAND-O兩款概念產品，以及業界首款採用晶圓鍵合技術、堆疊層數超過400層的V10 BV-NAND。 其中，zHBM將高帶寬內存直接垂直堆疊於AI加速器晶片之上，性能預計約為下一代HBM5的8倍。