美國銀行認為，近期儲存股的集中回調，主要來自 Meta 訂單、長鑫科技進入蘋果供應鏈及韓國擴產等風險敘事，並不代表行業基本面已經反轉；

Meta 對外提供數據中心或雲服務，更可能是算力變現與業務多元化，而非儲存需求大幅削減，其 HBM、LPDDR5 和企業級 SSD 需求仍在增長；

長鑫科技短期內較難成為蘋果的重要 DRAM 供應商，蘋果更可能將其作為與三星、SK 海力士和美光進行價格談判的籌碼；

日本產業鏈調研顯示，三、四季度 DRAM 與 NAND 價格仍有望環比上漲，2027 年行業可能繼續短缺，廠商資本開支與晶圓產量仍相對剋制；

儲存行業仍處於強周期，但隨著產品價格和相關股票大幅上漲，後續行情將更加依賴盈利兌現，類股波動與個股分化可能明顯加大；

過去一周，全球儲存股經歷了一輪顯著回調。

市場很快為這次下跌找到了三條看似合理的解釋：Meta 準備向外部出售部分算力，可能意味著此前的數據中心建設出現過剩；蘋果正在評估長鑫科技的 DRAM，可能打破三星電子、SK 海力士和美光的供應格局；韓國又公佈了規模龐大的半導體產業叢集計劃，進一步加劇未來供給過剩的擔憂。

三條敘事最終都指向同一個結論：需求可能見頂，供給即將擴張，儲存超級周期或許已經走到尾聲。

但美國銀行在最新一期《Global Memory Tech》報告中給出的判斷恰恰相反。

在其看來，上述風險並非完全不存在，但市場明顯高估了它們對短期供需格局的影響，無論是雲廠商資本開支、韓國半導體出口，還是 DRAM 與 NAND 的現貨及合約價格，都尚未顯示出儲存周期已經發生方向性逆轉。

真正發生變化的，不是基本面由強轉弱，而是行業在經歷大幅漲價和股價重估後，開始進入一個基本面仍強、交易難度卻顯著上升的新階段。

逐個盤點，市場擔憂是否成立？

1. Meta 對外賣算力，不等於削減儲存訂單

市場對 Meta 的擔憂，來自一個看似合理的推論：如果 Meta 開始向外部客戶開放數據中心或出售雲服務，是否意味著公司此前採購了過多服務器，內部業務已經無法消化現有算力？

如果答案是肯定的，GPU、HBM、服務器 DRAM 和企業級 SSD 等 AI 硬體需求，便可能隨之下降。

但美國銀行報告表示，從產業鏈反饋來看，儲存晶片廠商認為 Meta 將繼續在 AI 數據中心中更積極地採用 HBM、LPDDR5 和企業級 SSD 等高性能儲存產品，因此市場關於「Meta 將出租前期過度投資的 AI 服務器或雲基礎設施」的猜測缺乏充分依據。

甚至於部分 NAND 控製器晶片和封裝基板材料廠商反而表示，Meta 的晶片及零部件訂單仍在增強，因此 Meta 向外部客戶開放自有數據中心，更可能是一種資產變現和業務多元化嘗試，而不是被迫處理嚴重過剩的算力。

另外，種種跡象表明，Meta公司仍在加速其全球算力設施建設，中長期擴產規劃尚未改變。據報導，Meta擬投資100億美元在加拿大建設首個數據中心，以支援其人工智慧發展目標。公司數據中心開發與戰略副總裁加里·德馬西（Gary Demasi）表示，其將是Meta公司在美國以外最大的數據中心。

2. 長鑫科技進入蘋果供應鏈，更像價格談判籌碼

美國銀行報告預計，蘋果短期內大規模採用長鑫科技 DRAM 的機率仍然較低。

細數的話，主要存在三方面制約：

首先是政策與供應鏈限制：蘋果需要考慮美國針對中國半導體產業的相關限制，以及由此帶來的合規和供應鏈風險；

其次是技術規格：蘋果對移動 DRAM 的傳輸速度、功耗和可靠性要求較高，包括 10Gbps 以上的傳輸速度、約 1.1V 的低功耗設計，以及 ECC 錯誤校正能力。長鑫科技能否長期穩定、大規模滿足這些要求，仍需進一步驗證；

最後則是是知識產權風險：DRAM 核心專利長期集中在三星、SK 海力士和美光等頭部廠商手中。蘋果若大規模採用專利覆蓋不足的產品，可能面臨潛在訴訟及供應中斷風險；

長鑫科技理論上可以爭取低端 iPhone 18e 訂單，但考慮到相關機型在中國市場的規模，實際採購量預計有限。

相比真正重構供應鏈，蘋果更可能借此提升自己在 2026 年下半年或 2027 年合約價格談判中的議價能力，因此這一事件短期內更可能影響三星、海力士和美光的定價預期，而非立刻改變全球 DRAM 的供需格局。

3. 韓國大規模擴產，不代表短期供給失控

近期另一個擔憂來自韓國的新一輪半導體產業叢集規劃。

部分投資者認為，韓國政府計劃在西南部地區投入約 800 兆韓元建設新的儲存晶圓廠叢集，可能意味著儲存周期已接近頂部，但美國銀行報告則對此持否定態度，並預計該項目在 2030 年代初以前難形成大規模有效供給，且現階段仍需優先推進龍仁和平澤產業叢集在 2026-2035 年的擴建。

因此，一項橫跨十餘年的產業規劃，不能直接等同於未來兩三年供給即將失控，長期擴產值得持續跟蹤，但尚不足以成為判斷本輪儲存周期見頂的直接依據。

美國銀行近期在日本開展的產業鏈調研，也繼續強化了對儲存行業的樂觀判斷。

日本投資者普遍認可當前行業景氣，但隨著產品價格與相關股票快速上漲，市場也開始更加關注潛在的下行周期，且相比投資者的謹慎，產業鏈管理層給出的判斷仍然偏積極：

二季度儲存 ASP 表現強勁，尤其是 NAND；

三、四季度 ASP 預計仍將高於二季度；

2027 年 DRAM 與 NAND 可能繼續處於短缺狀態；

長期供貨協議數量增加，但主要仍以採購量約定為主；

資本開支與晶圓產量繼續保持克制，尤其是日本 NAND 廠商；

這意味著，儘管市場已經開始提前討論下一輪供給周期，但從廠商實際擴產和客戶採購行為來看，行業仍未進入明顯的供給失控階段。

在 7 月 2 日發佈的報告中，美國銀行預計，受特別獎金支出以及智能手機業務利潤率承壓影響，三星電子二季度整體營業利潤可能略低於市場較為樂觀的預期；但由於 DRAM 與 NAND 平均售價強勁，儲存業務單獨計算的營業利潤仍有望高於市場預期。

報告發布五天後，三星於 7 月 7 日公佈二季度初步業績：合併銷售額約 171 兆韓元，營業利潤約 89.4 兆韓元，分別同比增長 129.3% 和 1810.3 %。其中，營業利潤高於市場此前約 86 兆韓元的預期，意味著美國銀行關於集團整體利潤可能略低於樂觀預期的判斷，最終並未兌現。

不過，三星此次披露的仍是集團層面的初步業績，尚未公佈儲存、晶圓代工及移動業務的詳細利潤數據，因此儲存部門是否單獨超出預期，仍需等待完整業績確認。結合二季度 DRAM、NAND 價格上漲以及韓國半導體出口大幅增長來看，儲存業務大機率仍是推動三星本輪利潤躍升的核心力量。

出口、ASP 與產品價格釋放了什麼信號？

2026 年 6 月，韓國半導體出口額達到 448 億美元，環比增長 21%，同比增長 199%，並已連續六個月實現三位數同比增長。

這一數字約為 2025 年月均 140 億美元的三倍，反映出當前儲存漲價已經開始明顯傳導至出口收入和企業盈利。

當然，出口額上升並不完全代表出貨量同步增長，其中很大一部分增量來自產品平均售價的快速提高，但這也恰恰說明，當前產業鏈的核心矛盾仍然是價格上漲和供給偏緊，而不是庫存積壓或需求明顯萎縮。

韓國半導體出口額及同比增速：2026 年 6 月出口顯著躍升（原報告第 2 頁）

2. DRAM 仍然是當前最強的儲存品類

TrendForce 已將 2026 年三季度 DRAM ASP 預測，由環比上漲 3%—8% 上調至 13%—18%；美國銀行則預計，2026 年第二至第四季度 DRAM ASP 將分別環比上漲 53%、17% 和 7%。

兩組預測的具體口徑有所不同，但共同指向同一個趨勢，那就是DRAM 下半年仍將繼續漲價，只是隨著價格基數升高，環比漲幅可能逐季放緩。

截至 2026 年 7 月初，16Gb DDR5 現貨價格約為 47 美元，16Gb DDR4 約為 75 美元，均明顯高於上一輪儲存周期的價格高點，核心原因並不只是終端客戶補庫存，而是儲存廠商持續將晶圓產能轉向利潤率更高的 HBM 和服務器 DRAM。

先進產能被 AI 相關產品吸收後，傳統 DDR4 和常規 DDR5 能夠獲得的供給同步減少。

尤其是 DDR4。隨著頭部廠商逐步退出成熟產品，DDR4 出現明顯的結構性短缺，16Gb DDR4 與 DDR5 的合約價格均已升至 35—40 美元區間，DDR5 相對 DDR4 長期存在的技術溢價基本消失。

這並不意味著市場更偏愛舊一代 DDR4，而是廠商退出速度快於客戶完成產品切換的速度，導致成熟產品反而變得更加稀缺。

3. NAND 漲價放緩，但絕對價格仍處高位

相比 DRAM，NAND 價格的邊際變化更加明顯。

512Gb NAND 晶圓現貨價格在 2026 年 3 月達到階段高點後，於 4—6 月逐步趨穩或略有回落，但年內仍上漲超過 50%，約為 2025 年 2 月低點的八倍。

NAND 合約價約為 25 美元，約為 2025 年 2 月低點 2.5 美元的十倍，在 2025 年第四季度和 2026 年第一季度經歷大幅上漲後，4—6 月 NAND 合約價格的單月漲幅已經回落至 1%—5% 左右。

這並不意味著 NAND 價格已經反轉，而是說明客戶對高價的承受能力逐漸接近極限，漲價速度正在回歸正常。

客戶端 SSD 價格的變化尤其直觀。截至 2026 年 6 月，512GB 客戶端 SSD 價格已由 2025 年底的 73.1 美元升至 137.5 美元，接近翻倍，反映出上游 NAND 漲價正在持續向終端產品傳導。

因此，NAND 當前更準確的狀態是絕對價格仍然很高，但環比上漲速度正在放緩。

64GB 服務器 DRAM 模組價格創下歷史新高，其中 DDR5 約為 1400 美元，DDR4 約為 1100 美元。2026 年 6 月，DDR5 服務器 DRAM 合約價再次上漲，DDR4 價格則基本持平。

這說明，即使部分消費級儲存產品的漲價速度開始放緩，AI 服務器和數據中心相關的高端儲存需求依然強勁。

雲資本開支仍是需求錨點，但投資邏輯正在改變

Amazon、Microsoft、Alphabet 與 Meta 等超大規模雲廠商，正在成為儲存新增需求最重要的來源。報告預計，四家公司 2026 年合計資本開支約為 7000 億美元，同比增長約 80%；2027—2028 年，年度資本開支規模可能進一步接近 1 兆美元。

且美國銀行並未看到主要雲廠商在 2027 年明顯削減資本開支的跡象，那就意味著這些投入最終將轉化為更多 AI 加速器與 HBM、更多服務器 DRAM、更多企業級 SSD、更多數據中心及 AI 推理基礎設施。

美國主要超大規模雲廠商資本開支、收入與毛利率趨勢（原報告第 3 頁）

報告預計，2026—2028 年，四大科技公司的整體收入有望增長 15%—20%，雲業務收入同比增速可能達到 35%—40%。

其中 AWS 營業利潤率預計維持在 35% 以上，Azure 可能超過 40%，Google Cloud 則有望達到 30%—35%。

只要雲業務仍能保持較高的收入增速和利潤率，科技巨頭便仍有繼續擴大 AI 基礎設施投入的商業動力。

雲收入與雲業務營業利潤率趨勢（原報告第 3 頁）

2. 本輪周期已不再只是消費電子補庫存

本輪儲存周期與過去最大的不同，是需求不再主要依賴智能手機和個人電腦補庫存。

過去的儲存周期，往往主要由個人電腦和智能手機庫存變化驅動，形成了典型的周期特徵，譬如終端需求上升、客戶補庫存、儲存價格上漲；隨後廠商擴大產能、庫存逐漸積累，價格再度進入下行周期。

但本輪儲存周期的結構更加複雜，當前需求早已經由單一消費電子補庫存，擴展至：

DDR4 產能退出帶來的結構性短缺。

這意味著，只觀察 PC 和智能手機銷量，已經不足以判斷整個儲存周期——即使部分消費電子需求因價格過高而承壓，AI 服務器和數據中心仍可能繼續吸收高端產能，使整體供給保持偏緊。

但這也意味著，類股內部的分化會越來越明顯。簡言之，HBM、服務器 DRAM、企業級 SSD 和先進封裝相關企業，可能繼續受益於更強的訂單與利潤率；過度依賴客戶端、手機和消費級 NAND 的廠商，則可能更早感受到需求彈性下降。

2026 年以來，NAND、HDD 和 DRAM 相關股票普遍經歷了大幅上漲。

原報告圖表顯示，SanDisk 與鎧俠年內漲幅一度超過 800%，DRAM 廠商和部分半導體公司同樣顯著上漲。

在這種情況下，即使行業基本面沒有發生方向性變化，任何關於客戶訂單、資本開支、新增供給或價格談判的消息，都可能引發劇烈波動。

因此美國銀行對儲存行業的判斷，可以概括為基本面仍然偏多，但股價已經不再處於可以忽略風險的階段，總的來看，未來類股表現將更加依賴三項因素：

第一，儲存價格能否維持在足以推動盈利繼續上修的水平；

第二，企業實際利潤增速能否消化此前的估值擴張；

第三，新增資本開支是否繼續保持克制，避免長期供給預期過快惡化；

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