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據路透社報導,全球光刻機龍頭ASML正與其光學合作夥伴卡爾蔡司(Carl Zeiss)共同推進一項名為“Hyper NA”的十年期項目,旨在開發下一代晶片製造工具。該裝置預計可列印5奈米級的更小電路,同時將大量復用ASML與蔡司現有的技術系統。 Hyper NA的體積預計比ASML當前的高數值孔徑(High-NA)EUV光刻機小三分之一以上,這意味著在同等產能下,裝置佔地面積將顯著縮減,為晶圓廠節省寶貴的潔淨室空間。知情人士透露,ASML已啟動相關技術的研發工作,但尚未對量產做出正式承諾,具體推進節奏將取決於公司內部調整、合作夥伴進展以及市場競爭態勢。 在技術路徑上,蔡司已開始製造精度足以滿足Hyper NA要求的反射鏡。其他在研的晶片製造工具也計畫採用更短波長的光源。由於更換光源方案意味著整個照明系統需要重新設計,ASML可能會沿用現有EUV光源技術,以降低開發風險和成本。 當前,晶片製造商正持續在設計、性能和能效方面最佳化半導體,聚焦更小的特徵尺寸以提升速度並降低功耗。在這一處理程序中,光刻技術始終是核心瓶頸。ASML的Hyper NA項目若成功落地,將為未來十年先進製程的持續微縮提供關鍵支撐。不過,從研發到量產,光刻裝置的商業化之路通常漫長且充滿不確定性,Hyper NA能否如期在約十年內面世,仍有待觀察。 (晶片行業)
ASML:EUV光刻機十年計畫啟動!