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0.7nm晶片的電晶體

互補型場效應電晶體 (CFET：COMPLEMENTARY FET ) 器件架構有望在邏輯技術路線圖中取代環柵 (GAA) 奈米片電晶體。在 CFET 器件中，n 型和 p 型 MOS 電晶體堆疊在一起，首次消除了標準單元高度中 n-p 間距的限制。因此，如果能與先進的電晶體接觸和供電技術相結合，CFET 器件架構有望大幅縮小邏輯標準單元尺寸。在所有可能的整合流程中，單片CFET (mCFET：monolithic CFET) 被認為是干擾最小的，它能以最快的速度將CFET引入到符合行業實際尺寸的器件中。採用單片整合，具有共用頂部和底部柵極的垂直器件結構可以在一系列工藝步驟中完成圖案化和加工。垂直堆疊層帶來了一些挑戰，需要CFET專用模組來實現堆疊橫截面關鍵部分的垂直隔離。例如，中間介質隔離 (MDI) 模組可以提供頂部和底部柵極之間的隔離。這使得可以為頂部和底部器件設定不同的閾值電壓。近年來，在展示300mm mCFET整合流程的關鍵建構模組方面取得了顯著進展。在2024年VLSI大會上，imec的研究人員報告了一種帶有MDI模組的mCFET器件，該器件與內部間隔層相容——內部間隔層是一種奈米片特有的結構，可以將柵極與源極/漏極 (S/D) 隔離。在 IEDM 2024 上，imec 通過實驗演示了一種功能性 mCFET，其背面直接與底部 pMOS 器件的源漏極 (S/D) 接觸。Imec 預計將在邏輯技術路線圖的 A7 節點（0.7nm）引入 mCFET 器件架構，屆時 mCFET 將取代外壁叉片（outer wall forksheet）（圖 1）。後者旨在將基於奈米片的邏輯路線圖擴展到 A10 節點，以期屆時 mCFET 能夠實現量產。mCFET 向更多節點的擴展性 業界關注的問題在電路層面，imec 提出雙排（double-row ） CFET 架構是將 mCFET 整合到 A7 標準單元中的最優方式 。雙排 CFET 標準單元包含兩排堆疊的器件，中間共享一個垂直訊號過孔，單元邊界處設有“VSS”功率牆。在 IEDM 2024 上，imec 通過一項設計技術協同最佳化 (DTCO) 研究，展示了這種雙排 CFET 架構如何在 A7 技術節點上實現製造能力和面積效率之間的最佳平衡（圖 2）。然而，業界一直不願轉向新的器件架構，因為這需要巨額的工具投資和額外的風險。為了成功過渡，新架構能夠跨不同節點使用至關重要。因此，imec 的研究人員繼續開展 DTCO 研究，以探究雙排 mCFET 在後續技術節點上的可擴展性。為了評估電路級的功率-性能-面積 (PPA) 指標，研究人員模擬了一個 15 級環形振盪器（即包含 15 個基於 mCFET 的逆變器的 RO）的運行情況。該 RO 採用越來越小的標準單元佈局實現，符合 A7、A5 和 A3 節點規範。為了支援可擴展性，必須在受限的功率密度預算下，保持各節點上 RO 的每性能。性能評估的關鍵指標是 RO 的頻率，表示為有效驅動電流與有效電容之比。關鍵性能提升措施隨著標準單元尺寸的縮小，單個 CFET 溝道的薄層寬度也隨之減小，從而降低了有效驅動電流並增加了寄生電容。因此，需要性能提升措施來平衡這些參數，並在不同節點上保持性能一致，同時限制功率密度的增加。M0 電源軌可以提供額外的優勢。擴展到 A5 節點需要引入外壁叉片器件架構（圖 3）。此前，叉狀片狀（forksheet）結構被認為是奈米片狀器件的延伸，但其結構與CFET設計完全相容。叉狀片狀結構的外壁最後壁設計方法之所以引人注目，是因為它能增強溝道應力，從而提高CFET器件的驅動電流。叉狀片狀結構共享的n-n或p-p壁使得柵極延伸範圍更小，從而降低了柵極寄生電容。採用Ω形柵極可以更有效地包裹溝道，從而獲得更多優勢。A3 節點除了 Ω 型柵極外壁叉片和 M0 電源軌（圖 4）之外，還需要一個額外的性能增強器。通過引入混合溝道取向，可以進一步提高有效驅動電流。調整溝道取向會影響載流子的遷移率，n 型和 p 型器件的最佳取向有所不同。需要注意的是，最佳選擇還取決於溝道中是否引入應變（以及應變的大小）。imec 團隊評估了各種溝道取向，發現最佳組合可將驅動電流提高高達 20%。可以通過平衡溝道寬度來補償由此帶來的功率密度增加。嵌入式 MDI 模組在 IEDM 2025 上，imec 通過實驗演示了關鍵模組：嵌入式 MDI 模組，該模組允許在 mCFET 工藝流程中整合不同方向的頂部 nMOS 器件和底部 pMOS 器件的溝道。eMDI的製造工藝流程始於載流子和供體晶圓，在晶圓上分別外延生長CFET特有的Si和犧牲SiGe層堆疊結構，用於形成底部溝道和頂部溝道。然後，使用晶圓熔合鍵合技術將這些外延堆疊結構重新組合。SiCN鍵合介質成為mCFET器件結構中嵌入的MDI單層薄膜，用於隔離底部和頂部部分。完成這些步驟後，使用傳統的mCFET工藝流程完成mCFET的加工，包括奈米片圖案化、Si鰭片顯露、柵極和內部間隔層形成、底部和頂部源漏極外延生長以及金屬柵極替換（圖5）。Imec成功地將該eMDI模組整合到完整的mCFET工藝流程中，並展示了具有不同溝道取向的功能性頂層器件：(100)矽頂層nFET、(100)和(110)矽頂層pFET。這些頂層器件採用正面連接方式製造（圖6）。隨後，整合流程進一步擴展，實現了與mCFET底部器件的直接背面接觸。imec CFET團隊展示了具有整合eMDI模組、正面連接的(100) Si頂部nFET以及直接背面接觸的(110) Si pFET的功能性mCFET器件（圖7）。eMDI 的優勢與早期版本的 MDI 模組（imec 稱之為替代 MDI 或 rMDI ）相比，eMDI 模組具有多項優勢。在 rMDI 中，有源 Si/SiGe 外延堆疊被轉換為一個高 Si/SiGe1/SiGe2 多層堆疊。在後續工藝流程中，犧牲層 SiGe1 被柵極功函數金屬取代，而富鍺 SiGe2 層則轉化為 MDI 介質層。兩種方法的主要區別在於初始襯底工程（圖 8）。在 eMDI 方案中，mCFET 工藝從預先嵌入 MDI 模組的先進鍵合襯底開始。在首次鍵合之前，使用單獨的晶圓生長 n 和 pMOS 有源外延層，這使得可以整合異質溝道，從而最佳化 n 和 pMOS 器件的性能。這些溝道可以是不同取向的（如本研究所示），也可以是具有不同應變的溝道，甚至可以是使用不同材料的 n 和 p 溝道。其他優勢包括降低工藝複雜性和簡化外延生長步驟：eMDI 避免了沉積複雜的Si/SiGe1/SiGe2 多層堆疊結構，也無需用介質層替換虛擬 SiGe2 層。此外，通過在兩個獨立的晶圓上生長外延堆疊結構，可以在外延生長過程中達到層弛豫之前加入更多 Si 溝道，從而提高設計的靈活性。這種新型 MDI 模組只需對 mCFET 流程進行少量修改，即可整合到任何 mCFET 基線中。不同的溝道材料，嵌入式底部介質隔離模組Imec目前正在最佳化基於eMDI的mCFET工藝流程中不同溝道方向的關鍵模組。未來的工作將擴展該方案，以整合不同的溝道材料，例如用於pMOS的Ge和用於nMOS的Si。此外，imec CFET 團隊計畫採用類似的“嵌入式”方法來整合底部介質隔離層 (BDI)，該工藝模組用於將源漏外延層與襯底隔離。與目前使用的替代型 BDI (rBDI) 相比（圖 9），採用基於晶圓鍵合層轉移的 eBDI 方法有望簡化背面連接的整合。此外，eBDI 方法還能為 BDI 材料的選擇提供更大的自由度。一種選擇是使用高導熱材料，這或許可以緩解人們對 mCFET 熱可靠性的擔憂。Imec 通過一項 DTCO 研究確定了支援跨多個技術節點的 mCFET 器件架構進行激進面積縮放所需的性能提升措施。雖然最小化寄生柵極電容對於 A7 節點至關重要，但 A5 和 A3 節點將引入帶有 Ω 形柵極的外壁叉形結構以及 M0 電源軌。對於 A3 節點，引入分別針對 p 型和 n 型 MOS 最佳化的異質溝道對於在最終縮放的標準單元尺寸下保持性能和功率密度至關重要。eMDI 模組是實現 mCFET 流程中異質溝道整合的關鍵使能技術。這已在具有不同溝道方向的 nMOS 和 pMOS 頂部器件的 mCFET 器件上進行了實驗驗證。 (半導體行業觀察)
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銀行開始大規模賣房，七折的房子你會買嗎？

近期，銀行業意外地成為房地產市場的重要供應方。在京東、阿里等知名資產拍賣平台上，銀行直接提供的房源數量顯著增加，且這些房源的售價極具吸引力，普遍僅為市場價格的70%至80%。那麼，為何市場上會突然湧現如此大量的銀行直供房源？這對房地產市場以及普通民眾將產生何種影響？銀行直供房源並非新興現象，但其規模在近期急劇擴大，這或許主要與兩類抵押房產有關：一是個人住房按揭貸款的抵押房產，二是個體工商戶及小微企業申請經營貸款時用作抵押的房產。若這兩類抵押房產的借款人無法按時償還貸款，這些房產便可能成為銀行進行資產處置的對象，進而構成銀行直供房源的主要來源。以個人住房按揭貸款為例，購房者在申請貸款時，通常需將所購房產抵押給銀行。若借款人無法按期還款，例如累計逾期達六個月，或連續三個月未能償還貸款，銀行便有權終止借款合同，並依法通過司法程序對抵押房產進行處置，以變現資金來收回貸款。近年來，全國房價持續呈現下跌態勢，至2025年，這一趨勢不僅未有緩解，反而加速下滑。根據國家統計局最新發佈的房價資料，今年10月份，一線、二線及三線城市的二手住宅價格同比分別下降了4.4%、5.2%和5.7%，跌幅均呈現擴大趨勢。經過持續下跌，眾多城市的房價累計跌幅已超過30%，甚至部分城市跌幅高達40%。對於房地產市場而言，30%的跌幅是一個關鍵的分水嶺，因為這意味著許多人的房產已淪為負資產，即房產的市場價值低於其銀行貸款餘額。當房產變為負資產時，房主將面臨一個艱難的抉擇：是否應斷供並放棄房產？對於大多數自住家庭而言，若家庭收入穩定且現金流正常，他們通常不會輕易放棄房產。然而，對於那些收入本就不穩定的家庭而言，一旦房產價值跌至負資產水平，他們可能會選擇斷供並放棄房產，這些房產隨後便成為銀行進行資產處置的目標。《一路朝陽》劇照《一路朝陽》劇照所展現的房地產市場現象背後，除房貸抵押房源外，銀行直供房數量的增加，在很大程度上與經營性貸款的變動緊密相關。經營性貸款，是指借款人以其所擁有的房產或金融資產作為抵押物，向銀行申請貸款，該筆資金主要用於滿足企業日常營運中的資金周轉等需求。自疫情衝擊過後，為助力小微企業紓困發展，政府針對經營性貸款實施了財政貼息政策。這一舉措使得經營貸的利率顯著降低，進而推動其規模迅速擴張。據統計，2020年末，中國住戶經營性貸款餘額為13.62兆元；而截至今年三季度，這一數字已攀升至25.21兆元，幾乎實現了翻倍增長。經營貸規模之所以能夠如此快速地增長，一方面得益於利率下調後，更多小微企業選擇通過經營貸獲取資金支援；另一方面，也不乏個人利用經營貸違規購房的情況。事實上，大量經營貸並未按照既定用途用於創業或企業營運，而是違規流入了房地產市場。針對這一現象，2021年，銀保監局、住建部與央行三部門曾聯合發佈檔案，明確要求嚴防經營用途貸款違規流入房地產領域。由於經營貸的期限普遍較短，通常在3年左右，因此2025年將成為經營貸集中到期的高峰年份。屆時，那些當年通過經營貸購房的貸款者，將面臨到期還款的嚴峻挑戰。考慮到抵押房產在3年間的價值可能已大幅縮水，貸款者既無法獲得展期續約，又缺乏足夠的償還能力，因此，當年通過經營貸購入的房產，如今已開始批次出現違約風險，成為銀行亟待處置的不良資產。從銀行的角度來看，當前正面臨著較大的不良資產處置壓力。隨著經濟增速的放緩，銀行的不良資產規模也隨之上升。金融監管總局的資料顯示，今年三季度，全國商業銀行的不良貸款餘額已達3.5兆元，不良貸款率也攀升至1.52%，均呈現出明顯的上升趨勢。為應對這一挑戰，今年3月份，財政部還向四大國有銀行注資5000億元，以補充銀行資本，增強其風險抵禦能力。《最食人間煙火色》劇照《最食人間煙火色》劇照所反映的，正是這一複雜多變的金融環境。近日，國家金融監督管理總局局長李雲澤也明確表示，將“牢牢守住不發生系統性金融風險的底線”，通過加大不良資產處置力度、補充銀行資本、豐富處置資源和手段等多項措施，確保金融市場的穩定與健康發展。為確保金融體系穩健運作，監管機構已明確要求銀行加速不良資產處置處理程序。受多重因素影響，銀行業持有的房產資源持續累積，但鑑於銀行缺乏長期營運房地產的專業能力與意願，其核心訴求聚焦於通過資產快速變現來降低風險敞口、最佳化資產配置結構。基於此，近期市場上湧現出大量銀行直供房源，且普遍採取較大幅度的價格優惠策略。對普通購房群體而言，銀行直供房源的集中入市拓展了購房選擇空間。這類房源的核心競爭力在於顯著的價格優勢，多數房源較市場價低20%-30%。相較於存在產權瑕疵風險的法拍房，銀行直供房的產權歸屬清晰，交易風險係數較低，更符合普通購房者的風險偏好。但需注意的是，此類交易缺乏專業中介機構參與，購房者需自行辦理複雜手續，這在一定程度上增加了交易成本。從房地產行業視角觀察，銀行直供房源的批次入市實質上構成了新的市場供給，且屬於低價庫存範疇。其最終市場影響程度將取決於供給規模，當前該現象雖已引發市場關注，但具體規模尚待觀察。若供給量達到臨界點，可能引發三重連鎖反應：首先，低價房源將形成價格窪地效應，推動整體房價下行；其次，存量房產價值重估將引發資產縮水；最後，資產貶值壓力反推銀行加速處置房產，形成惡性循環。從深層動因分析，當前銀行直供房源激增現象本質上是房價下行周期的衍生結果。要打破這一負向循環，關鍵在於實現房地產市場的價格走穩。唯有房地產市場恢復平穩運行態勢，才能有效阻斷風險向金融領域的傳導路徑，防範系統性金融風險的累積。 (房地產那些事兒)
銀行開始大規模賣房，七折的房子你會買嗎？
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0.7nm工藝，最新分享

近二十年來，人們已經清楚地認識到，受摩爾定律啟發的純尺寸縮放不再是預測 CMOS 技術節點演進的唯一指標。第一個跡象出現在 2005 年左右，當時固定功率下的節點到節點性能改進（稱為 Dennard 縮放）開始放緩。逐漸地，半導體行業開始用其他技術創新來補充以光刻為中心的縮放，以保持性能-功率-面積-成本優勢：電晶體級的材料和架構探索、標準單元級的設計技術協同最佳化以及由 3D 整合技術實現的系統技術協同最佳化。 在電晶體層面，由於尺寸縮小而導致的性能下降源於短溝道現象。柵極長度大幅減少和導電溝道縮短的結合導致漏電流增加，即使柵極上沒有施加電壓也是如此。同樣，源極和漏極對縮小溝道區域的影響也急劇增加。 這些短溝道效應推動了晶片行業從平面 MOSFET 過渡到 FinFET，最近又過渡到用於高性能計算應用的全柵 (GAA) 納米片電晶體。這些架構創新使柵極能夠重新獲得對傳導通道的靜電控制。納米片電晶體系列有望在與標準單元級創新相結合的情況下，以至少三代技術繼續邏輯縮放路線圖。其中包括先進的互連和中線方案以及背面供電網路 (BSPDN) 的引入。 互補 FET （complementary FET）或 CFET 將成為下一個遊戲規則改變者，通過將 n 和 p 溝道堆疊在一起，可以進一步減少面積。Imec 預計將從 A7 節點開始引入它，將 imec 技術路線圖至少延伸到 A3 代。就像在 GAA 納米片電晶體中一樣，柵極（現在為 n 和 p 所共有）完全包裹在 Si 溝道周圍和之間，確保最大程度的靜電控制。
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0.7nm要來了，Imec和Intel：分享路線圖

英特爾、台積電和三星目前正在將其工藝推進至 1.8nm（18A）和 1.6nm（16A），採用全柵極電晶體（英特爾稱之為 RibbonFET），並進一步推進至 14A 節點。對於更遠的工藝，imec 一直在研究工藝路線圖上下一代互補場效應電晶體 (CFET) 堆疊電晶體。下一步是標準單元，將 CFET 與布線相結合。 本周，imec 將在 2024 年 IEEE 國際電子裝置會議 (IEDM) 上展示其 CFET 標準單元。標準單元包含兩行 CFET，中間有一個共享訊號布線牆。根據 imec 的設計技術協同最佳化 (DTCO) 研究，這種雙行 CFET 架構的主要優勢是簡化了工藝，並顯著減少了邏輯和 SRAM 單元面積。與傳統的單行 CFET相比，新架構允許將標準單元高度從 4T 降低到 3.5T 。 imec 還在 IEDM 上展示了這種雙排 CFET 架構的一個關鍵建構模組：一個功能性單片 CFET，其背面直接接觸底部 pMOS 器件的源極/漏極，早在 6 月份他就對此進行了描述。該器件採用 EUV 背面圖案化建構，可確保背面電源和訊號布線密集，以及由正面、背面接觸和後續背面金屬層建立的源極/漏極之間緊密覆蓋（<3nm 精度）。半導體行業在製造單片 CFET 器件方面取得了長足的進步，這些器件有望在邏輯技術路線圖中取代全柵納米片 (NSH)。n 和 pFET 器件的堆疊與用於電力傳輸和訊號布線的背面技術相結合，有望在功率、性能和面積 (PPA) 方面帶來優勢。 然而，在電路層面，仍有多種選擇可以將 CFET 整合到標準單元中，以維持或增強預期的 PPA 優勢。尤其具有挑戰性的是中線 (MOL) 連接，即將源極/漏極和柵極觸點連接到第一條金屬線（背面和正面）的互連，並確保電源和訊號的頂部到底部連接。
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南韓未來將加強監管虛擬資產公司 國民申報海外資產 70% 屬虛擬資產

在全球加密貨幣領域，南韓無疑是一個熱衷於炒作貨幣的國家。今年7月，瑞波（Ripple）在與美國證券交易委員會（SEC）的法律糾紛中獲得初步優勢後，南韓的虛擬資產交易平臺Upbit的韓圜交易量便突破了10億美元，超越了幣安等主要交易所，成為全球交易量最高的平臺。 此外，南韓國稅局（NTS）於20日發佈最新消息，公開了今年國民申報的海外資產情況。根據公告，共有5,419個海外金融帳戶被申報，涵蓋了企業和個人帳戶。 70%申報海外資產為虛擬資產 根據南韓國稅局（NTS）的最新資料，海外資產總額達到186.4兆韓圜（約1.4億美元），其中虛擬資產的申報總值高達130.8兆韓圜（約9,800萬美元），佔總資產的超過70%。在1,432個申報的虛擬資產帳戶中，占總帳戶數的20.7%。
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“李嘉誠七折拋售樓盤”背後，香港在下一盤大棋

8月份，關於香港有兩個值得仔細回味的新聞。一個是“李嘉誠七折拋售樓盤”，另一個是香港人“擠爆”深圳。看似毫不相關，實則有內在聯繫。 先來看後面這個。根據香港入境事務處統計，7月1日至8月29日，已經有超過900萬人次港人入境深圳。香港總人口733萬多，這意味著這個暑假平均每個香港人入境1.2次。 到深圳幹什麼呢？主要是旅遊、休閒消費，景點、餐飲、百貨、遊樂等行業從業者感受明顯，很多人感嘆“一輩子沒見過這麼多香港人”。因為人太多，到處排長隊。媒體報導中，這些人習慣用現金支付，因此可以判斷並不是剛剛移居過去的內地人。 香港人之所以擁入深圳，一是因為一河之隔，物價比香港便宜得多，產品和服務同等甚至更高質量條件下，價格可能僅及一半。便宜只是為吸引消費提供了理由，另一個重要原因是，現在香港有高鐵與內地相連，而且實現了一地兩檢，從香港到深圳快捷、方便、交通成本低，放到內地大城市來衡量，只相當於一部分城市白領的通勤成本。
“李嘉誠七折拋售樓盤”背後，香港在下一盤大棋
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